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</p><p><strong>內(nèi)容簡介：</strong></p><p>RedHawk-SC_Electrothermal 2025 R1產(chǎn)品更新，涵蓋產(chǎn)品整體性能增強，以及Automatic Mesh Convergency(AMC) flow, New Trace mapping flow, Hierarchical CTM, Process stress analysis等一系列先進(jìn)技術(shù)的支持和提升

在此分析過程，CTM模型的引入極大地提高了熱仿真的精度，傳統(tǒng)方式用戶普遍使用Power Map描述芯片工作時的功耗分布，但實際上，芯片的漏電流功耗會隨著溫度變化而變化，但Power Map無法表征，RedHawk在抽取CTM時，可以包含以下特性，進(jìn)一步提高熱仿真的精度。

版本2支持緊湊型熱模型（CTM）。當(dāng)使用加密的TSMC技術(shù)時，可以與Redhawk-SC ET進(jìn)行雙向代碼模擬。通過使用Ansys Icepak，用戶可以捕獲環(huán)境影響（風(fēng)扇/氣流和對流/輻射），然后將這些熱數(shù)據(jù)返回給RHSC-ET。

/HFSS等業(yè)界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協(xié)同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結(jié)構(gòu)之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設(shè)計者優(yōu)化從芯片至系統(tǒng)的SIPI/熱/結(jié)構(gòu)可靠性等設(shè)計指標(biāo)，此流程已經(jīng)支持多家客戶在先進(jìn)工藝節(jié)點和大規(guī)模的2.5D/3D IC設(shè)計上成功流片。

關(guān)于Ansys CPS 解決方案 Ansys CPS（Chip+Package+System）多物理場仿真方案，包含了Redhawk/HFSS等業(yè)界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協(xié)同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結(jié)構(gòu)之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設(shè)計者優(yōu)化從芯片至系統(tǒng)的

/HFSS等業(yè)界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協(xié)同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結(jié)構(gòu)之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設(shè)計者優(yōu)化從芯片至系統(tǒng)的SIPI/熱/結(jié)構(gòu)可靠性等設(shè)計指標(biāo)，此流程已經(jīng)支持多家客戶在先進(jìn)工藝節(jié)點和大規(guī)模的2.5D/3D IC設(shè)計上成功流片。

/HFSS等業(yè)界黃金工具，基于CPM/CSM/CTM等獨有的芯片模型，通過協(xié)同仿真考察芯片與PKG/PCB之間的耦合影響，通過電、熱、結(jié)構(gòu)之間的多物理場耦合仿真使得仿真精度更高，幫助設(shè)計者優(yōu)化從芯片至系統(tǒng)的SIPI/熱/結(jié)構(gòu)可靠性等設(shè)計指標(biāo)，此流程已經(jīng)支持多家客戶在先進(jìn)工藝節(jié)點和大規(guī)模的2.5D/3D IC設(shè)計上成功流片。

本作品耦合SIwave、Icepak、RHSC-ET求解Die內(nèi)溫度場，首先通過SIwave與Icepak計算求解包含CTM模型（考慮漏電流的powermap）、PCB/PKG功耗的溫度場，提取Die周圍的HTC，導(dǎo)入RHSC-ET中計算Die內(nèi)溫度場。