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計(jì)算兩個(gè)傳聲器的傳遞函數(shù)，可以計(jì)算出反射系數(shù)、吸聲系數(shù)和聲阻抗率等聲學(xué)量。 圖4 阻抗管示意圖：2傳聲器 3.2 ASTM2611-17 在阻抗管中用四個(gè)傳聲器法測(cè)試聲學(xué)材料的隔聲量，通過(guò)將測(cè)試樣件安裝在管中，激勵(lì)源產(chǎn)生平面波，在前管（傳聲筒）靠近樣品的兩個(gè)位置測(cè)試聲壓，求得兩個(gè)傳聲器信號(hào)的聲壓傳遞函數(shù)。

毛細(xì)管結(jié)構(gòu)采用Voronoi算法生成，并與骨料、ITZ形成完整的模型，用于模擬微介觀混凝土模型內(nèi)的水分?jǐn)U散。 在本案例中混凝土砂漿內(nèi)的毛細(xì)管結(jié)構(gòu)是通過(guò)Voronoi算法生成，采用CAD Voronoi V2.1版本插件，在CAD內(nèi)建立草圖模型并導(dǎo)入COMSOL。

管式反應(yīng)器是化工行業(yè)中經(jīng)常使用的一種設(shè)備，用于幫助進(jìn)行連續(xù)大規(guī)模的生產(chǎn)。通過(guò)模擬管式反應(yīng)器的解離過(guò)程，可以對(duì)這些設(shè)備進(jìn)行準(zhǔn)確分析。在這篇文章中，我們通過(guò)對(duì)反應(yīng)器等溫和非等溫情況下的模擬研究的比較，展示了 COMSOL 化學(xué)反應(yīng)工程模塊的許多有用功能。您也可以在自己的仿真中使用這些功能。

本文內(nèi)容來(lái)自 COMSOL 博客

通常，Comsol默認(rèn)使用組合幾何體，因?yàn)檫@種情況下內(nèi)部邊界可以采用默認(rèn)的連續(xù)邊界。有時(shí)候，幾何結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，采用組合幾何體時(shí)容易出現(xiàn)內(nèi)部幾何結(jié)構(gòu)錯(cuò)誤，或幾何結(jié)構(gòu)的各個(gè)部分有較大的差異（如薄殼與厚板等），或采用簡(jiǎn)化的方法模擬膜、殼等結(jié)構(gòu)時(shí)需要設(shè)定該簡(jiǎn)化邊界為阻抗型邊界條件，或不同的求解域需要剖分成不同的網(wǎng)格，或采用ALE框架模擬旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)等的情況下，可采用裝配體。

對(duì)于 TEM 模式，我們還可以評(píng)估特性阻抗。TE11 模式的特征阻抗和截止頻率值是 COMSOL? 中數(shù)值模式分析的良好驗(yàn)證因素，因?yàn)槲覀兛梢詫⑺鼈兣c大家熟悉的解析表達(dá)式 進(jìn)行比較。示例2：脊型波導(dǎo)的模態(tài)分析讓我們繼續(xù)以波動(dòng)光學(xué)為例，計(jì)算一個(gè)典型的集成波導(dǎo)的模式。所觀察的脊型波導(dǎo)有一個(gè)由硅 制成的芯、由 SiON 制成的上覆層和由 SiO2 制成的下覆層。

，但是阻抗邊界只能加在整個(gè)模型的邊界上。

)• 深入探索從模擬中獲得的結(jié)果（如電磁場(chǎng)分布、功率損耗、傳輸和反射、阻抗和品質(zhì)因子等） 邊界條件和域條件的使用方法• 完美磁導(dǎo)體和完美電導(dǎo)體的作用和使用場(chǎng)景• 阻抗邊界條件、過(guò)度邊界條件、散射邊界條件、周期性邊界條件的作用• 求解域條件：完美匹配層的理論基礎(chǔ)和使用場(chǎng)景、 PML網(wǎng)格劃分標(biāo)準(zhǔn)&bull

由吸聲系數(shù)理論模型可知，薄膜型結(jié)構(gòu)的吸聲性能與振型模態(tài)、相對(duì)聲阻抗率有關(guān)。對(duì)有無(wú)附加質(zhì)量塊的薄膜型結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)應(yīng)力模態(tài)分析，探討振型模態(tài)與吸聲系數(shù)曲線的對(duì)應(yīng)關(guān)系。 研究?jī)?nèi)容： 由吸聲系數(shù)理論模型可知，薄膜型結(jié)構(gòu)的吸聲性能與振型模態(tài)、相對(duì)聲阻抗率有關(guān)，對(duì)有無(wú)附加質(zhì)量塊的薄膜型結(jié)構(gòu)進(jìn)行預(yù)應(yīng)力模態(tài)分析，探討振型模態(tài)與吸聲系數(shù)曲線的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

COMSOL 中的求解形式5.2 RF 方程弱形式解析，以及修改方法(模擬特殊本構(gòu)關(guān)系的物質(zhì))5.3深入探索從模擬中獲得的結(jié)果（如電磁場(chǎng)分布、功率損耗、傳輸和反射、阻抗和品質(zhì)因子等）6、邊界條件和域條件的使用方法6.1完美磁導(dǎo)體和完美電導(dǎo)體的作用和使用場(chǎng)景6.2阻抗邊界條件、過(guò)度邊界條件、散射邊界條件、周期性邊界條件的作用6.3求解域條件：完美匹配層的理論基礎(chǔ)和使用場(chǎng)景、 PML 網(wǎng)格劃分標(biāo)準(zhǔn)

IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。IGBT的電路符號(hào)至今并未統(tǒng)一，畫原理圖時(shí)一般是借用三極管、MOS管的符號(hào)，這時(shí)可以從原理圖上標(biāo)注的型號(hào)來(lái)判斷是IGBT還是MOS管。

一種結(jié)合方式，是通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取方程中的參數(shù)，并應(yīng)用于COMSOL Multiphysics模擬，例如：通過(guò)交流阻抗測(cè)試和恒電壓測(cè)試可以獲得電解質(zhì)中鋰離子和陰離子的電導(dǎo)率，為Nernst-Planck方程提供不同載流子的電導(dǎo)率參數(shù)；恒電流測(cè)試可以提供電化學(xué)反應(yīng)中的動(dòng)力學(xué)參數(shù)(如過(guò)電勢(shì)和交換電流密度)；斷裂韌性測(cè)試可以測(cè)定材料的平面應(yīng)變斷裂韌度和裂紋擴(kuò)展速率等力學(xué)參數(shù)；原子力顯微鏡(Atomic Force

為驗(yàn)證在低溫下SOT23封裝的MOS管DS阻抗、三極管CE阻抗會(huì)變小，取多個(gè)三極管、MOS管器件（SOT23封裝，未焊在板上），用液氮進(jìn)行降溫，測(cè)試三極管CE、MOS管DS的阻抗。 降溫前，測(cè)試到的阻抗為無(wú)窮大（100M歐以上）；降溫后，測(cè)試到的阻抗會(huì)降低，測(cè)試到的最小阻抗只有10K。

因此，本文描述的諧振器模型使用阻抗管方法進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和數(shù)值測(cè)試。

COMSOL頻域求解，使用的軟件版本為COMSOL 5.4 (5.4.0.225)；計(jì)算所需的內(nèi)存：32 GB；涉及的內(nèi)容：各向異性材料、阻抗邊界條件、電偶極子、散射邊界條件、完美匹配層、對(duì)數(shù)據(jù)集的操作 等；繪制了：電場(chǎng)模、電場(chǎng)z分量的分布、Poynting矢量分布；注意：本案例僅包含模型文件，沒(méi)有講解視頻，不附帶答疑指導(dǎo)。

防止MOS管的源極和漏極反接時(shí)燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時(shí)，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。 MOSFET具有輸入阻抗高、開(kāi)關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開(kāi)關(guān)等用途。 2、什么是IGBT？