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XRD

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創建者:悟空_8399 創建時間:2018-07-23
XRD圖1

XRD的實例教程

Ti6Al4V粉末狀態下的XRD分析圖譜(請見圖4),經卡號比對出HCP結構之α相與BCC結構之β相,判斷Ti6Al4V為α+β相;α相于35.646°、38.550°、40.699°2θ分別可發現(100)、(002)、(101)結晶方向的peak;而β相則在38.466°2θ可發現(011)結晶方向的peak。而Ti6Al4V冷噴涂涂層經過真空擴散后于XRD繞射峰比對發現了FeTi介金屬相及FeO相,XRD分析結果如圖5。 圖4:Ti6Al4V粉末之XRD圖譜 圖5:Ti6Al4V冷噴涂層經真空擴散后之XRD圖譜 結語 經過Aeris XRD與HighScore軟件分析,確定了Ti6Al4V為α+β相,而Ti6Al4V冷噴涂涂層經過真空擴散后,形成了介金屬相。本文藉由Ti6Al4V粉末、涂層的分析,簡單地介紹Aeris XRD與軟件HighScore Plus的功能。此外,還有晶粒尺寸、Micro strain、殘留應力等更加深入的分析可探索。XRD分析就像廚具與廚藝的關系,Aeris XRD是一項好工具,是得到數據的便捷方法,而如何去運用數據去計算與解釋結果,更是能展現專業的一大學問。
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1.XRD有檢出下限,一般不小于1%,小于此值很難看到,對于分散好的樣品可以在測試時降低掃描步長,采取慢掃方式,延長掃描時間,比較容易看到衍射峰。因為一般的測試都是常規測試,測試條件是固定的,對于小顆粒數據容易失真。也可以通過hrsem進行測試,再做個mapping。 2.XRD:不僅要滿足檢測限,還得滿足粒子大?。ù蠹s>1-2nm)。所謂的分散好就是說明納米粒子非常小,在這種情況下很難看到衍射信息。
XRD應用案例 案例背景:送檢樣品為白色粉末狀的珍珠粉,送檢方要求進行物相鑒定。本試驗使用設備為日本理學D/max2500的X射線衍射儀。 試驗參數:管壓40KV,管流200μA,Cu靶,衍射寬度DS=SS=1°,RS=0.3mm,掃描速度2.000 (d?min-1),掃描范圍10°~80°。 測試結果:樣品的主要成分為碳酸鈣。 小結 本文簡單介紹了X射線衍射技術(XRD)的基本原理、結構和應用。綜上所述,X射線衍射技術在材料分析領域有著十分廣泛的應用,在無機材料、有機材料、鋼鐵冶金、納米材料等研究領域中發揮越來越重要的作用。X射線衍射技術已經成為人們研究材料尤其是晶體材料最方便、最重要的手段。隨著技術手段的不斷創新和設備的不斷完善升級,X射線衍射技術在材料分析領域必將擁有更廣闊的應用前景。
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9、要有寬的掃描速度,對于結構精修,需要測到130°以上 相關閱讀 1.超全完整的XRD技術介紹(155頁PPT) 2.XRD測定晶粒尺寸和微觀應力! 3.X射線衍射儀(XRD)那么強大,到底能做哪些實驗? 4.免費教程助你掌握制圖技能Origin處理CV、XRD、XPS、FTIR、Raman、TGA、DSC數據
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XRD圖2

XRD的最新內容

★ 量化評估:通過視覺觀察腐蝕產物覆蓋面積與密度,或結合重量/面積測量實現量化,配合XRD、SEM-EDS等成分分析技術,可深入判斷腐蝕機制(如紅色三氧化二鐵對應富氧腐蝕)。
0 5 一站式熱分析實驗室 國高材分析測試中心配備國際先進的熱分析系統(TGA/DSC)、XRD、GC-MS等高端設備,助力企業加速高安全電池材料開發,筑牢動力電池安全防線。
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常用分析方法 成分分析: 傅里葉紅外光譜儀(FTIR) 顯微共焦拉曼光譜儀(Raman) 掃描電鏡及能譜分析(SEM/EDS) X射線熒光光譜分析(XRF) 氣相色譜-質譜聯用儀(GC-MS) 裂解氣相色譜-質譜聯用(PGC-MS) 核磁共振分析(NMR) X射線光電子能譜分析(XPS) X射線衍射儀(XRD) 熱分析: 差示掃描量熱法
圖2 XRD石棉匹配圖 0 4 石棉檢測設備 國高材分析測試中心擁有多年石棉檢測的測試經驗,且具備多個標準的CMA、CNAS資質。
而Ti6Al4V冷噴涂涂層經過真空擴散后于XRD繞射峰比對發現了FeTi介金屬相及FeO相,XRD分析結果如圖5。 圖4:Ti6Al4V粉末之XRD圖譜 圖5:Ti6Al4V冷噴涂層經真空擴散后之XRD圖譜 結語 經過Aeris XRD與HighScore軟件分析,確定了Ti6Al4V為α+β相,而Ti6Al4V冷噴涂涂層經過真空擴散后,形成了介金屬相。
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f) NO-NM, NO-M, O-M的XRD。g)納米片沿平面方向的取向分數。纖維膜h)壓前和i)壓后的SEM橫截面圖(傳熱路徑如圖中紅色曲線所示)。j) E/P、m-E/m-P和DCT的BET表面積比較。k) mE與mP的孔徑分布對比,插圖為對應的水接觸角。 圖3. 人體處于靜止狀態時DCT的散熱性能。 圖4.人體運動時DCT的冷卻性能。
(e) SiC AC和MR-SiC AC的XRD結果。MR-SiC AC上單根SiC納米線的TEM表征:(f)、(g) 明場像和相應的TEM-EDS結果;(h) TEM圖像和對應的電子衍射圖(插圖);(i) 對應的HRTEM圖像。 圖4. SiC ACs和MR-SiC ACs的熱性能。 (a) 表明熱氧化穩定性的 TGA 曲線。左上方插圖為影片截圖,顯示了樣品的耐火特性。