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關注創建者:光芯片高頻實驗室 創建時間:2018-06-29
Siwave的視頻教程
ANSYS Siwave 及circuit模塊場路協同模擬PCB板真實工況下的遠場仿真操作教程
本課程適合哪些人學習: 1、電磁仿真設計領域多年工程經驗的工程師 2、科研工作者 3、高校理工科老師 4、學校理工科學生 5、電磁仿真愛好者 6、學習SIWAVE,HFSS等學習人員 課程介紹: 1、ANSYS Siwave 及circuit 模塊場路協同模擬PCB板真實工況的遠場仿真操作Step By Step操作教學視頻 2、講師提供教程相關模型進行專項訓練,提高用戶的實際操作能力
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ANSYS SIwave電源完整性仿真操作詳解
ANSYS SIwave是一款特別針對PCB、芯片封裝的SI/PI/EMC仿真工具,采用定制化的電磁場算法, 能夠高效準確地求解幾十層的PCB和上千管腳的封裝結構。
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Siwave的實例教程
ANSYS SIwave:在SIwave中定義HFSS區域 - 第二部分
視頻簡介:
本視頻中,設計人員在ANSYS SIwave中使用和不使用HFSS區域的情況下分別求解印刷電路板,并對比了差分對的S參數結果。您還會看到HFSS區域對仿真時間和存儲器峰值使用量的影響。另外,視頻中還探討了包含ANSYS HFSS目標差分對的電路板Cutout的求解結果。在本視頻中,通過仿真結果和其他指標介紹了在ANSYS SIwave中如何使用HFSS 3D區域提高關鍵信號網絡的S參數精度,并且只占用較少的計算資源。
往期回顧
【ANSYS HFSS課程小視頻】ANSYS Electronics Desktop環境
【ANSYS HFSS課程小視頻】ANSYS SIwave:在SIwave中定義HFSS區域 - 第一部分
展開 本文主要介紹如何使用ANSYS SIwave進行S參數的分析及相應的設計修改。
1.
翻譯:上海安世亞太
電源分配網絡(PDN)時域噪聲分析是SI/PI/EMI分析的一個重要部分,SIwave可以利用CPM的電流PWL文件作為瞬態分析的電流負載,結合C4bump的RLC寄生參數,給出更真實和準確的噪聲值。
傳統的電源分配網絡(PDN)PI分析只致力于系統的頻域和直流性能分析。結合芯片級無源寄生參數和有源電流信息,借助封裝/PCB級電磁提取技術,用戶可以更準確地識別更真實的PDN時域噪聲。這也有利于更精確的信號完整性(SI)和電磁干擾(EMI)分析。芯片功耗模型(CPM)是一種SPICE網表格式,包括芯片C4bump的PDN寄生和晶體管級電流源,這些電流源為每個bump重新生成電流,這對于封裝和PCB的PDN時域分析至關重要。
ANSYS SIwave提供了一個可以導入CPM模型的設計流程,并與ANSYS電路仿真器進行聯合仿真,用于進行PDN瞬態噪聲分析。
為PDN瞬態噪聲配置的CPM模型
PDN結構涉及3個主要組成部分:電壓調節模塊(VRM)、封裝和PCB以及芯片負載。VRM將被建模為理想的電壓源;分配端口后,將由SIwave電磁場求解器提取封裝和PCB;在CPM模型中描述芯片負載行為。所有這三個部分都將在ANSYS Electronics Desktop中使用電路仿真器進行級聯,以執行瞬態分析。
SIwave使用CPM的pin分組信息自動定義PDN芯片連接側的端口。這些端口將與電路中CPM模型的節點相匹配。用戶需要在SIwave中手動定義VRM側的pin分組和端口。
請注意,CPM模型中已經包含芯片焊盤參數,用戶不應再在SIwave封裝/PCB提取中包含此信息。為此,將使用一個PLOC文件來定義僅在SIWave中的pin分組和端口。
展開 ANSYS下的HFSS、SIwave和Q3D的區別和應用場景,為大家做個詳解。
分析對象
這三個軟件的分析對象上有一些區別,其中HFSS和Q3D比較類似,都支持對3D任何結構的建模和分析,最后都能得到該結構的等效電路模型;SIwave的分析對象主要還是層疊結構,是一個PCB專用的分析工具。
產品定位
HFSS是針對微波、射頻和SI的工具, SI分析只是它功能的一個方面,此外,它還能求解腔體、波導等的本征模;Q3D僅僅是針對SI的工具,沒有別的用途;SIwave是針對PCB分析的工具,除了SI,還可以做PI和EMI分析,但是在ANSYS新的產品規劃里面,SI問題將以HFSS 3D Layout來主導,SIwave正在向PI和EMI工具進行演變。
求解原理
HFSS是3D全波電磁場仿真工具,基于有限元理論,對全波Maxwell方程組聯合求解,理論上計算結果的準確度不受限于頻率,仿真的時間步長,但是占用的計算機資源多;Q3D是準靜態的2D\3D電磁場仿真工具,對電壓和電流建立電路方程組求解,因此仿真的速度快,但是因為采用的是電路理論,因此只在一定的頻率范圍內是準確的,這個范圍通常是要求結構尺寸小于求解波長的十分之一,通常建議適用的頻率上限是5Gbps;SIwave是2.5D的電磁場仿真工具,它假設PCB在層疊Z方向上的電磁場是均勻分布的,因此求解的是對Z方向分量進行簡化后的Maxwell方程組,要求Z方向上的結構不能有變化,因此也只在一定的頻率范圍內是準確的,通常要求分析對象必須擁有完整的參考平面,通常建議適用的頻率上限也是5Gbps。
展開 本視頻介紹了時域反射法(TDR)分析,并比較了三種求解方法的結果:使用HFSS區域的SIwave仿真、不使用HFSS區域的SIwave仿真、以及對包含目標信號網絡的部分電路板進行單獨的HFSS仿真。在ANSYS Electronics Desktop中為每次分析創建電路圖。比較每種求解方法的TDR結果,以研究阻抗響應,并了解結構中的哪些部分需要采用不同的求解方法。結果顯示,使用HFSS區域的SIwave仿真可在電路板的連接器引出線區域提供3D精度。
在本視頻中,分析中的PCB使用遵守了國際創作共享署名授權協議4.0(Creative Commons ShareAlike Attribution 4.0 International)(CC BY 4.0)。
來源于:ANSYS官網
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在實際應用中,Ansys DDR Plus可基于Ansys HFSS與Ansys SIwave自動提取通道S參數,并自動搭建Read/Write仿真鏈路,支持Nexxim與HSPICE求解器。系統還能自動生成DDR驗證所需的關鍵分析指標,并在后處理中集成JEDEC規范的Sign-off標準,大幅減少人工干預與重復勞動。
在2026 R1 新版本中多項功能升級:全新 PI 求解器、更強大的HFSS/Q3D/SIwave 工作流與網格能力,以及 Maxwell、Motor-CAD、Icepak 在效率、精度與系統級分析上的全面增強。
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5月15日 | Ansys SIwave 基礎培訓及案例分析
簡介:本次Ansys SIwave基礎培訓及案例分析課程,以Ansys Electronics Desktop為統一操作平臺,系統講解軟件基礎操作,深度覆蓋SYZ參數提取、TDR仿真、DCIR
使用工具
HFSS 3D Layout,SIwave,Q3D Extractor
最終成果
本文通過Ansys平臺實現了大尺寸車載屏高速信號鏈路的精準建模與優化。實踐表明:
1. HFSS 3D Layout與SIwave協同可高效分析復雜通道的SI/EMC問題;
2. 阻抗補償設計與屏蔽優化能顯著提升眼圖質量,眼高增幅超200%;
3.
一期一會 | 什么是電源完整性?3個月前
像SIwave軟件這樣的綜合工具,使您能夠在開展電容和電感耦合仿真時使用相同的功率損耗模型。
首先,工程師必須測量PDN阻抗并微調設計,直至其達到目標阻抗。這些迭代可能包括在電路走線之間引入間距,修改電源或接地平面幾何結構,移動或添加過孔,或引入電容器以減少串擾。
大多數電子系統都包含了PCB和集成電路。
本次熱仿真中,EIC加熱數據來自芯片熱模型(CTM),焦耳加熱數據則來自SIwave。晶圓底部溫度設定為50℃,頂部采用自然對流換熱系數(HTC)。
注意:要導出溫度圖,用戶需要使用Icepak的“Write Thermal Loads”ACT擴展。
步驟 2:在INTERCONNECT中進行Circuit仿真
在INTERCONNECT中,WDM傳輸鏈路被用作測試平臺。
Mechanical非線性仿真及材料非線性應用
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Ansys Fluent多相流高級培訓
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高密度復雜PKG/PCB PI分析新流程
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SIwave的DCIR幫助設計人員做好功率損耗計算,SIwave耦合Icepak實現產品溫升的分析,更精細的內容等你分享。
不同以往以 Icepak 估算熱功耗并給予數值,AEDT 可利用 HFSS/Q3D/Maxwell 或 Siwave 等軟件進行功率計算后賦予 Icepak 中做為更為真實的熱功耗,并方便地進行單向及雙向多物理場耦合。
