01/簡介 零波像差非雙遠(yuǎn)心物鏡憑借“波前畸變趨近于零、適配大視場與復(fù)雜物距場景”的優(yōu)勢，在精密光刻、微納檢測等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，但其視場邊緣物像比例變化特性，對成像模型的維度適配性提出更高要求。 二維矢量成像模型雖能表征平面圖形偏振態(tài)，卻因忽略深度光場耦合、厚掩模衍射及視場-深度耦合效應(yīng)，無法精準(zhǔn)預(yù)測三維圖形成像質(zhì)量。

搭建數(shù)字孿生系統(tǒng)，實時采集雙遠(yuǎn)心物鏡的偏振態(tài)監(jiān)測數(shù)據(jù)與光刻圖形質(zhì)量反饋，實現(xiàn)模型參數(shù)的動態(tài)自適應(yīng)調(diào)整。開發(fā)AI輔助的偏振-遠(yuǎn)心參數(shù)智能匹配算法，自動生成不同三維圖形場景下的最優(yōu)光學(xué)配置方案。 3. 多領(lǐng)域跨場景拓展應(yīng)用 拓展模型至微納光學(xué)制造領(lǐng)域，為雙遠(yuǎn)心光刻制備微透鏡陣列、全息元件等三維微結(jié)構(gòu)提供理論支撐。

例如，在光刻工藝后，可檢測光刻膠的厚度和表面平整度；在刻蝕工藝后，可測量刻蝕深度和表面粗糙度，確保芯片的性能和可靠性。 2、在材料研究領(lǐng)域能發(fā)揮什么作用：對于納米材料、薄膜材料、復(fù)合材料等，可以測量其表面形貌和厚度，分析材料的結(jié)構(gòu)和性能。同時，還可以用于研究材料的摩擦磨損、腐蝕等表面現(xiàn)象，為材料的研發(fā)和應(yīng)用提供重要的實驗數(shù)據(jù)。

研究團隊通過以雙光子3D光刻為核心的微納加工流程，制備了具有高結(jié)構(gòu)質(zhì)量的微型定向發(fā)射器陣列。光譜測試驗證了該發(fā)射器優(yōu)異的方向性，并實現(xiàn)了超寬的波長覆蓋范圍（5-20 μm），遠(yuǎn)超過往工作。

微納制造：納米研磨設(shè)備(干濕法研磨、臥式砂磨機、珠式砂磨機、三棍研磨機），納米微粒混合物，分散技術(shù)，薄膜制造技術(shù)，蝕刻，離子束激光處理器，電子束處理，填裝充電處理，微電路制造，超精度表面加工技術(shù)，融合接合技術(shù)，下一代光刻技術(shù)，納米壓印技術(shù)，飛秒激光曝光設(shè)備，MEMS、噴墨機，NEMS，傳感器，納米電子，光電，射流，模型，WCM。

演講主題：《直寫光刻技術(shù)在面板顯示行業(yè)應(yīng)用展望》 演講嘉賓：芯碁微電子裝備股份有限公司 副總經(jīng)理 曲魯杰 芯碁微電子裝備股份有限公司 副總經(jīng)理 曲魯杰 芯碁微裝專注于微納直寫光刻設(shè)備的研發(fā)與生產(chǎn)。目前其已建成智能化研發(fā)制造基地，展示了直寫光刻在高世代線、OLED、Mini LED和Micro LED領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

雖然設(shè)計過程以數(shù)值仿真為主，但指導(dǎo)與理解設(shè)計依賴于微納光子學(xué)中的物理概念，包括諧振、幾何相位、傳播相位等等。 設(shè)計完成后，人們對超表面進(jìn)行加工。超表面結(jié)構(gòu)單元尺寸通常有幾百納米，而細(xì)部尺寸可能僅有幾十納米。電子束光刻 (electron-beam lithography)具有高精度的優(yōu)勢，是目前人們加工超表面的首選方法。

在本工作中，如圖1a所示，作者延續(xù)前期發(fā)現(xiàn)的低損耗、高對稱的方解石（CaCO3）晶體作為優(yōu)良的雙曲極化激元觀測平臺，并利用電子束光刻工藝在其表面制備高質(zhì)量的納米尺寸金圓盤天線。如圖1a和b所示，在p偏振的平面波對金屬圓盤的極化作用下，圓盤中產(chǎn)生面內(nèi)電偶極矩，進(jìn)一步激發(fā)方解石晶體中的雙曲極化激元。

該研究開發(fā)的復(fù)消色差X射線透鏡系統(tǒng)由兩個相互獨立的光學(xué)元件組成：一個是雙光子聚合3D打印技術(shù)制造的復(fù)合折射透鏡，另一個是通過電子束光刻和金電鍍制造的菲涅爾波帶片，見圖2。 圖2. X射線復(fù)消色差透鏡的組成部分。

紫外納米壓印光刻與光學(xué)光刻流程對比 （圖源：果殼硬科技） 可以理解為，納米壓印技術(shù)造芯片就像蓋章一樣，把柵極長度只有幾納米的電路刻在印章（掩膜）上，再將印章蓋在橡皮泥（壓印膠）上，實現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移后，然后通過熱或者UV光照的方法使轉(zhuǎn)移的圖形固化，以完成微納加工的“雕刻”步驟。