半導(dǎo)體器件的案例
高效能半導(dǎo)體器件進(jìn)展與展望
1 高效能半導(dǎo)體器件研究進(jìn)展
1.1寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵射頻器件
由于纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN材料具備很強(qiáng)的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，使其在AlGaN/GaN界面會形成高電子遷移率的二維電子氣(
2DEG
)，2DEG導(dǎo)電能力遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件導(dǎo)電溝道，這也是GaN器件能夠?qū)崿F(xiàn)高頻高功率的原因。
目前在材料方面，國內(nèi)GaN，SiC的材料生長已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，這為我國第三代半導(dǎo)體器件的發(fā)展奠定了良好的基礎(chǔ)。在器件方面，國內(nèi)也取得了非常好的進(jìn)展，一大批高性能GaN器件從實(shí)驗(yàn)室、研究所走出，開啟第三代半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。
西安電子科技大學(xué)開展了面向5G的C波段的GaN大功率射頻器件的研究，如圖2，在頻率為5GHz，Vd為28V時(shí)進(jìn)行三次諧波調(diào)制研究，連續(xù)波工作狀態(tài)下，器件的功率附加效率到達(dá)了目前國際最高指標(biāo)85.16%，且功率密度為7.0W/mm，功率增益為14.9 dB，這也為6G通信的發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支撐，為未來毫米波通信奠定了重要的基礎(chǔ)。
1.2 超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料與器件
寬禁帶半導(dǎo)體材料已經(jīng)能較好支撐高效能半導(dǎo)體器件的發(fā)展。近幾年來，學(xué)術(shù)界正在發(fā)展超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵，Ga2O3具有4.8eV的禁帶寬度。超寬禁帶半導(dǎo)體在理論上具備更高的擊穿電壓、更大的功率密度，為高功率、高壓器件的發(fā)展提供了新的思路，讓我們對未來半導(dǎo)體器件的發(fā)展充滿期望。
展開 探索熱阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景
探索熱阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景
隨著半導(dǎo)體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展，器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高，導(dǎo)致性能及長期可靠性降低。為了有效進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)和性能檢測，必須精確測量器件有源區(qū)溫度變化并分析熱阻構(gòu)成分布，這對半導(dǎo)體器件生產(chǎn)行業(yè)及使用單位至關(guān)重要。
自1947年第一支雙極性晶體管誕生以來，半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展改變了社會面貌并影響著人們的生活。從1965年摩爾定律的提出開始，半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定律不斷發(fā)展，集成電路密度增加、尺寸縮小，導(dǎo)致工作過程中散熱能力下降。熱量積累導(dǎo)致器件結(jié)點(diǎn)溫度升高，進(jìn)而性能下降。因此，熱阻測試、功率測試在半導(dǎo)體研發(fā)中至關(guān)重要。
第一支雙極性晶體管
熱阻是指熱量在熱流路徑上的阻力，是表征介質(zhì)或介質(zhì)間熱傳導(dǎo)能力的重要參數(shù)，其物理意義是單位熱量引起的溫升，單位是℃/W。把溫差看作電壓，把熱流看作電流，那么熱阻就可以看作是電阻。
半導(dǎo)體器件特征尺寸持續(xù)縮小、功率密度增加，導(dǎo)致器件結(jié)溫升高，這直接影響器件性能和壽命。70%的電子器件損壞與高熱環(huán)境應(yīng)力密切相關(guān)。器件的瞬態(tài)溫升與熱阻密切相關(guān)，熱阻由芯片層、焊料層、管殼等組成。利用瞬態(tài)溫升技術(shù)，可測得器件穩(wěn)態(tài)熱阻和溫升，不但可以測得半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻和溫升，而且可以直接測量各部分對于溫升的貢獻(xiàn)，計(jì)算芯片熱流路徑上的縱向熱阻構(gòu)成，對器件熱可靠性設(shè)計(jì)、散熱問題解決、產(chǎn)品性能提升和長期可靠性至關(guān)重要。
半導(dǎo)體器件內(nèi)部熱阻構(gòu)成示意圖
目前，國內(nèi)外對單芯片內(nèi)部熱阻組成和結(jié)殼熱阻進(jìn)行了廣泛研究，并有一些科研院所和企業(yè)研制出了熱阻測試儀。美國AnalysisTec公司的Phase11熱阻測試儀和MicRed公司的T3Ster熱阻測試儀是兩款比較有影響力的商業(yè)化熱阻測試儀。
展開 探索熱阻測試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景
隨著半導(dǎo)體器件不斷向高頻、高功率、高集成度方向發(fā)展，器件的有源區(qū)工作溫升也隨之升高，導(dǎo)致性能及長期可靠性降低。為了有效進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)和性能檢測，必須精確測量器件有源區(qū)溫度變化并分析熱阻構(gòu)成分布，這對半導(dǎo)體器件生產(chǎn)行業(yè)及使用單位至關(guān)重要。
自1947年第一支雙極性晶體管誕生以來，半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展改變了社會面貌并影響著人們的生活。從1965年摩爾定律的提出開始，半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定律不斷發(fā)展，集成電路密度增加、尺寸縮小，導(dǎo)致工作過程中散熱能力下降。熱量積累導(dǎo)致器件結(jié)點(diǎn)溫度升高，進(jìn)而性能下降。因此，熱阻測試、功率測試在半導(dǎo)體研發(fā)中至關(guān)重要。
第一支雙極性晶體管
熱阻是指熱量在熱流路徑上的阻力，是表征介質(zhì)或介質(zhì)間熱傳導(dǎo)能力的重要參數(shù)，其物理意義是單位熱量引起的溫升，單位是℃/W。把溫差看作電壓，把熱流看作電流，那么熱阻就可以看作是電阻。
半導(dǎo)體器件特征尺寸持續(xù)縮小、功率密度增加，導(dǎo)致器件結(jié)溫升高，這直接影響器件性能和壽命。70%的電子器件損壞與高熱環(huán)境應(yīng)力密切相關(guān)。器件的瞬態(tài)溫升與熱阻密切相關(guān)，熱阻由芯片層、焊料層、管殼等組成。利用瞬態(tài)溫升技術(shù)，可測得器件穩(wěn)態(tài)熱阻和溫升，不但可以測得半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)熱阻和溫升，而且可以直接測量各部分對于溫升的貢獻(xiàn)，計(jì)算芯片熱流路徑上的縱向熱阻構(gòu)成，對器件熱可靠性設(shè)計(jì)、散熱問題解決、產(chǎn)品性能提升和長期可靠性至關(guān)重要。
半導(dǎo)體器件內(nèi)部熱阻構(gòu)成示意圖
目前，國內(nèi)外對單芯片內(nèi)部熱阻組成和結(jié)殼熱阻進(jìn)行了廣泛研究，并有一些科研院所和企業(yè)研制出了熱阻測試儀。美國AnalysisTec公司的Phase11熱阻測試儀和MicRed公司的T3Ster熱阻測試儀是兩款比較有影響力的商業(yè)化熱阻測試儀。
展開 電力半導(dǎo)體元器件簡介（雙極型、單極型、混合型）
電力半導(dǎo)體元器件大多是以開關(guān)方式工作為主，對電能進(jìn)行控制和轉(zhuǎn)換的電力電子器件。如可關(guān)斷晶閘管（英文縮寫：GTO）、電力晶體管（GTR）、功率場效應(yīng)晶體管（Power Mosfet）、絕緣棚式雙極型晶體管（IGBT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、靜電感應(yīng)晶閘管（SITH）、MOS晶閘管（MCT）等。
電力半導(dǎo)體元器件可分為三類：雙極型、單極型、混合型。
雙極型器件是指器件內(nèi)部的電子和空穴兩種載流子都參與導(dǎo)電過程的半導(dǎo)體器件。這類器件的導(dǎo)通電阻小于0.09Ω，導(dǎo)通電壓降低，阻斷電壓高，電流容量大。常見的有GTO（可關(guān)斷晶閘管）、GTR（電力晶體管）、SITH（靜電感應(yīng)晶閘管）等。GTO耐壓高（4500V）、電流大（5000A）。GTR具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、導(dǎo)通電壓低、高頻特性好等優(yōu)點(diǎn)。SITH用棚極控制開通和關(guān)斷，具有導(dǎo)通電阻小、導(dǎo)通電壓低、開關(guān)速度快、功耗小、關(guān)斷電流增益大等特點(diǎn)。
單極型器件是指內(nèi)部只有主要載流子參與導(dǎo)電過程的半導(dǎo)體器件。常見產(chǎn)品有Power Mosfet（場效應(yīng)晶體管）、SIT（靜電感應(yīng)晶體管）。前者為電壓控制器件，具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。后者是三層結(jié)構(gòu)的多數(shù)載流子器件。具有輸出功率大，失真小、輸入阻抗高、開關(guān)特性好等優(yōu)點(diǎn)，可工作于放大和開關(guān)兩種狀態(tài)。
混合型器件是雙極型和單極型器件集成混合而成。它們利用耐壓高、電流大、導(dǎo)通電壓低的雙極型器件（GTO、GIR等）作為輸出原件，用輸入阻抗高、相應(yīng)速度快的單極型器件（Mosfet）作為輸入級，因此具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。典型產(chǎn)品有IGBT（絕緣棚式雙極型晶體管）、MCT（MOS晶閘管）等。
展開 
半導(dǎo)體測試可靠性測試設(shè)備
沖擊測試設(shè)備
沖擊測試設(shè)備用于模擬半導(dǎo)體器件在受到瞬間沖擊力（如碰撞、跌落）時(shí)的性能表現(xiàn)。設(shè)備通過機(jī)械裝置或氣壓裝置產(chǎn)生瞬間的沖擊力，作用于器件上。測試過程中，可觀察器件的外殼是否破裂、內(nèi)部芯片是否移位、電氣連接是否中斷等。對于手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，沖擊測試是必不可少的環(huán)節(jié)，以確保產(chǎn)品在意外跌落等情況下仍能正常使用。
全自動跌落測試系統(tǒng)：這款設(shè)備主要用于模擬產(chǎn)品在使用或運(yùn)輸過程中可能遭遇的跌落沖擊場景。它可同時(shí)對多個(gè)試樣開展測試，相比傳統(tǒng)單工位設(shè)備，效率提升 40% 以上。設(shè)備能精準(zhǔn)控制跌落高度、角度等參數(shù)，模擬不同方向和力度的跌落沖擊，檢測半導(dǎo)體器件在跌落沖擊下，外殼是否破裂、內(nèi)部芯片是否移位、電氣連接是否中斷等狀況 。比如在消費(fèi)電子領(lǐng)域，可對手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備中的半導(dǎo)體器件進(jìn)行跌落沖擊測試，確保產(chǎn)品在意外跌落時(shí)，半導(dǎo)體器件仍能正常工作，不會因沖擊導(dǎo)致性能故障。
不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?em>半導(dǎo)體器件的性能要求差異巨大。例如，汽車電子領(lǐng)域要求半導(dǎo)體器件能在高溫、高振動、高濕度等極端環(huán)境下穩(wěn)定工作數(shù)十年；而消費(fèi)電子領(lǐng)域則更注重產(chǎn)品在日常使用環(huán)境中的可靠性與成本效益。為滿足這些多樣化需求，半導(dǎo)體可靠性測試設(shè)備廠商將越來越多地提供定制化服務(wù)。根據(jù)客戶的特定應(yīng)用場景、測試需求，北京沃華慧通測控技術(shù)有限公司可為客戶量身定制測試設(shè)備及測試方案。
展開 常見的半導(dǎo)體材料有哪些 半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)及優(yōu)勢
因此，半導(dǎo)體材料應(yīng)具有很高的純度，這就不僅要求用來生產(chǎn)半導(dǎo)體材料的原材料應(yīng)具有相當(dāng)高的純度，而且還要求超凈的生產(chǎn)環(huán)境，以期將生產(chǎn)過程的雜質(zhì)污染減至最小。半導(dǎo)體材料大部分都是晶體，半導(dǎo)體器件對于材料的晶體完整性有較高的要求。此外，對于材料的各種電學(xué)參數(shù)的均勻性也有嚴(yán)格的要求。
1、元素半導(dǎo)體材料
硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，他不僅是半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體器件和硅太陽能電池的基礎(chǔ)材料，而且用半導(dǎo)體制作的電子器件和產(chǎn)品已經(jīng)大范圍的進(jìn)入到人們的生活，人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上與案件都離不開硅材料。鍺是稀有元素，地殼中的含量較少，由于鍺的特有性質(zhì)，使得它的應(yīng)用主要集中與制作各種二極管，三極管等。而以鍺制作的其他錢江如探測器，也具有著許多的優(yōu)點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。
2、有機(jī)半導(dǎo)體材料
有機(jī)半導(dǎo)體材料具有熱激活電導(dǎo)率，如萘蒽，聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡(luò)合物，有機(jī)半導(dǎo)體材料可分為有機(jī)物，聚合物和給體受體絡(luò)合物三類。有機(jī)半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力差，但是擁有加工處理方便，結(jié)實(shí)耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。
3、非晶半導(dǎo)體材料
非晶半導(dǎo)體按鍵合力的性質(zhì)分為共價(jià)鍵非晶半導(dǎo)體和離子鍵非晶半導(dǎo)體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸汽或?yàn)R射的方法制備。在工業(yè)上，非晶半導(dǎo)體材料主要用于制備像傳感器，太陽能鋰電池薄膜晶體管等非晶體半導(dǎo)體器件。
4、化合物半導(dǎo)體材料
化合物半導(dǎo)體材料種類繁多，按元素在周期表族來分類，分為三五族，二六族，四四族等。如今化合物半導(dǎo)體材料已經(jīng)在太陽能電池，光電器件，超高速器件，微波等領(lǐng)域占據(jù)重要位置，且不同種類具有不同的應(yīng)用。
展開 Matlab在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用計(jì)算特點(diǎn)與計(jì)算設(shè)備硬件配置推薦
在半導(dǎo)體方面，MATLAB可以使用多個(gè)工具箱來進(jìn)行半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)、分析和模擬。下面是MATLAB在半導(dǎo)體方面常用的工具箱和相關(guān)計(jì)算任務(wù)的概述：
NO
工具箱
主要功能
1
Simulink
Simulink可以用于建立和仿真半導(dǎo)體器件的動態(tài)模型，如晶體管、二極管、集成電路等。它還可以進(jìn)行電路分析、參數(shù)優(yōu)化和系統(tǒng)級仿真等任務(wù)
2
Simscape Electronics
該工具箱是Simulink的擴(kuò)展工具箱，專門用于建立和模擬電子電路和半導(dǎo)體器件。它提供了各種電子元件的建模組件，如晶體管、二極管、集成電路等，并支持電路分析和仿真
3
RF Toolbox
該工具箱用于射頻（RF）和微波電路的建模和分析。在半導(dǎo)體方面，它可以用于射頻器件和電路的設(shè)計(jì)、分析和優(yōu)化，如射頻放大器、混頻器、濾波器等
4
Semiconductor Devices
該工具箱提供了半導(dǎo)體器件的建模和仿真功能，包括晶體管、二極管、MOSFET等。它支持靜態(tài)和動態(tài)行為的分析，如DC特性、AC特性和噪聲分析等
5
Optimization Toolbox
該工具箱提供了各種優(yōu)化算法，用于半導(dǎo)體器件和電路的參數(shù)優(yōu)化、設(shè)計(jì)優(yōu)化和性能優(yōu)化。它可以幫助優(yōu)化器在給定約束下找到最佳解
大部分半導(dǎo)體計(jì)算任務(wù)可以基于CPU進(jìn)行計(jì)算，特別是對于半導(dǎo)體器件的建模、電路分析和優(yōu)化等任務(wù)，單核計(jì)算足以滿足需求。
展開 大功率半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀及其進(jìn)展
摘要：介紹了現(xiàn)代硅基大功率半導(dǎo)體器件的歷史演變和新型器件結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展，以及寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的現(xiàn)狀；闡述了國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展和應(yīng)用現(xiàn)狀；最后討論了大功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢。
0 引言
經(jīng)過 60 余年的技術(shù)發(fā)展，大功率半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)開發(fā)出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復(fù)合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉(zhuǎn)換，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉(zhuǎn)換效率為主要的技術(shù)發(fā)展方向 [1-2] 。
功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展不斷推動著能源技術(shù)和軌道牽引傳動技術(shù)的發(fā)展。1957 年晶閘管的發(fā)明使得牽引傳動技術(shù)進(jìn)入電力電子技術(shù)時(shí)代 [1]，晶閘管的誕生促進(jìn)了交直傳動技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機(jī)車問世，同時(shí)全球也興起了單相工頻交流電網(wǎng)電氣化的高潮。20 世紀(jì) 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關(guān)斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現(xiàn)和微機(jī)控制技術(shù)的發(fā)展，推動了交流傳動技術(shù)逐步取代交直傳動技術(shù)。20 世紀(jì) 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術(shù)的成熟，交流傳動功率開關(guān)器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。
展開 一文了解大功率半導(dǎo)體技術(shù)歷史進(jìn)程與現(xiàn)狀
摘要：介紹了現(xiàn)代硅基大功率半導(dǎo)體器件的歷史演變和新型器件結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展，以及寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件的現(xiàn)狀；闡述了國內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領(lǐng)域的研發(fā)進(jìn)展和應(yīng)用現(xiàn)狀；最后討論了大功率半導(dǎo)體技術(shù)面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢。
關(guān)鍵詞：功率半導(dǎo)體器件；硅材料；晶閘管；門極可關(guān)斷晶閘管；集成門極換流晶閘管；絕緣柵雙極晶體管；金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管；寬禁帶
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引言
經(jīng)過 60 余年的技術(shù)發(fā)展，大功率半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)開發(fā)出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復(fù)合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉(zhuǎn)換，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉(zhuǎn)換效率為主要的技術(shù)發(fā)展方向。
功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展不斷推動著能源技術(shù)和軌道牽引傳動技術(shù)的發(fā)展。1957 年晶閘管的發(fā)明使得牽引傳動技術(shù)進(jìn)入電力電子技術(shù)時(shí)代，晶閘管的誕生促進(jìn)了交直傳動技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機(jī)車問世，同時(shí)全球也興起了單相工頻交流電網(wǎng)電氣化的高潮。20 世紀(jì) 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關(guān)斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現(xiàn)和微機(jī)控制技術(shù)的發(fā)展，推動了交流傳動技術(shù)逐步取代交直傳動技術(shù)。20 世紀(jì) 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術(shù)的成熟，交流傳動功率開關(guān)器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。
展開 高效預(yù)測半導(dǎo)體器件使用壽命
電力電子元器件已經(jīng)成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中重要的組成部件，同時(shí)，元器件的熱性能將大大影響整體設(shè)備的可靠性。庭田科技提供的POWERTESTER測試平臺，在不破壞待測器件的前提下，僅需三步，即可高效安全的測試IGBT、硅和碳化硅MOSFET、二極管等半導(dǎo)體器件的使用壽命及熱可靠性。
第一步：將待測器件與POWERTESTER連接，輸入相關(guān)參數(shù)，校準(zhǔn)K系數(shù)（溫度敏感因子）
第二步：通過測試平臺內(nèi)置的觸摸屏電腦，設(shè)置待測器件的循環(huán)策略，啟動設(shè)備，進(jìn)行全自動熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測試
第三步：數(shù)據(jù)分析（支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出，進(jìn)行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等）
?點(diǎn)擊觀看產(chǎn)品操作視頻 ?
【視頻介紹】
本視頻介紹了Simcenter POWERTESTER 1800A 12C 12V 產(chǎn)品的操作流程。產(chǎn)品用于功率半導(dǎo)體熱可靠性和壽命測試。在功率循環(huán)期間，基于熱瞬態(tài)測量的結(jié)構(gòu)函數(shù)進(jìn)行采樣，以識別封裝熱結(jié)構(gòu)的退化和故障根源。
根據(jù)客戶需求，庭田科技將提供更多型號的選擇。如需了解更多產(chǎn)品信息，請聯(lián)系我們：
全國咨詢熱線：400-633-6258.
長按識別下方二維碼，查看POWERTESTER產(chǎn)品信息。
如需咨詢更多解決方案，請識別下方二維碼，填寫相關(guān)信息，我們將盡快與您聯(lián)系。
展開 功率半導(dǎo)體宏微科技IPO過會
據(jù)招股書顯示，宏微科技擬募集資金55750.36萬元，此次募集的資金將用于新型電力半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)基地、研發(fā)中心建設(shè)、償還銀行貸款及補(bǔ)充流動資金等項(xiàng)目。
公開資料顯示，宏微科技成立于2006年，總部位于江蘇省常州市，主要從事以IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管、模塊和電源模組的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品主要應(yīng)用于工業(yè)控制，如變頻器、逆變電焊機(jī)、UPS電源等；新能源發(fā)電，如光伏逆變器、SVG（靜止無功補(bǔ)償器）、APF（有源電力濾波器）等；新能源汽車（充電樁）；白色家電，如空調(diào)、電冰箱、微波爐等領(lǐng)域。
據(jù)了解，宏微科技自成立以來，始終以“成為提供功率半導(dǎo)體器件解決方案的專家”為宗旨，專注于功率半導(dǎo)體器件的領(lǐng)域的研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新。宏微科技依靠自身技術(shù)、工藝、人才、管理等優(yōu)勢的長期積累，成功實(shí)現(xiàn)了IGBT、FRED等功率半導(dǎo)體器件（涵蓋芯片、單管、模塊及電源模組）的全產(chǎn)品鏈布局。宏微科技依托良好的技術(shù)優(yōu)勢及敏銳的市場洞悉能力，通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品外延等手段不斷延伸產(chǎn)品線，擴(kuò)大產(chǎn)品系列。同時(shí)，為了解決客戶的痛點(diǎn)并提高客戶的市場競爭力，宏微科技在標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，與客戶深度合作開發(fā)定制產(chǎn)品。宏微科技目前已成為國內(nèi)少數(shù)具備功率半導(dǎo)體模塊定制化能力的企業(yè)之一。
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電力電子器件可靠性之熱設(shè)計(jì)交流會
基于此，為幫助高校及國內(nèi)科研單位提升電子產(chǎn)品熱設(shè)計(jì)水平，?；萍紝⒙?lián)合Mentor Graphics公司共同舉辦“電力電子器件可靠性之熱設(shè)計(jì)交流會”，本次活動于2016年5月27日在北京開幕，誠邀您參加。
本次活動中，您將有機(jī)會與多位散熱專家共同探討熱仿真、熱測試相關(guān)話題；了解半導(dǎo)體器件的熱瞬態(tài)測試方法、半導(dǎo)體器件的功率循環(huán)及壽命預(yù)測、電子器件進(jìn)行計(jì)算模型的校準(zhǔn)等相關(guān)技術(shù)；并有機(jī)會親自參觀體驗(yàn)先進(jìn)的半導(dǎo)體器件熱特性測試儀器T3Ster。
報(bào)名請點(diǎn)擊：https://jinshuju.net/f/FqmKbghttps://jinshuju.net/f/FqmKbg
專家介紹
Andras Vass-Varnai：布達(dá)佩斯技術(shù)與經(jīng)濟(jì)大學(xué)電氣工程專業(yè)博士，2007年加入MicRed團(tuán)隊(duì)，擔(dān)任歐盟資助的 NANOPACK 項(xiàng)目技術(shù)主管，開發(fā)出DynTIM產(chǎn)品。在工業(yè)級功率循環(huán)測試系統(tǒng)PWT1500A（Power Tester 1500A）的設(shè)計(jì)和推廣中有深刻研究。2015年榮升為高級產(chǎn)品經(jīng)理負(fù)責(zé)熱測試的相關(guān)研究。他的主要研究領(lǐng)域包括電子設(shè)備的熱管理、熱瞬態(tài)測試的高級應(yīng)用、TIM材料的屬性、高功率半導(dǎo)體器件的可靠性研究，在國際上發(fā)表相關(guān)文章30多篇。
許欽淳：博士，Mentor Graphics MAD（機(jī)械分析部）高級應(yīng)用工程師，工作地點(diǎn)臺灣。2008年獲得臺灣淡江大學(xué)機(jī)械專業(yè)博士學(xué)位。研究方向?yàn)闊峁芾恚瞄L電子冷卻、熱管、兩相流和流體機(jī)械。在T3Ster熱瞬態(tài)測試設(shè)備和熱管理方面，擁有多年研究經(jīng)驗(yàn)。
羅曉川：碩士，?；萍紵嵩O(shè)計(jì)工程師，具有多年電子散熱CFD仿真及測試經(jīng)驗(yàn)，負(fù)責(zé)熱設(shè)計(jì)相關(guān)咨詢項(xiàng)目及產(chǎn)品的技術(shù)支持，熟練使用FloTHERM\FloEFD \Fluent等電子熱設(shè)計(jì)軟件，T3Ster、PWT等熱瞬態(tài)測試工具。
展開 一文讀懂半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量的意義與挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量的意義與挑戰(zhàn)
半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量是半導(dǎo)體制造和研發(fā)過程中至關(guān)重要的一環(huán)。它不僅可以提供制造工藝的反饋和優(yōu)化依據(jù)，還可以保證半導(dǎo)體器件的性能和質(zhì)量。在這個(gè)領(lǐng)域里，測量的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性是關(guān)鍵。
半導(dǎo)體器件通常是由多層薄膜組成，每一層的厚度都對器件的功能和性能有著直接的影響。只有準(zhǔn)確測量每一層的厚度，才能保證半導(dǎo)體器件的性能符合設(shè)計(jì)要求。此外，形貌測量還可以提供制造工藝的反饋信息，幫助工程師優(yōu)化制造工藝，提高生產(chǎn)效率和器件可靠性。
然而，半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量的精度要求非常高。由于半導(dǎo)體器件的特殊性，每一層的厚度通常在納米級別，甚至更小。因此，測量設(shè)備和技術(shù)必須具備高精度和高分辨率的特點(diǎn)，才能滿足測量需求。而且測量的速度也是一個(gè)難題。由于半導(dǎo)體制造通常是大規(guī)模批量進(jìn)行的，因此，測量設(shè)備和技術(shù)必須能夠在短時(shí)間內(nèi)完成對多個(gè)晶圓的測量，否則將成為制造過程的瓶頸。
半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量還面臨著表面反射、多層結(jié)構(gòu)、透明層等特殊材料和結(jié)構(gòu)的干擾。這些干擾因素可能會導(dǎo)致測量結(jié)果的不準(zhǔn)確甚至錯(cuò)誤。因此，需要開發(fā)出能夠針對不同材料和結(jié)構(gòu)進(jìn)行測量的算法和技術(shù)，以提高測量的準(zhǔn)確性和可靠性。
半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量設(shè)備有哪些？
為了解決上述挑戰(zhàn)，中圖儀器科研人員和工程師們不斷推動著半導(dǎo)體晶圓形貌厚度測量技術(shù)的發(fā)展。他們不斷改進(jìn)和創(chuàng)新測量設(shè)備，提高測量的精度和速度。同時(shí)，他們也不斷完善測量算法和技術(shù)，以應(yīng)對不同材料和結(jié)構(gòu)的測量需求。這些努力不僅有助于提高半導(dǎo)體器件的制造質(zhì)量和性能，還為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展提供了有力支撐。
展開 英飛凌采訪：第三代半導(dǎo)體與硅器件將長期共存
英飛凌還宣布，將投資20多億歐元在居林建立一個(gè)廠區(qū)，主要生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體。我們還將繼續(xù)擴(kuò)大菲拉赫的產(chǎn)能。
2018年，英飛凌戰(zhàn)略性地收購了Siltectra公司的晶圓和晶錠切割技術(shù)，通過大幅減少SiC生產(chǎn)過程中的原材料損耗來提高產(chǎn)出，從而提升了我們的競爭優(yōu)勢。
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這您認(rèn)為隨著成本的下降，未來GaN在中低功率領(lǐng)域能否完全替代二極管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件？在功率器件的工藝上第三代半導(dǎo)體帶來了哪些改變？
至少在可見的將來，第三代半導(dǎo)體不會完全取代第一代半導(dǎo)體。因?yàn)閺男詢r(jià)比的角度來說，在非常寬的應(yīng)用范圍中，硅基半導(dǎo)體目前依然是不二之選。第三代半導(dǎo)體目前在商業(yè)化上的瓶頸就是成本很高，雖然在迅速下降，但依然遠(yuǎn)高于硅基半導(dǎo)體。
當(dāng)然，我們可能在市面上看到一些定價(jià)接近硅基半導(dǎo)體的第三代半導(dǎo)體器件，但并不代表它的成本就接近硅基半導(dǎo)體，那是一種商業(yè)行為，就是通過低定價(jià)來催生這個(gè)市場。以目前的工藝來講，第三代半導(dǎo)體的成本還是遠(yuǎn)高于硅基半導(dǎo)體。
在可預(yù)見的將來，基本上硅基半導(dǎo)體還是會占據(jù)大部分市場。碳化硅主要用在高功率、高電壓的場景。氮化鎵則主要是用在追求超高頻率的場景，手機(jī)快充就是一個(gè)很顯著的例子。
展開 2026深圳國際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會
展示范圍：
主動元器件：MCU、模擬/數(shù)字IC、電源IC、存儲器、FPGA、嵌入式系統(tǒng)等
被動元器件：電容、電阻、電感、繼電器、開關(guān)/連接器、線束等
車規(guī)元器件：計(jì)算控制芯片、功率半導(dǎo)體、傳感器、通信芯片等
感謝您對本屆展會的參會和支持，謹(jǐn)祝參展成功！
