半導(dǎo)體器件仿真
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時間：2022-05-26
半導(dǎo)體器件仿真的視頻教程
半導(dǎo)體器件的功率循環(huán)及熱可靠性測試
本視頻介紹了半導(dǎo)體器件的功率循環(huán)及熱可靠性測試流程。 第一步：將待測器件與POWERTESTER連接，輸入相關(guān)參數(shù)，校準(zhǔn)K系數(shù)（溫度敏感因子） 第二步：通過測試平臺內(nèi)置的觸摸屏電腦，設(shè)置待測器件的循環(huán)策略，啟動設(shè)備，進行全自動熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測試 第三步：數(shù)據(jù)分析（支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出，進行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等）
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Ansys Lumerical光子集成電路PIC 有源器件的設(shè)計與仿真
在加入Lumerical之前，他有多年光學(xué)仿真工具使用經(jīng)驗，并曾于日本IBM研究所、臺灣TSMC、荷蘭ASML等公司之研發(fā)部門任職，從事硅光元件、微影制程、以及極紫外光刻機開發(fā)。 更多視頻請關(guān)注Ansys數(shù)字資源中心：https://v.ansys.com.cn
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基于icepack的電子元器件散熱仿真分析與優(yōu)化，視頻免費無聲音，操作細(xì)致，提供附件（需購買）練習(xí)。
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半導(dǎo)體器件仿真的實例教程
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我想仿真一個垂直溝道的三極管可以用什么軟件啊，ansys可以嘛
而美國半導(dǎo)體巨頭安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor）也將以車載半導(dǎo)體為中心，擴充功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。
中國的比亞迪也在日前表示，明年會將其IGBT的產(chǎn)能從現(xiàn)在的5萬片提升到十萬片左右。
順便說一下，IGBT的歷史并不是很久遠(yuǎn)。1990年左右進入市場，最初并未成為人們的話題。登場的契機居然是因為用在了豐田的混合動力車--“PRIUS-普銳斯”上，自那以后，開始逐漸推廣用于汽車上。
SiC功率器件以電動車為中心，擴展用途
以IGBT為“主角”功率半導(dǎo)體市場很活躍，SiC功率半導(dǎo)體也相當(dāng)備受矚目。Band gap（禁帶寬度）比硅（1.12）高3.26，熱傳導(dǎo)率也比硅（1.5）高4.9。在周波特性方面也很突出，在對應(yīng)高電壓方面也實現(xiàn)了1,200V以上。可以說，對于高電壓、高電流應(yīng)用方面是最合適的功率器件。
據(jù)中村先生說，“羅姆公司在本田的Clarity（一款氫燃料電池電動車）上搭載了SiC功率器件，它是世界首次用Full SiC驅(qū)動的燃料電池車，由于具有高溫條件下動作和低損耗特點，可以縮小用于冷卻的散熱片，通過高頻切換也實現(xiàn)了電抗器的小型化。為此，擴大了內(nèi)部空間，豐田的燃料電池車MIRAI可以坐4個人，本田的Clarity實現(xiàn)了5人座”。
SiC功率器件的目標(biāo)市場是EV、混合動力車、燃料電池車等電動車。最近也開始用于功率調(diào)節(jié)器（power conditioner）、工業(yè)機器的電源等方面。成本方面相當(dāng)具有優(yōu)越性。也開始搭載在鐵道上，JR的新干線N700系列等已經(jīng)使用，但是只采用了三菱電機公司的Full SiC。富士電機、日立制作所、東芝等公司還沒有實現(xiàn)Full。
德國英飛凌同樣是SiC市場一個重磅玩家。
展開 1 高效能半導(dǎo)體器件研究進展
1.1寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵射頻器件
由于纖鋅礦結(jié)構(gòu)的GaN材料具備很強的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，使其在AlGaN/GaN界面會形成高電子遷移率的二維電子氣(
2DEG
)，2DEG導(dǎo)電能力遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件導(dǎo)電溝道，這也是GaN器件能夠?qū)崿F(xiàn)高頻高功率的原因。
目前在材料方面，國內(nèi)GaN，SiC的材料生長已實現(xiàn)國產(chǎn)化，這為我國第三代半導(dǎo)體器件的發(fā)展奠定了良好的基礎(chǔ)。在器件方面，國內(nèi)也取得了非常好的進展，一大批高性能GaN器件從實驗室、研究所走出，開啟第三代半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。
西安電子科技大學(xué)開展了面向5G的C波段的GaN大功率射頻器件的研究，如圖2，在頻率為5GHz，Vd為28V時進行三次諧波調(diào)制研究，連續(xù)波工作狀態(tài)下，器件的功率附加效率到達(dá)了目前國際最高指標(biāo)85.16%，且功率密度為7.0W/mm，功率增益為14.9 dB，這也為6G通信的發(fā)展提供了強有力的支撐，為未來毫米波通信奠定了重要的基礎(chǔ)。
1.2 超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料與器件
寬禁帶半導(dǎo)體材料已經(jīng)能較好支撐高效能半導(dǎo)體器件的發(fā)展。近幾年來，學(xué)術(shù)界正在發(fā)展超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵，Ga2O3具有4.8eV的禁帶寬度。超寬禁帶半導(dǎo)體在理論上具備更高的擊穿電壓、更大的功率密度，為高功率、高壓器件的發(fā)展提供了新的思路，讓我們對未來半導(dǎo)體器件的發(fā)展充滿期望。
展開 電力電子元器件已經(jīng)成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中重要的組成部件，同時，元器件的熱性能將大大影響整體設(shè)備的可靠性。庭田科技提供的POWERTESTER測試平臺，在不破壞待測器件的前提下，僅需三步，即可高效安全的測試IGBT、硅和碳化硅MOSFET、二極管等半導(dǎo)體器件的使用壽命及熱可靠性。
第一步：將待測器件與POWERTESTER連接，輸入相關(guān)參數(shù)，校準(zhǔn)K系數(shù)（溫度敏感因子）
第二步：通過測試平臺內(nèi)置的觸摸屏電腦，設(shè)置待測器件的循環(huán)策略，啟動設(shè)備，進行全自動熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測試
第三步：數(shù)據(jù)分析（支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出，進行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等）
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【視頻介紹】
本視頻介紹了Simcenter POWERTESTER 1800A 12C 12V 產(chǎn)品的操作流程。產(chǎn)品用于功率半導(dǎo)體熱可靠性和壽命測試。在功率循環(huán)期間，基于熱瞬態(tài)測量的結(jié)構(gòu)函數(shù)進行采樣，以識別封裝熱結(jié)構(gòu)的退化和故障根源。
根據(jù)客戶需求，庭田科技將提供更多型號的選擇。如需了解更多產(chǎn)品信息，請聯(lián)系我們：
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半導(dǎo)體器件仿真的最新內(nèi)容
引言
本文演示了一種將Synopsys OptoCompiler中開發(fā)的無源光子器件版圖導(dǎo)入Lumerical產(chǎn)品進行光路仿真的工作流程。該工作流程利用Ansys Lumerical MODE中的EME（特征模擴展）求解器進行光學(xué)仿真，利用Ansys Lumerical CML Compiler生成緊湊模型，并利用Ansys Lumerical INTERCONNECT進行光子電路設(shè)計和仿真。
本文原刊登于Ansys.com：《Simulation Enables SiC Module Designs at STMicroelectronics》
作者： Christophe Bianchi | Ansys首席技術(shù)專家
編輯整理：張偉偉 | Ansys 高級應(yīng)用工程師
“我們在Mechanical中完成了這一分析，它是一款值得信賴的求解器，對于我們在開發(fā)過程中了解SiC MOSFET
本期是Lumerical系列中無源器件專題-端面耦合器第三期。本期主要展示從設(shè)計端面耦合器，到參數(shù)優(yōu)化以實現(xiàn)模式的最大耦合效率，最后利用端面耦合器的S參數(shù)在INTERCONNECT中生成緊湊模型的整個流程。
引言
集成光子芯片中光的輸入和輸出有兩種常用方法，即通過光柵耦合器或端面耦合器。雖然光柵耦合器為從芯片上的任何位置輸入和輸出光提供了一種非破壞性解決方案，但由于光柵耦合器的色散工作原理
2026深圳國際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會
2026 Shenzhen International Semiconductor and Electronic Components Exhibition
地點：深圳國際會展中心
時間：2026年10月27-29日
主辦單位：
深圳市電子商會
勵展博覽集團
展會介紹：
深圳國際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會由深圳市電子商會及勵展博覽集團聯(lián)合打造
深圳國際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會由深圳市電子商會主辦，專注于集中展示從元件到系統(tǒng)、從設(shè)計到制造的全產(chǎn)業(yè)鏈新產(chǎn)品：半導(dǎo)體、分立器件、功率器件和模塊、開關(guān)及連接技術(shù)、電阻、電容、電感、繼電器、變壓器、電路保護等、顯示、嵌入式系統(tǒng)、汽車電子、PCB領(lǐng)域的前沿技術(shù)、新產(chǎn)品和行業(yè)應(yīng)用解決方案。
深圳國際半導(dǎo)體及電子元器件展覽會已連續(xù)在深圳國際會展中心（寶安）舉行五屆，展會融合了七個電子領(lǐng)域?qū)I(yè)展會
“Ansys 2025 全球仿真大會”仿真應(yīng)用大賽優(yōu)秀作品展示
本屆仿真應(yīng)用大賽最終評選出 30 篇 TOP 優(yōu)秀作品，分別榮獲一、二、三等獎及行業(yè)最佳實踐獎。近 200 位來自汽車、半導(dǎo)體、高科技、能源等行業(yè)的仿真精英參賽，他們以前沿思維與創(chuàng)新實踐，充分展現(xiàn)了仿真技術(shù)的無限潛能。我們將陸續(xù)為大家分享獲獎佳作，帶您一同領(lǐng)略仿真賦能創(chuàng)新的非凡力量，希望用戶能從中汲取靈感
Ansys Lumerical作為業(yè)界領(lǐng)先的光子學(xué)解決方案，擁有完善的Component Level及Circuit Level仿真能力。FDTD被譽為微納光子器件仿真的黃金標(biāo)準(zhǔn)；MODE是面向平面光波導(dǎo)類器件開發(fā)的瑞士軍刀；CHARGE求解載流子的漂移擴散方程和泊松方程，能夠精確模擬半導(dǎo)體器件中的電學(xué)特性；HEAT則專注于器件熱效應(yīng)的分析，能夠準(zhǔn)確計算電致發(fā)熱或光吸收引起的溫升；INTERCONNECT
<p>隨著高速光通信與集成光子學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，行波馬赫曾德調(diào)制器（Travelling Wave Mach-Zehnder Modulator, TW-MZM）因其高帶寬、低驅(qū)動電壓等優(yōu)勢，成為高速光互連系統(tǒng)的核心器件。</p><p>然而，其設(shè)計涉及光波導(dǎo)模式匹配、微波傳輸線阻抗調(diào)諧等多物理場耦合問題的協(xié)同優(yōu)化，傳統(tǒng)設(shè)計方法存在效率低、迭代周期長、跨域協(xié)同難等問題。</p><p>基于此，<strong
<p><strong>無線通信器件</strong>是實現(xiàn)無線通信的基礎(chǔ)，包括<strong style="color: rgb(9, 64, 142);">射頻芯片</strong><strong>、</strong><strong style="color: rgb(9, 64, 142);">功率放大器</strong><strong>、</strong><strong style="color
AR&MR光波導(dǎo)器件的仿真研究
使用光波導(dǎo)元件對“HoloLens 1”型進行建模
本使用案例演示了一個簡單的“HoloLens- 1”型布局設(shè)備的建模，該設(shè)備具有一個能夠以32°×18°視場引導(dǎo)光線的光波導(dǎo)組件。
光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
使用光波導(dǎo)組件及其靈活的區(qū)域定義
