▲ 圖7：樣品A與B的片晶厚度分布 3.2 制備型升溫淋洗分級（P-TREF）：基于結晶能力的物理分離 為進一步分析復雜聚合物體系中的共結晶干擾，中心采用了制備型升溫淋洗分級（P-TREF）系統。該過程將樣品A分離為22個級分，樣品B分離為20個級分。

金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器本質上是一種用作電容器的晶體管，其中柵極是電容器的上極板，漏極和源極連接構成下極板，而柵極的薄氧化層是絕緣層。MOS電容器本身并不是一種廣泛使用的器件，不過，它是MOS晶體管（金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱MOSFET）的組成部分。 MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會改變柵極的耗盡區，從而改變介電屬性，進而改變電容。

舉例來說，光電二極管利用光電效應來檢測光并將其轉換為電信號，光電晶體管利用該效應來放大傳感器和開關中的光信號，而太陽能電池則通過它來直接將太陽光轉化為電能。 光伏效應 光伏效應（Photovoltaic Effect）是指當被光線照射后，電子仍然滯留在材料中，但會處于比自然基態更高的能量狀態。光的能量會導致電子和空穴載流子在半導體結區運動，從而產生電流并傳輸到外部電路。

片上波導可能有多種幾何結構，包括肋形、條形、微帶、負載型、倒肋和光子晶體等。 光子晶體光纖 光子晶體是光波導的一個新興領域，因為它們的行為與其它波導不同。其中，光不是通過波導的折射率來引導，而是通過光子晶體的結構圖案來引導，因為光不能穿過晶體本身。晶體的光子帶隙會阻擋光的某些波長，類似于半導體中的電子帶隙。光子晶體實際上是“光學半導體”。

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因此外部調制器件也可分為電吸收型和折射率改變型，根據能量形式的不同，折射率改變型又可分為：電光調制、熱光調制、聲光調制以及磁光調制。

但現有AR-HUD的PGU技術路線均存在明顯短板： 數字光投影（DLP）技術：被德州儀器壟斷，成本高，且依賴投影燈泡與色輪，系統體積大[2]； 薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）技術：自發光亮度不足（難以滿足日間室外需求），虛像清晰度易受環境光影響[3]； 激光掃描投影：對溫度敏感，穩定性差，不適合車載復雜工況[4]。

此外，混合型TFLN-Si MZMs與相干TFLN MZMs的 值均達≈2.3Vcm。為降低微波損耗，采用容性加載慢波電極，同時保持石英基TFLN平臺的調制效率。據報道在1GHz信號頻率下 值約為2.3V·cm。這些研究中開發的TFLN調制器展現出良好的帶寬潛力。然而TFLN調制器的Vπ·L值被限制在約≈2V·cm。

補充場效應管：晶體管，光耦，光續短期，紅外發射管，紅外接收管，晶閘管，復合晶體管，可控硅等。 線材類：漆包線，電線電纜，光纖線等。 開關類：滑動開關，波動開關，輕觸開關，微動開關，鈕子開關，按鍵開關，直鍵開關，旋轉開關，撥碼開關，薄膜開關等。

顯示器件：數碼管，LED器件，OLED顯示器，LCD液晶顯示器等。?????? 傳感器：霍爾傳感器，溫度傳感器等。? 微波元器件：隔離器，功分器，耦合器，3DB電橋，合路器，衰減器，移相器，諧振器，環形器，混頻器等。????? 補充場效應管：晶體管，光耦，光續短期，紅外發射管，紅外接收管，晶閘管，復合晶體管，可控硅等。