熱阻測(cè)試技術(shù)的案例
熱阻測(cè)試儀在LED照明技術(shù)中的應(yīng)用
熱阻測(cè)試儀在LED照明技術(shù)中的應(yīng)用
半導(dǎo)體技術(shù)在信息技術(shù)飛速發(fā)展中發(fā)揮著重要作用。自1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室的約翰·巴丁、威廉·肖克利、華特·布萊頓三人發(fā)明雙極性晶體管以來(lái)，半導(dǎo)體技術(shù)就成為推動(dòng)電子時(shí)代的原動(dòng)力。隨后的硒晶管和鍺晶管的問(wèn)世標(biāo)志著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入成熟階段，為其產(chǎn)業(yè)化奠定了基礎(chǔ)。半導(dǎo)體技術(shù)的應(yīng)用廣泛涉及軍事、工業(yè)、通信和計(jì)算等各個(gè)領(lǐng)域。
1965年，美國(guó)仙童公司的戈登·摩爾提出了著名的“摩爾定律”，該定律指出半導(dǎo)體器件的集成度將每隔一段時(shí)間翻一番。此后，隨著新材料如砷化鎵和氮化鎵以及新器件的涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)始終遵循著摩爾定律持續(xù)高速發(fā)展，器件工藝尺寸不斷縮小，性能不斷提高。
然而，隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)一步發(fā)展，將半導(dǎo)體應(yīng)用在照明方面的研究取得了很大的成果，而半導(dǎo)體產(chǎn)品具有功耗低、使用壽命長(zhǎng)和響應(yīng)時(shí)間短等眾多優(yōu)勢(shì)和發(fā)展?jié)摿Γ殉尸F(xiàn)逐漸取代傳統(tǒng)照明產(chǎn)品的趨勢(shì)。LED是半導(dǎo)體照明中的關(guān)鍵器件，由于功率越來(lái)越大，大功率LED的耗散功率會(huì)導(dǎo)致LED芯片PN結(jié)溫上升，從而顯著地影響LED的光度、色度和電氣參數(shù)，甚至可能導(dǎo)致器件失效。因此，在LED的整機(jī)、模組應(yīng)用中，如電視模組，會(huì)優(yōu)先考慮熱阻小，結(jié)溫低的LED。與此同時(shí)，整機(jī)模組廠(chǎng)商不僅關(guān)注單個(gè)LED熱阻和結(jié)溫測(cè)量，更關(guān)注的是在整機(jī)或者模組狀態(tài)下內(nèi)部燈條LED的真實(shí)熱阻，以便為模組可靠性設(shè)計(jì)提供有力支撐。
目前，測(cè)量LED熱阻常用且可靠的方法是采用電學(xué)參數(shù)法，其中使用了T3ster設(shè)備。T3Ster是一款先進(jìn)的半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試儀器，可以在幾分鐘內(nèi)提供各類(lèi)封裝的熱特性數(shù)據(jù)。該設(shè)備基于JEDEC的‘StaticMethod’測(cè)試方法（JESD51-1），通過(guò)改變電子器件的輸入功率來(lái)使器件產(chǎn)生溫度變化，從而測(cè)量器件的瞬態(tài)熱特性。
展開(kāi) 精準(zhǔn)洞察熱性能：T3Ster 熱阻測(cè)試儀的強(qiáng)大優(yōu)勢(shì)
同時(shí)，其測(cè)試數(shù)據(jù)能夠用于校準(zhǔn)詳細(xì)的仿真模型，提高熱仿真的準(zhǔn)確性和可靠性，使得工程師在設(shè)計(jì)階段能夠更準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)產(chǎn)品的熱性能，減少設(shè)計(jì)迭代次數(shù)，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間 。
（四）研發(fā)創(chuàng)新
在半導(dǎo)體和電子領(lǐng)域的研發(fā)過(guò)程中，T3ster 可用于研究半導(dǎo)體器件的熱特性，評(píng)估新型封裝材料和結(jié)構(gòu)的熱性能。通過(guò)對(duì)新設(shè)計(jì)和新材料的熱測(cè)試，為技術(shù)創(chuàng)新提供數(shù)據(jù)支持，推動(dòng)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步 。
在半導(dǎo)體和電子設(shè)備行業(yè)對(duì)熱管理要求日益嚴(yán)苛的今天，T3ster 熱阻測(cè)試儀憑借其卓越的測(cè)試性能、廣泛的應(yīng)用范圍和強(qiáng)大的功能，成為熱特性測(cè)試領(lǐng)域的佼佼者。無(wú)論是半導(dǎo)體制造商、電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師，還是科研人員，T3ster 都能為其提供精準(zhǔn)、高效的熱測(cè)試解決方案，助力產(chǎn)品性能提升與技術(shù)創(chuàng)新。
展開(kāi) 探索熱阻測(cè)試儀在半導(dǎo)體器件熱管理中的應(yīng)用與前景
T3Ster產(chǎn)品圖
SimcenterT3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測(cè)試方法，其原理為：
1）首先通過(guò)改變電子器件的功率輸入；
2）通過(guò)測(cè)試設(shè)備TSP（TemperatureSensorParameter熱相關(guān)參數(shù)）測(cè)試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線(xiàn)；
3）對(duì)溫度變化曲線(xiàn)進(jìn)行數(shù)值處理，抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù)；
4）從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)；
關(guān)鍵詞：T3ster,Micred,功率循環(huán)，結(jié)溫測(cè)試，熱阻測(cè)試，結(jié)溫?zé)嶙?em>測(cè)試，半導(dǎo)體熱特性測(cè)試；
參考文獻(xiàn)：
[1] 楊軍偉.半導(dǎo)體器件熱阻測(cè)量結(jié)構(gòu)函數(shù)法優(yōu)化及數(shù)據(jù)處理技術(shù)研究[D].北京工業(yè)大學(xué),2016.
[2] 王超.基于瞬態(tài)溫升技術(shù)多通道系統(tǒng)級(jí)熱阻測(cè)試儀研究與開(kāi)發(fā)[D].北京工業(yè)大學(xué),2017.
[3] 張立,汪新剛,崔福利.使用T3Ster對(duì)宇航電子元器件內(nèi)部熱特性的測(cè)量[J].空間電子技術(shù),2011,8(02):59-64.
[4] 溫存,林偉瀚,周明,等.模組內(nèi)部燈條LED真實(shí)熱阻模擬測(cè)試系統(tǒng)研究與分析[J].電子產(chǎn)品世界,2020,28(12):33-36.
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T3Ster產(chǎn)品圖
SimcenterT3Ster設(shè)備提供了非破壞性的熱測(cè)試方法，其原理為：
1）首先通過(guò)改變電子器件的功率輸入；
2）通過(guò)測(cè)試設(shè)備TSP（TemperatureSensorParameter熱相關(guān)參數(shù)）測(cè)試出電子器件的瞬態(tài)溫度變化曲線(xiàn)；
3）對(duì)溫度變化曲線(xiàn)進(jìn)行數(shù)值處理，抽取出結(jié)構(gòu)函數(shù)；
4）從結(jié)構(gòu)函數(shù)中自動(dòng)分析出熱阻和熱容等熱屬性參數(shù)；
參考文獻(xiàn)：
[1] 楊軍偉.半導(dǎo)體器件熱阻測(cè)量結(jié)構(gòu)函數(shù)法優(yōu)化及數(shù)據(jù)處理技術(shù)研究[D].北京工業(yè)大學(xué),2016.
[2] 王超.基于瞬態(tài)溫升技術(shù)多通道系統(tǒng)級(jí)熱阻測(cè)試儀研究與開(kāi)發(fā)[D].北京工業(yè)大學(xué),2017.
[3] 張立,汪新剛,崔福利.使用T3Ster對(duì)宇航電子元器件內(nèi)部熱特性的測(cè)量[J].空間電子技術(shù),2011,8(02):59-64.
[4] 溫存,林偉瀚,周明,等.模組內(nèi)部燈條LED真實(shí)熱阻模擬測(cè)試系統(tǒng)研究與分析[J].電子產(chǎn)品世界,2020,28(12):33-36.
展開(kāi) 
循能智熱?驗(yàn)極臺(tái)（體現(xiàn)循環(huán)測(cè)試、智能熱分析，以及極致驗(yàn)證的定位）
一、核心功能：全方位覆蓋功率與熱性能測(cè)試
Power Tester 功率循環(huán)及熱測(cè)試平臺(tái)整合了功率循環(huán)與熱性能分析雙重核心能力，為功率半導(dǎo)體器件提供全生命周期可靠性驗(yàn)證。
在功率循環(huán)測(cè)試方面，設(shè)備可對(duì) IGBT、SiC MOSFET、GaN 等器件施加 0-6000A 寬范圍周期性電流負(fù)載，模擬從常溫到 200℃的極端工況，支持恒定電流、結(jié)溫差（ΔTj）、殼溫差（ΔTc）等多種循環(huán)模式，精準(zhǔn)復(fù)現(xiàn)新能源汽車(chē)電機(jī)控制器、風(fēng)電變流器等場(chǎng)景的高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)力。
熱測(cè)試功能則通過(guò)瞬態(tài)熱阻測(cè)試技術(shù)，實(shí)時(shí)采集器件從芯片到散熱系統(tǒng)的溫度響應(yīng)曲線(xiàn)，結(jié)合結(jié)構(gòu)函數(shù)分析，直觀呈現(xiàn)封裝層間熱阻分布，可快速定位芯片貼裝空洞、鍵合線(xiàn)脫落等熱失效隱患。此外，平臺(tái)支持 12 通道并行測(cè)試，能同步評(píng)估多器件一致性，測(cè)試效率較傳統(tǒng)設(shè)備提升 3 倍以上。
二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：技術(shù)突破與場(chǎng)景適配性
相較于同類(lèi)測(cè)試設(shè)備，Power Tester 的核心優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在三方面：
一是高精度與寬兼容性，電流控制精度達(dá) ±0.5%，溫度測(cè)量誤差≤1℃，兼容 AEC-Q101、JEDEC JESD22-A122 等國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足汽車(chē)電子、工業(yè)控制等多領(lǐng)域嚴(yán)苛要求。
二是智能化測(cè)試流程，搭載 AI 驅(qū)動(dòng)的失效判據(jù)系統(tǒng)，可自動(dòng)識(shí)別器件參數(shù)漂移趨勢(shì)，結(jié)合歷史數(shù)據(jù)庫(kù)預(yù)判壽命拐點(diǎn)，將測(cè)試周期縮短 40%。
三是模塊化擴(kuò)展設(shè)計(jì)，支持熱阻測(cè)試、功率循環(huán)、環(huán)境應(yīng)力（溫濕度、振動(dòng)）等模塊靈活組合，用戶(hù)可根據(jù)需求升級(jí)，降低設(shè)備迭代成本。
展開(kāi) 熱仿真在芯片研發(fā)中的作用及熱阻講解—為什么任正非說(shuō)芯片熱分析是尖端技術(shù)？
某芯片封裝的Rja數(shù)值
Rja熱阻通常包括兩種，一種為將芯片放置于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的密閉測(cè)試機(jī)箱中，芯片通過(guò)自然冷卻進(jìn)行散熱，即外側(cè)風(fēng)速為0，計(jì)算芯片封裝的Rja；另一種為將芯片放置于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的風(fēng)洞中，通過(guò)外界的強(qiáng)迫風(fēng)冷對(duì)芯片進(jìn)行散熱，需要計(jì)算不同風(fēng)速下的芯片Rja熱阻，其中風(fēng)洞垂直距離h應(yīng)該大于測(cè)試電路板流向長(zhǎng)度L的2倍，即h>2L。
封裝Rja熱阻（自然冷卻）模型示意圖
封裝Rja熱阻（強(qiáng)迫風(fēng)冷）模型示意圖
芯片Rja熱阻的計(jì)算公式如下所示：
Rja=（Tj-Ta）/P
Rja表示芯片結(jié)點(diǎn)Junction至環(huán)境空氣的熱阻，℃/W；
Tj表示芯片Die的最高溫度，℃；
Ta表示環(huán)境的空氣溫度，℃；
P表示芯片Die的熱耗，W；Tj、Ta測(cè)量點(diǎn)示意圖如下圖所示。
Tj、Ta測(cè)量點(diǎn)示意圖
進(jìn)行Rja計(jì)算時(shí)，芯片務(wù)必放置于電路板上，當(dāng)芯片封裝的尺寸小于27mm時(shí)，測(cè)試電路板的尺寸如下左圖所示；當(dāng)芯片封裝尺寸大于等于27mm時(shí)，測(cè)試電路板的尺寸如下右圖所示。
芯片尺寸小于27mm 、芯片尺寸大于等于27mm
芯片封裝的Rjc熱阻，表示芯片封裝的結(jié)點(diǎn)Die至芯片管殼Case頂部的熱阻。將芯片封裝放置于四周絕熱的環(huán)境中，芯片封裝僅僅通過(guò)管殼的頂部與外接環(huán)境進(jìn)行換熱，恒定的換熱系數(shù)為25w/k.m2。Rjc測(cè)試的示意圖如下圖所示。
Rjc熱阻測(cè)試示意圖
Rjc的計(jì)算公式為：
Rjc=（Tj-T_c）/P
Tj表示芯片Die的最高溫度，℃；
Tc表示芯片管殼Case的最高溫度，℃；
P表示芯片Die的熱耗，W。
展開(kāi) 鉸鏈測(cè)試：從技術(shù)突破到市場(chǎng)浪潮，測(cè)試技術(shù)護(hù)航折疊時(shí)代
例如，疲勞強(qiáng)度測(cè)試會(huì)通過(guò)不斷施加應(yīng)力，觀察材料在反復(fù)受力情況下的表現(xiàn)，驗(yàn)證其是否能達(dá)到 2000MPa 的疲勞強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)。這些測(cè)試不僅是對(duì)鉸鏈本身的考驗(yàn)，也是對(duì)材料、工藝的全面檢驗(yàn)，只有通過(guò)了這些嚴(yán)格測(cè)試的鉸鏈，才能被應(yīng)用到折疊屏手機(jī)上。
產(chǎn)品型號(hào)：
常溫常濕動(dòng)態(tài)彎折試驗(yàn)機(jī)WH-1711-4
產(chǎn)品特點(diǎn)：1、可調(diào)翻合角度；2、翻合速度可根據(jù)需求自行設(shè)置；3、觸摸屏可直接輸入測(cè)試參數(shù)和顯示測(cè)試數(shù)據(jù)；4、有安全防護(hù)罩，可保護(hù)操作安全
材料的革新與測(cè)試技術(shù)的進(jìn)步直接推動(dòng)了鉸鏈性能的躍升。從不銹鋼到液態(tài)金屬，從簡(jiǎn)單的折疊測(cè)試到復(fù)雜的多環(huán)境測(cè)試，每一步都讓鉸鏈更加可靠。有測(cè)試顯示，采用液態(tài)金屬組件并經(jīng)過(guò)全面測(cè)試的鉸鏈，在 10 萬(wàn)次開(kāi)合測(cè)試后，性能衰減程度比傳統(tǒng)材料降低 60% 以上，這為折疊屏手機(jī)向 "日常耐用消費(fèi)品" 轉(zhuǎn)型奠定了基礎(chǔ)。
未來(lái)已來(lái)：當(dāng)鉸鏈突破 "物理極限"
折疊屏鉸鏈的進(jìn)化之路，遠(yuǎn)未走到終點(diǎn)。華為 "天工鉸鏈系統(tǒng)" 實(shí)現(xiàn)的雙向彎折，三折疊屏手機(jī)需要的協(xié)同鉸鏈技術(shù)，都在不斷突破物理邊界。未來(lái)，隨著液態(tài)金屬加工工藝的成熟，鉸鏈可能變得更輕薄、更耐用；新材料的出現(xiàn)或許會(huì)讓 "無(wú)折痕" 屏幕成為現(xiàn)實(shí)；而成本的下降，將讓折疊屏手機(jī)從 "高端嘗鮮" 走向 "大眾消費(fèi)"。
在鉸鏈測(cè)試領(lǐng)域，北京沃華慧通測(cè)控技術(shù)有限公司憑借其專(zhuān)業(yè)的測(cè)試方案，為鉸鏈的可靠性提供了有力支撐。該公司針對(duì)折疊屏鉸鏈的特性，設(shè)計(jì)了涵蓋往復(fù)折疊壽命、高低溫環(huán)境適應(yīng)性、沙塵侵蝕抵抗性等多維度的測(cè)試項(xiàng)目，能夠精準(zhǔn)模擬鉸鏈在各種極端工況下的使用狀態(tài)，通過(guò)高精度傳感器實(shí)時(shí)捕捉形變、應(yīng)力、磨損等關(guān)鍵數(shù)據(jù)，為廠(chǎng)商優(yōu)化鉸鏈設(shè)計(jì)、提升材料性能提供了科學(xué)依據(jù)，助力折疊屏鉸鏈技術(shù)向更高耐用性、更優(yōu)用戶(hù)體驗(yàn)邁進(jìn)。
展開(kāi) 2024電子封裝測(cè)試展|2024上海電子封裝測(cè)試展_技術(shù)_材料
為本行業(yè)及上下游行業(yè)提供信息交流，市場(chǎng)開(kāi)拓和經(jīng)營(yíng)決策、產(chǎn)品展示、技術(shù)開(kāi)發(fā)的平臺(tái)，為企事業(yè)單位、科研院所和高等院校搭建橋梁。為更好的推動(dòng)電子封裝測(cè)試業(yè)界交流互動(dòng)，提升電子封裝測(cè)試行業(yè)國(guó)際化水平，“2024中國(guó)(上海)國(guó)際電子封裝測(cè)試展覽會(huì)（CIEPET-2024）”將于 2024年11月18-20日 在上海新國(guó)際博覽中心隆重召開(kāi)。CIEPET-2024 分為展覽會(huì)、高峰論壇和學(xué)術(shù)會(huì)議三大板塊，是電子封裝測(cè)試行業(yè)的年度盛會(huì)，也是電子封裝測(cè)試行業(yè)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)交流合作的綜合性專(zhuān)業(yè)展示平臺(tái)。
如何使用現(xiàn)有測(cè)試技術(shù)測(cè)試TD-LTE
通過(guò)使用信道模擬器，我們可以驗(yàn)證無(wú)線(xiàn)電設(shè)計(jì)和性能，提高測(cè)試覆蓋率，縮短測(cè)試周期，從而在更短的時(shí)間內(nèi)向市場(chǎng)推出更高質(zhì)量的產(chǎn)品。
圖1：具有信道模擬功能的點(diǎn)到多點(diǎn)測(cè)試案例的原理圖，其中到每個(gè)用戶(hù)設(shè)備（UE）都有一個(gè)完全雙向的MIMO信道，它們可真實(shí)地再次創(chuàng)建空中條件。
像TD-LTE中采用的數(shù)據(jù)通信技術(shù)要求很高的系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍和優(yōu)秀的射頻保真度。這些無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)經(jīng)常采用先進(jìn)的數(shù)字調(diào)制技術(shù)來(lái)提高容量。64QAM（正交幅度調(diào)制）就是一個(gè)很好的例子，這種技術(shù)在每個(gè)OFDM副載頻每個(gè)符號(hào)上承載6個(gè)比特。另外，像OFDMA等技術(shù)進(jìn)一步改進(jìn)了系統(tǒng)的操作，支持可擴(kuò)展的容量。這些技術(shù)加上多天線(xiàn)技術(shù)MIMO最終能使系統(tǒng)向移動(dòng)站提供可擴(kuò)展、可靠的容量，匯聚后的下行數(shù)據(jù)速率超過(guò)100Mbps，上行數(shù)據(jù)速率超過(guò) 50Mbps.
但這些性能的提高是有代價(jià)的。更高階的調(diào)制技術(shù)要求更高的動(dòng)態(tài)范圍和線(xiàn)性度。64QAM信號(hào)可能需要超過(guò)20dB的信噪比（SNR）才能取得比目標(biāo)最大誤塊率更好的性能。OFDM系統(tǒng)發(fā)送許多小的副載頻，這將導(dǎo)致瞬時(shí)功率電平發(fā)生很寬范圍的變化；大于10dB的峰值平均功率比（PAPR）并不少見(jiàn)。在移動(dòng)通信中的典型頻選衰落環(huán)境中，某些OFDM副載頻可能會(huì)大幅衰落，有些又不會(huì)，因此進(jìn)一步增加了對(duì)動(dòng)態(tài)范圍的要求。TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)目前用SC-FDMA 實(shí)現(xiàn)上行鏈路，為了減輕深度衰落的影響而進(jìn)行了專(zhuān)門(mén)的設(shè)計(jì)，因此降低了用戶(hù)設(shè)備的功耗。
信道模擬器的輸入動(dòng)態(tài)范圍
在選擇與3GPP TD-LTE設(shè)備一起使用的信道模擬器時(shí)需要考慮與輸入功率有關(guān)的幾個(gè)因素。這些考慮因素包括輸入功率范圍、峰值功率和信噪比余量。
3GPP LTE設(shè)備的發(fā)送信號(hào)可能有非常寬的動(dòng)態(tài)功率范圍。
展開(kāi) 2024電子封裝測(cè)試展|2024上海電子封裝測(cè)試展_技術(shù)_材料_展
為本行業(yè)及上下游行業(yè)提供信息交流，市場(chǎng)開(kāi)拓和經(jīng)營(yíng)決策、產(chǎn)品展示、技術(shù)開(kāi)發(fā)的平臺(tái)，為企事業(yè)單位、科研院所和高等院校搭建橋梁。為更好的推動(dòng)電子封裝測(cè)試業(yè)界交流互動(dòng)，提升電子封裝測(cè)試行業(yè)國(guó)際化水平，“2024中國(guó)(上海)國(guó)際電子封裝測(cè)試展覽會(huì)（CIEPET-2024）”將于 2024年11月18-20日 在上海新國(guó)際博覽中心隆重召開(kāi)。CIEPET-2024 分為展覽會(huì)、高峰論壇和學(xué)術(shù)會(huì)議三大板塊，是電子封裝測(cè)試行業(yè)的年度盛會(huì)，也是電子封裝測(cè)試行業(yè)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)交流合作的綜合性專(zhuān)業(yè)展示平臺(tái)。
C++組件測(cè)試及應(yīng)用 — 基于Tessy的測(cè)試技術(shù)漫談
? 1.1.2 具有層次結(jié)構(gòu)的單元
具有層次結(jié)構(gòu)的多個(gè)單元可以以一種類(lèi)似于單個(gè)單元測(cè)試的方式開(kāi)展，將頂層單元作為測(cè)試對(duì)象，關(guān)注整體功能，被調(diào)用單元看作內(nèi)部實(shí)現(xiàn)，針對(duì)整體的輸入輸出開(kāi)展測(cè)試。
Fig.1 將頂層單元作為測(cè)試對(duì)象的單元層次結(jié)構(gòu)
從技術(shù)角度，這可以通過(guò)不使用樁函數(shù)替換被調(diào)用單元實(shí)現(xiàn)。仍可以像上面那樣將其視為單元測(cè)試，只不過(guò)是更大的單元。
這也可以看作是單元層次結(jié)構(gòu)中的集成測(cè)試，因?yàn)閺哪撤N程度上，它們能正確地一起工作才能通過(guò)測(cè)試。這樣的單元層次結(jié)構(gòu)也能被稱(chēng)為模塊（Module），但是我不想用這個(gè)術(shù)語(yǔ)，因?yàn)檫@可能會(huì)與C/C++程序的源模塊概念混淆。（一個(gè)C源模塊不能直接作為模塊測(cè)試對(duì)象，因?yàn)樗且勒照Z(yǔ)法定義的，而用于模塊測(cè)試的module通常是按照語(yǔ)義定義的。）
多個(gè)單元層次結(jié)構(gòu)的測(cè)試在技術(shù)上與單個(gè)單元測(cè)試非常類(lèi)似，由于當(dāng)前文檔主題是組件測(cè)試，因此進(jìn)一步討論的是功能層次結(jié)構(gòu)的測(cè)試。
? 1.1.3 相互作用且無(wú)時(shí)序關(guān)系的單元
與單元層次結(jié)構(gòu)相反，在接下來(lái)，我們認(rèn)為單元之間不一定具有調(diào)用關(guān)系，然而，我們假設(shè)這些單元相互協(xié)同工作，例如操作公共數(shù)據(jù)以實(shí)現(xiàn)一個(gè)共同目標(biāo)。
眾所周知的抽象數(shù)據(jù)類(lèi)型“棧（stack）”，及其push和pop操作就是一個(gè)很淺顯易明的例子。pop和push操作的測(cè)試是單元測(cè)試，但是仍需要進(jìn)行集成測(cè)試。集成測(cè)試由一系列pop和push操作組成。該測(cè)試用例的輸入由棧的初始內(nèi)容和push操作的參數(shù)值組成，結(jié)果是pop操作的返回值和棧的狀態(tài)。如果push和pop操作可能導(dǎo)致對(duì)單元的額外調(diào)用，例如對(duì)棧溢出/下溢的錯(cuò)誤處理單元的調(diào)用，這些調(diào)用也屬于集成測(cè)試用例的預(yù)期結(jié)果。
展開(kāi) 
汽車(chē)測(cè)試展︱AUTO TECH 2025 廣州國(guó)際汽車(chē)測(cè)試測(cè)量技術(shù)展覽會(huì)
汽車(chē)測(cè)試展︱AUTO TECH 2025 廣州國(guó)際汽車(chē)測(cè)試測(cè)量技術(shù)展覽會(huì)
The China Guangzhou Automotive Test Expo 2025
2025年11月20-22日，專(zhuān)注于華南地區(qū)專(zhuān)業(yè)的汽車(chē)質(zhì)量控制展覽會(huì)，將在廣州保利世貿(mào)博覽館繼續(xù)舉辦。是關(guān)于各種汽車(chē)測(cè)試解決方案的專(zhuān)業(yè)展如汽車(chē)電子測(cè)試、新能源汽車(chē)三電系統(tǒng)測(cè)試、仿真測(cè)試、發(fā)動(dòng)機(jī)測(cè)試、風(fēng)洞測(cè)試、NVH噪聲測(cè)試、材料測(cè)試、環(huán)境測(cè)試、機(jī)加工測(cè)量等，歡迎參加本次展會(huì)幫您迅速擴(kuò)展華南汽車(chē)業(yè)務(wù)。
廣州國(guó)際汽車(chē)測(cè)試測(cè)量技術(shù)展覽會(huì)是 AUTO TECH 2025 華南展專(zhuān)題展之一，將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館盛大舉辦，與汽車(chē)內(nèi)外飾技術(shù)展、汽車(chē)電子技術(shù)展、汽車(chē)輕量化技術(shù)展、汽車(chē)軟件與安全技術(shù)展、智能座艙技術(shù)展以及新能源汽車(chē)技術(shù)展等聯(lián)袂呈現(xiàn)；屆時(shí)將匯集全球500多家領(lǐng)先參展商向廣大汽車(chē)工程師展示先進(jìn)的測(cè)試測(cè)量技術(shù)產(chǎn)品；同時(shí)組委會(huì)邀請(qǐng)諸如廣汽、日產(chǎn)、豐田、本田、比亞迪、特斯拉、小鵬、蔚來(lái)、理想、東風(fēng)、長(zhǎng)安、上汽、吉利、長(zhǎng)城、奇瑞、通用、奔馳、寶馬 、大眾、一汽、博世、大陸、寧德時(shí)代、電裝、德賽西威、華為技術(shù)等汽車(chē)OEM廠(chǎng)商及Tier 1 零部件供應(yīng)商的上萬(wàn)名采購(gòu)、技術(shù)工程師匯聚一堂，參加展會(huì)。
展開(kāi) 電化學(xué)阻抗譜測(cè)試技術(shù)：簡(jiǎn)要回顧和挑戰(zhàn) | 用阻抗譜測(cè)試鎂合金腐蝕速率？
在既有的認(rèn)識(shí)中，電化學(xué)阻抗譜是測(cè)試工作電極電化學(xué)阻抗的利器，在研究中大多采用電化學(xué)阻抗譜分析工作電極電化學(xué)反應(yīng)的阻抗特征，通過(guò)構(gòu)造模擬等效電路分析電極電化學(xué)反應(yīng)的構(gòu)成要素，但是很少有關(guān)于采用電化學(xué)阻抗譜分析電化學(xué)反應(yīng)速率的報(bào)道。本文介紹了采用電化學(xué)阻抗譜測(cè)試工作電極的腐蝕速率，值得閱讀、思考和關(guān)注。
鎂(Mg)及其合金作為研究對(duì)象，在近二十年來(lái)引起了科學(xué)界的極大興趣。從實(shí)用角度來(lái)看，Mg是最輕的結(jié)構(gòu)金屬材料，可以減少燃料消耗，從而減少溫室氣體排放。這些使得它在汽車(chē)和航空航天行業(yè)的應(yīng)用前景良好。此外，鎂合金在臨床應(yīng)用中也常用作可生物降解的植入物。鎂具有良好的生物相容性，是數(shù)百種人體代謝過(guò)程中的重要元素。然而，鎂是最具化學(xué)活性的金屬之一，其耐腐蝕性是限制甚至阻止其在實(shí)際服役條件下使用的關(guān)鍵因素之一。因此，獲得腐蝕速率的定量值對(duì)于鎂合金組織的壽命預(yù)測(cè)和腐蝕防護(hù)能力比較評(píng)估而言，顯得十分重要。
由于許多鎂合金的腐蝕速率值，往往會(huì)隨著暴露時(shí)間而發(fā)生非常顯著的變化，直到達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。因此需要在長(zhǎng)時(shí)間的測(cè)試中測(cè)量這些值。雖然測(cè)量腐蝕速率的常用方法有失重法、析氫法和極化曲線(xiàn)法，但使用電化學(xué)阻抗譜法(EIS)測(cè)定腐蝕速率的方法相對(duì)較少。EIS技術(shù)的非破壞性、高精度，可重復(fù)性，以及對(duì)微小腐蝕速率測(cè)定的可靠性，該技術(shù)似乎最適合于監(jiān)測(cè)腐蝕速率值，且遠(yuǎn)低于其他技術(shù)所測(cè)量的腐蝕速率。
從科學(xué)技術(shù)的角度來(lái)看，用電化學(xué)方法測(cè)量鎂合金腐蝕速率的可實(shí)現(xiàn)性現(xiàn)在是值得懷疑的。許多研究人員通過(guò)EIS或極化曲線(xiàn)計(jì)算出的鎂合金腐蝕速率值，比通過(guò)重量或析氫試驗(yàn)得到的值低2倍，或者更多。這也就更不用說(shuō)，通過(guò)EIS估算的腐蝕速率值與析氫試驗(yàn)之間獲得極好的相關(guān)性研究了。然而，這些研究?jī)H限于腐蝕的初始階段(僅幾個(gè)小時(shí)或一天)。
展開(kāi) 表面處理技術(shù)分享（第八講：一種更科學(xué)的協(xié)同測(cè)試評(píng)估方法（對(duì)比鹽霧和UV測(cè)試））
“陽(yáng)極氧化+氣相沉積”復(fù)合技術(shù)形成多層防護(hù)，綜合性能最優(yōu)。
三、綜合評(píng)價(jià)模型與方法創(chuàng)新
1、貼近真實(shí)環(huán)境的復(fù)合測(cè)試--CCWC試驗(yàn)
循環(huán)鹽霧腐蝕和紫外光加速老化綜合試驗(yàn)（CCWC）由美國(guó)宣威公司開(kāi)發(fā)，又稱(chēng)“Skerry循環(huán)試驗(yàn)”。
流程為：首周8小時(shí)UVA-340照射（60℃）+4小時(shí)冷凝（50℃），次周1小時(shí)鹽霧噴淋+1小時(shí)干燥（35℃），重復(fù)循環(huán)。
SSPC五年測(cè)試驗(yàn)證，其與戶(hù)外海洋暴露結(jié)果相關(guān)系數(shù)達(dá)0.70，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)鹽霧測(cè)試的-0.11，在光澤腐蝕率和形態(tài)上更貼近實(shí)際。
2、整合多因素不確定性的模糊綜合評(píng)價(jià)
基于層次分析法（AHP）與模糊綜合評(píng)價(jià)的三級(jí)指標(biāo)體系，可整合14項(xiàng)定量與12項(xiàng)定性指標(biāo)。
3、加權(quán)評(píng)分與數(shù)學(xué)模型
加權(quán)綜合評(píng)分法需按場(chǎng)景設(shè)定指標(biāo)權(quán)重，沿海燈具側(cè)重鹽霧指標(biāo)，高原燈具側(cè)重UV指標(biāo)。時(shí)間加速系數(shù)（k=t?/t?）、老化動(dòng)力學(xué)（s=s?×e^(-ω×θ×t)）及加速倍數(shù)（AF=T?/T?）模型，可實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室與自然老化結(jié)果的等效轉(zhuǎn)換，為評(píng)價(jià)提供數(shù)學(xué)支撐。
4、國(guó)內(nèi)綜合測(cè)試新基準(zhǔn)
最新發(fā)布的GB/T 2423.65-2024標(biāo)準(zhǔn)，將鹽霧、溫度、濕度、太陽(yáng)輻射動(dòng)態(tài)耦合，模擬復(fù)雜自然環(huán)境。標(biāo)準(zhǔn)明確參數(shù)控制要求（如5%±1%NaCl濃度），引入動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)與在線(xiàn)性能記錄技術(shù)，代表國(guó)內(nèi)綜合試驗(yàn)最高水平，未來(lái)將成為質(zhì)量評(píng)估關(guān)鍵手段。
結(jié)語(yǔ):
鹽霧與UV輻射存在顯著協(xié)同加速效應(yīng)，UV可使金屬腐蝕速率提高2-6倍。可以參考循環(huán)鹽霧-紫外綜合試驗(yàn)（CCWC）和GB/T 2423.65-2024標(biāo)準(zhǔn)落地。
展開(kāi) 喜報(bào) | 譜尼測(cè)試高分通過(guò)軟件信息安全性測(cè)試能力驗(yàn)證 技術(shù)實(shí)力再獲肯定！
譜尼測(cè)試軟件測(cè)評(píng)實(shí)驗(yàn)室以高分通過(guò)能力驗(yàn)證測(cè)試，成績(jī)?cè)趨⑴c能力驗(yàn)證的全國(guó)156家實(shí)驗(yàn)室中名列前茅。
本次能力驗(yàn)證測(cè)試旨在評(píng)估國(guó)家已認(rèn)可的檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室在軟件信息安全性質(zhì)量特性檢測(cè)方面的能力，從而提高該領(lǐng)域檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性和可比性。此次能力驗(yàn)證的結(jié)果，充分肯定了譜尼軟件測(cè)評(píng)實(shí)驗(yàn)室在能力建設(shè)和檢驗(yàn)檢測(cè)人員技術(shù)水平方面的突出表現(xiàn)。同時(shí)，這也是CNAS（中國(guó)合格評(píng)定委員會(huì)）判定實(shí)驗(yàn)室能力的重要技術(shù)依據(jù)。
譜尼測(cè)試一直以來(lái)致力于為軍隊(duì)、政府、各企事業(yè)單位的網(wǎng)絡(luò)信息系統(tǒng)建設(shè)提供公正、專(zhuān)業(yè)的第三方軟件測(cè)評(píng)及網(wǎng)絡(luò)安全服務(wù)。憑借現(xiàn)代化的測(cè)試平臺(tái)、多年的行業(yè)積淀和專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，為客戶(hù)節(jié)省測(cè)試成本、提升軟件質(zhì)量和網(wǎng)絡(luò)安全防護(hù)能力。
未來(lái)，譜尼測(cè)試將繼續(xù)深耕軟件測(cè)評(píng)和網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域，不斷提升自身的技術(shù)實(shí)力和服務(wù)水平，為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)、更專(zhuān)業(yè)的解決方案。同時(shí)，他們也將積極推動(dòng)行業(yè)的發(fā)展，為提升我國(guó)軟件信息安全性質(zhì)量特性檢測(cè)的整體水平做出更大的貢獻(xiàn)。
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