EUV光刻膠的案例
JSR | 收購美國EUV光刻膠初創公司inpria
CINNO Research產業資訊，日本JSR收購了次世代EUV光刻膠初創企業美國inpria。通過此次收購， JSR擴大了EUV 光刻膠布局。隨著半導體精細制程需求而增長的EUV光刻膠市場上，JSR的地位有望進一 步加強。
根據韓媒etnews 報道，JSR宣布收購 inpria 79%的股份。JSR在2017年獲得了inpria 21%的股份，通過 此次追加投資完成了inpria 的100%股份持有。收購工作將于10月底結束。inpria的市值為5.14億美 元。
inpria是開發半導體曝光制程中使用的PR的初創公司。可以畫出超精細電路pattern的EUV需要與傳統制 程不一樣的專用光刻膠。因其技術難度高，一直被日本 JSR、TOK、信越等獨家生產。
inpria開發出了比現有的有機物基礎EUV 光刻膠光吸收率更高的無機物基礎光刻膠，因此在業界備受關 注。三星電子、SK 海力士、TSMC等企業均對inpria進行過投資。
通過此次收購，JSR在EUV光刻膠市場上的影響力將進一步加強。隨著JSR將產品領域從有機物光刻膠擴 大到無機物光刻膠，可以應對新一代EUV 光刻膠市場。
展開 光刻膠g線、i線、KrF、ArF、EUV，到底是在說什么
2019年，東京應化在全球半導體光刻膠市場中獲得多項“第一”，凸顯出行業領導地位。
東京應化在半導體光刻膠領域產品線齊全，g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠、ArF沉浸式、EUV光刻膠、電子光束光刻膠都有產品。
JSR：光刻膠巨頭
JSR成立于1957年，于1979年進入光刻膠領域。JSR的半導體光刻膠全面覆蓋從g線到EUV。目前，JSR技術上處于領先地位，正在研發和銷售適用于5nm及以下制程的EUV光刻膠，以維持和擴大其在先進光刻材料的市場份額。
信越化學：實力強勁的綜合性化工企業
信越化學是日本最大的化工企業，成立于1926年，是最早向海外擴張的日本化工企業。1998年，信越化學實現了光刻膠產品的商用化。光刻膠產品涵蓋了i線、KrF、ArF、EUV，在光刻膠方面全球第二。
展開 三巨頭決戰EUV光刻膠
旋轉過程還通過離心力去除大部分液體，并留下一層薄薄的光刻膠。還進行了稱為預烘烤的過程，以烤干最后一點液體，并在某些情況下以化學方式為即將進行的反應準備光刻膠。
隨后，硅片進入 ASML的光刻工具，然后通過掩模將光線照射到光刻膠上，并在那里引起化學反應。之后，晶圓被送回到東京電子涂布機/顯影工具清洗，使用顯影劑洗掉光刻膠。如果這種光刻膠是正性的，那么曝光的光刻膠會發生反應并變成溶劑，這樣它就可以被洗掉。如果是負的，曝光的光刻膠反應不再是溶劑，未曝光的光刻膠被洗掉。這僅適用于光刻工藝，除此之外還存在其他相關工藝，例如多圖案技術、蝕刻和間隔物，但讓我們今天關注光刻工藝。
上面概述的光刻膠工藝已經出色地工作了幾十年，但它開始遇到重大問題。這與線邊緣粗糙度、靈敏度、分辨率和吞吐量有關。EUV 光刻使用相對于 DUV 而言極短波長的光來轟擊晶圓。較短波長的極紫外光的生成難度要大得多。
EUV 存在吞吐量問題。這個問題主要圍繞一個事實，即相對于DUV，EUV光刻機只有1/14劑量的光子打在晶圓上。因此，必須增加 EUV 中的劑量，這反過來又通過增加曝光時間來降低吞吐量。產能問題導致晶圓產量受到嚴重限制，成本增加。為了最大化吞吐量，劑量被最小化，這會導致與特征保真度相關的各種問題。
一種解決方案是使用更多的機器并從光源上入手，然而EUV光刻機機器極其昂貴，每臺約 1.5 億美元，而且ASML 的產量非常有限。至于增加光源功率，也相當非常困難，ASML 的功率增加路線圖遠不及 EUV 層在新節點上增加的速度。
除了更少的光子暴露在光刻膠上之外，EUV 光刻膠也吸收更少的光子。
展開 三巨頭決戰EUV光刻膠
一種解決方案是使用更多的機器并從光源上入手，然而EUV光刻機機器極其昂貴，每臺約 1.5 億美元，而且ASML 的產量非常有限。至于增加光源功率，也相當非常困難，ASML 的功率增加路線圖遠不及 EUV 層在新節點上增加的速度。
除了更少的光子暴露在光刻膠上之外，EUV 光刻膠也吸收更少的光子。這主要因為光刻膠溶液是光酸產生劑、粘合促進劑和穩定劑的極其精確的混合物。那就意味著如果在過程中出現差錯，會是一個代價高昂的錯誤。2019 年，臺積電的 Fab 14B 光刻膠出現問題，最終給他們帶來高達5.5 億美元的損失。使用 EUV 光刻膠，這種平衡行為更加難以控制，因為特定的混合物會導致吸收更少。對 EUV 的需求以及 1-2 次更少光子和更少吸收的需求相結合，為經典光刻膠行業提供了一個成熟的機會。這就吸引廠商進入干燥抗蝕劑（dry resist）市場。
Lam Research 正試圖成為當中的攪局者。他們將使用化學氣相沉積工藝在金屬光刻膠上分層，而不是使用旋涂機的濕式光刻膠（wet photoresist ）技術。Lam Research聲稱干式光刻膠技術（dryresist ）與濕式光刻膠相比具有多項優勢。由于是一種密集沉積的金屬（metal），它不會與許多其他化學物質混合。這允許金屬光刻膠僅作為吸收劑。回到吞吐量，這意味著每個晶圓通過和功率降低了 2 倍。每臺 EUV 工具吞吐量幾乎翻倍，這將大大降低成本。
靈敏度并不是唯一的優勢。Lam 的干式光刻膠也是采用干法開發的。在濕顯影中，光刻膠用水或酸洗滌。當光刻膠由于毛細作用力溶解掉時，圖案化的線條和其他特征可能會坍塌。
展開 
光刻膠｜JSR、SK海力士聯合研制DRAM EUV光刻膠
近日，JSR宣布旗下子公司Inpria和SK海力士為了實現EUV用金屬氧化物PR的應用，開展聯合研究
Inpria 是一家公關公司，成立于 2007 年，是從俄勒岡州立大學化學研究中心分拆出來的。在 2017 年收購 21% 的股份后，JSR 去年獲得了 79% 的股份，從而收購了 Inpria。
自2007年成立以來，Inpria一直致力于開發基于金屬的EUV光刻膠。其主要產品主要由氧化錫組成，使用EUV曝光系統實現了世界上最高分辨率。此外，金屬基光刻膠在干蝕刻過程中的圖案轉移性能方面優于傳統光刻膠，非常適合半導體量產工藝。
PR是一種用于半導體曝光工藝的材料。當 PR被施加到晶圓上并暴露在光掩模上所描繪的光線下時，就會雕刻出電路圖案。這個過程就是曝光。
Inpria 的 PR 是一種基于金屬氧化物的無機材料。現有的有機PR是通過化學物質與光發生反應來雕刻圖案，而無機PR是錫系金屬顆粒與光接觸形成電路。在一個簡單的比較中，液體和固體本質上更堅硬。
因此，無機 PR 的光吸收率是有機 PR 的 4 倍。如果光吸收好，則有利于雕刻微電路圖案。因此，被評價為適用于下一代曝光技術EUV。
然而，它尚未用于存儲器制造過程。如果SK海力士通過與Inpria的合作將其商業化，這是存儲器行業的首例。
JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進的節點器件架構。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”
SK海力士表示，“EUV很復雜，需要先進的材料。氧化錫PR將為下一代DRAM提供性能和低成本。”
此前，Lam Research 宣布將為 SK Hynix 提供干式 PR 底層和干式顯影工藝設備。該產品由 Lam Research、荷蘭 ASML 和比利時 iMac 聯合制造。
展開 中國半導體發展指數報告（12.20-12.26）
裝備領域：韓國光刻膠供應商東進半導體（Dongjin Semichem）12月19日宣布，近期已通過了三星電子的EUV PR（光刻膠）可靠性測試（合格）。三星方表示，這款光刻膠為雙方合作研發，它打破韓國EUV光刻膠完全依賴海外供應商的局面，最快有望明年上半年向產線批量供應。
東進半導體在其位于京畿道的華城工廠開發了EUV光刻膠，并在三星電子的華城EUV生產線進行了測試，最終獲得了資格。兩家公司的合作，使得EUV光刻膠能夠以高技術水平快速開發。
光刻膠應用于芯片上，當用半導體曝光設備照射光時，會發生化學反應并改變物理性質，通過用顯影劑沖洗掉PR來繪制微電路，只留下必要的部分。雖然KrF和ArF氟化物工藝的光刻膠在韓國已經大量生產，但沒有能夠繪制更精細電路的EUV光刻膠。這是因為開發非常困難，韓國國內使用的EUV光刻膠大部分是從日本進口的。
2019年日本出臺出口限制措施后，東進半導體開始利用自己的基礎設施，如現有的氟化氬曝光機和比利時半導體研究所（IMEC）的EUV設備，將EUV光刻膠本土化。同時，三星提供了EUV測試環境并且成功提高了光刻膠質量，使其能夠被成功應用。
展開 市場 | 南大光電光刻膠再獲突破，在邏輯芯片55nm節點獲客戶認證
作為光刻環節的重要耗材，光刻膠的質量和性能直接影響集成電路制造產線良率，是集成電路制造的核心材料之一。按照曝光波長不同，光刻膠可分為g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm），ArF（193nm）以及新興的EUV光刻膠5大類。其中，ArF 光刻膠材料可用于90nm-14nm 甚至 7nm 技術節點的集成電路制造工藝，廣泛應用于邏輯芯片、存儲芯片、AI 芯片、5G 芯片和云計算芯片等高端芯片制造。
長期以來，全球高端光刻膠（主要指KrF、ArF和EUV光刻膠）市場被以日本合成橡膠、東京應化、信越化學、富士電子材料等為代表的國外技術壟斷。隨著國內 IC 行業的快速發展以及先進制程工藝的應用，光刻膠的用量持續提升。目前，國內從事高端光刻膠研發和生產的公司主要有南大光電、上海新陽、晶瑞股份、北京科華等。
近日，南大光電公告稱，其控股子公司寧波南大光電自主研發的 ArF 光刻膠產品繼 2020 年 12 月在一家存儲芯片制造企業的 50nm 閃存平臺上通過認證后，近日又在邏輯芯片制造企業 55nm 技術節點的產品上取得了認證突破。
展開 半導體材料簡介─光刻膠
顯示光刻膠用于平板顯示、顯示器、LCD彩色濾波片制作等光刻工藝中，使用的光刻膠品種根據應用工藝不同主要分為TFT-Array光刻膠、彩色和黑色光刻膠等。TFT-Array正性光刻膠主要應用于TFT-LCD或AMOLED制造中的Array段，包括TFT的圖案化光刻膠，保護絕緣層光刻膠，ITO圖案化光刻膠，OLED Array中平坦層光刻膠，OLED中PDL像素層光刻膠和Yocta制程光刻膠。彩色濾光片由玻璃基板、黑色矩陣、顏色層、保護層、ITO導電層等構成，用于實現LCD面板的彩色顯示，彩色光刻膠(RGB)分為紅、綠、藍三原色光刻膠，經過涂抹、曝光、顯影等工序組成了顏色層；黑色光刻膠則用于形成黑色矩陣(Black Matrix)，起到防止漏光的作用。
根據曝光波長的不同，目前市場上應用較多的半導體光刻膠可分為g線、i線、KrF、ArF和EUV 5 種類型。光刻膠波長越短，加工分辨率越高，不同的集成電路工藝在光刻中對應使用不同波長的光源。隨著芯片制程的不斷進步，每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術與之相匹配。g/i 線光刻膠誕生于 20 世紀 80 年代，當時主流制程工藝在 0.8-1.2μm，適用于波長 436nm 的光刻光源。到了 90 年代，制程進步到 0.35-0.5μm，對應波長更短的 365nm 光源。當制程發展到 0.35μm 以下時，g/i 線光刻膠已經無法制程工藝的需求，于是出現了適用于 248nm波長光源的 KrF 光刻膠，以及193 納米波長光源的 ArF光刻膠，兩者均是深紫外光刻膠。EUV（極紫外光）是目前最先進的光刻膠技術，適用波長為13.5nm的紫外光，可用于10nm以下的先進制程，目前僅有ASML集團掌握EUV光刻膠所對應的光刻機技術。
表1.
展開 2022年日本各電子材料廠商增資擴產計劃一覽
不僅在大阪工廠（大阪市此花區）新建ArF液浸光刻膠和EUV光刻膠生產產線，還計劃在旗下子公司東友精密化學的益山工廠（韓國）新建廠房，用于生產ArF液浸光刻膠和EUV光刻膠。大阪工廠的計劃稼動時間為2023年上半年，東友精密化學（韓國）為2024年上半年。
東麗
隨著xEV市場的擴大，用于車載電容（Condenser）的薄膜市場需求增長，因此，東麗在土浦工廠（茨城縣土浦市）增設用于生產“雙軸取向聚丙烯薄膜（Biaxially Oriented Polypropylene Film，OPP） TORAYFAN”的設備，目標是在2022年開始稼動。
中興化成工業
中興化成工業為了擴大醫療和汽車方向的氟樹脂產品生產， 在2021年12月竣工了宇都宮工廠（栃木縣鹿沼市）的新廠房“WEST WING”，計劃今年3月份開始稼動。
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展開 為什么說光刻膠對中國半導體至關重要？
2014年6月，國務院發布的《國家集成電路產業發展推進推進綱要》指出，集成電路產業一直是我國的“卡脖子”問題之一，其中核心耗材半導體光刻膠等產品領域存在明顯“受制于人”的問題。
據公開資料顯示，中國在包括光刻膠、CMP拋光材料、濺射靶材等在內的半導體制造材料上，對外依存度達80％以上，在封裝基板、電鍍液、超純試劑等材料領域則僅實現一小部分國產替代。
光刻膠是集成電路最核心的材料之一，其質量和性能與電子器件良品率、器件性能以及器件可靠性直接相關。
由此，光刻膠行業具有極高的技術、資金和客戶壁壘，長期呈現寡頭壟斷的局面。SEMI數據顯示，2020年，全球光刻膠市場規模達87億美元，前五大廠商占據了將近90％的市場份額，行業集中度極高。
從用途來看，光刻膠主要分為半導體用光刻膠、平板顯示用光刻膠，以及印刷電路板用光刻膠，其中技術門檻最高的當屬用于半導體的光刻膠，其國產化進程也相對較慢。
按技術門檻區分，半導體用光刻膠產品由低端到高端可以分為g線、i線、KrF、ArF和EUV光刻膠。目前，中國大陸僅實現了KrF光刻膠的量產，ArF光刻膠產品仍處于客戶驗證階段或量產供貨前期，而在被美日企業壟斷的高端EUV光刻膠領域的技術儲備幾乎空白。
2021年，日本福島地震導致光刻膠龍頭企業信越化學的產能受限，對部分晶圓廠停止供貨，在全球新增晶圓廠對光刻膠需求旺盛的背景下，光刻膠供應的緊張態勢加劇。
與此同時，晶圓制造材料市場規模穩步提升，中國大陸市場增速居全球前列。據SEMI預測，2021年全球半導體光刻膠及其配套試劑的總體市場規模占比將達12．9％，僅次于硅片和電子特氣。中國大陸市場方面，彤程新材（SH：603650）數據顯示，2025年國內半導體光刻膠市場規模有望達到100億元。
需求端方面，半導體材料的國產化推進也存在諸多利好。
展開 ASML今年將推新一代EUV光刻機，產能為每小時170片
光刻膠方面，要實現大規模量產要求光刻膠的照射反應劑量水平必須不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像，EUV光刻膠的照射劑量普遍需要達到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2劑量水平，250w光源的EUV光刻機每小時吞吐量只能達到90片，顯著低于理想的125片。由于EUV光刻產生的一些光子隨機效應，要想降低光刻膠的照射劑量水平仍需克服一系列挑戰。其中之一是所謂的光子發射噪聲現象。光子是光的基本粒子，成像過程中照射光光子數量的變化會影響EUV光刻膠的性能，因此會產生一些不希望有的成像缺陷，比如：線邊緣粗糙(line-edge roughness:LER)等。
光掩膜版，EUV光刻使用鏡面反射光而不是用透鏡折射光，因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型，改用覆蓋在基體上的硅和鉬層來制作。同時，EUV光刻對光掩膜版的準確度、精密度、復雜度要求比以往更高。當前制作掩膜版普遍使用的可變形狀電子束設備(VSB)，其寫入時間成為最大的挑戰，解決方案之一是采用多束電子束設備。包括IMS公司、NuFlare公司等已在開發相關多束電子束產品，多束電子束設備能夠提高光掩膜版制作效率，降低成本，還有助于提高光掩膜版的良率。未來，大部分EUV光掩膜版仍可以使用可變形狀電子束設備來制作，但是對少數復雜芯片而言，要想保持加工速度，必須使用多束電子束設備。
EUV薄膜，EUV薄膜作為光掩膜的保護層，提供阻隔外界污染的實體屏障，可以防止微塵或揮發氣體污染光掩膜表面，減少光掩膜使用時的清潔和檢驗。阿斯麥公司已經開發出83%透射率的薄膜，在采用245W光源，測試可達到100 片晶圓/時吞吐量，阿斯麥的目標是開發出透射率90%的透明薄膜，可承受300W的EUV光源，實現125片晶圓/時的吞吐量。
展開 
英特爾在7nm將擁抱EUV技術
光刻膠方面，要實現大規模量產要求光刻膠的照射反應劑量水平必須不高于20mJ/cm2。而目前要想得到完美的成像，EUV光刻膠的照射劑量普遍需要達到30-40mJ/cm2。在30mJ/cm2劑量水平，250w光源的EUV光刻機每小時吞吐量只能達到90片，顯著低于理想的125片。由于EUV光刻產生的一些光子隨機效應，要想降低光刻膠的照射劑量水平仍需克服一系列挑戰。其中之一是所謂的光子發射噪聲現象。光子是光的基本粒子，成像過程中照射光光子數量的變化會影響EUV光刻膠的性能，因此會產生一些不希望有的成像缺陷，比如：線邊緣粗糙(line-edge roughness:LER)等。
光掩膜版，EUV光刻使用鏡面反射光而不是用透鏡折射光，因此EUV光刻采用的光掩膜版也需要改成反射型，改用覆蓋在基體上的硅和鉬層來制作。同時，EUV光刻對光掩膜版的準確度、精密度、復雜度要求比以往更高。當前制作掩膜版普遍使用的可變形狀電子束設備(VSB)，其寫入時間成為最大的挑戰，解決方案之一是采用多束電子束設備。包括IMS公司、NuFlare公司等已在開發相關多束電子束產品，多束電子束設備能夠提高光掩膜版制作效率，降低成本，還有助于提高光掩膜版的良率。未來，大部分EUV光掩膜版仍可以使用可變形狀電子束設備來制作，但是對少數復雜芯片而言，要想保持加工速度，必須使用多束電子束設備。
EUV薄膜，EUV薄膜作為光掩膜的保護層，提供阻隔外界污染的實體屏障，可以防止微塵或揮發氣體污染光掩膜表面，減少光掩膜使用時的清潔和檢驗。阿斯麥公司已經開發出83%透射率的薄膜，在采用245W光源，測試可達到100 片晶圓/時吞吐量，阿斯麥的目標是開發出透射率90%的透明薄膜，可承受300W的EUV光源，實現125片晶圓/時的吞吐量。
展開 砥礪前行的國內光刻膠
光刻膠增長強勁：在晶圓制造材料細分市場中，增長最為強勁的是光刻膠和光刻膠配套材料、濕化學品以及CMP拋光材料。據統計，光刻膠和光刻膠配套試劑分別占晶圓制造材料市場的6%和8%。
全球半導體材料市場規模（億美元）：
2020年晶圓制造材料市場結構：
行業趨勢|光刻膠市場結構
變化，EUV增速最快
全球半導體光刻膠市場呈結構性增長，據TECHCET數據顯示，2020年和2021年，用于KrF和ArF i的光刻膠市場較高，而EUV的應用范圍正在從邏輯芯片擴展到DRAM，預計2021年EUV光刻膠市場超過2000萬美元，到2025年將超過2億美元，年復合增速超過50%。然而目前，EUV光刻膠的市場幾乎被日本的TOK、信越化學和JSR三分天下。
半導體光刻膠細分品類應用范圍比較：
半導體光刻膠市場結構變化：
2019--2021年ASML光刻機銷售額結構變化：
業績靚眼|ASML光刻機供不
應求，布局下一代EUV
設備供不應求，預計2022年銷售額將繼續增長20%：
近日，荷蘭光刻機巨頭ASML發布了2021年度財報，實現186.1億歐元銷售收入，同比增長33%；實現凈利潤58.8億歐元，同比增長65.6%。2021年，ASML共交付了42臺EUV光刻機，貢獻營收63億歐元，營收占比33.85%，平均每臺售價1.5億歐元。
展開 ADEKA擴大光刻膠方向光氧化發生劑產能！8月新產線開始稼動
CINNO Research產業資訊，根據日本艾迪科株式會社（以下簡稱為：“ADEKA”）官網近日披露消息稱，千葉新工廠內已引進EUV（極紫外光刻）光刻膠材料一一光氧化發生劑(PAGs)的生產設備，并為新廠房舉辦了完工儀式。為滿足尖端材料的旺盛需求，新產線計劃2023年8月開始稼動。
5G通信的擴大，以及AI、元宇宙等ICT社會（Information Communications Technology，信息通信技術，簡稱為“ICT”）中，半導體發揮著重要作用。為提高半導體處理信息的速度、同時降低其功耗，半導體廠家正通過提高其微縮化來推動高集成化的進程。其中，相當于人腦的邏輯（Logic）半導體的微縮化進步尤其明顯，對新材料的需求也水漲船高。
ADEKA通過為半導體行業提供尖端材料，壯大了其信息?電子化學品事業部的發展。在邏輯半導體應用方向，ADEKA基于出色的光控制技術和金屬管理技術，賦予EUV光刻膠材料一光氧化發生劑“ADEKA ARKLS”系列產品全球第一的性能，并獲得了極佳的銷售業績。隨著半導體微縮化發展，預計對EUV光刻膠的需求也將越來越多，因此ADEKA在2021年8月決定進行設備投資，并投建新廠房。
此次新引進的設備量產后，ADEKA的產能將較以往提升至兩倍多。
展開 光刻膠｜中國市場持續增長！光刻膠巨頭JSR積極擴大在華業務
實際除了透明PI膜，光刻膠材料中也有替代者。皇甫俊介紹：“OLED中也有可用的平坦膜材料，名為PLN。相比傳統的PI材料，它的透過率和平坦性有一定優勢，此外它相對PI材料也更為薄，可以做到5微米以下。”
據皇甫俊表示，目前JSR已經在跟面板企業做這一類型應用的研究和樣品打造，該OLED用平坦膜在透光率具有優勢，而且材料本身生產制造過程更穩定，已具備量產性。
除卻顯示用光刻膠外，以JSR為代表的日本企業在半導體用光刻膠方面也是獨步天下。從整體市場來看，日本企業在光刻膠市場占據七成以上份額，其中JSR社實現了光刻膠產品全覆蓋，是全球光刻膠龍頭廠商。
光刻膠的分辨率會隨著光線頻率的改變而不斷變化，基本的演進路線是：g線（436nm）→i線（365nm）→KrF（248nm）→ArF（193nm）→F2（157nm）→EUV（<13.5nm）。ArF和EUV光刻膠是目前制造難度最高的，這也是14nm/7nm/5nm芯片制造過程中不可或缺的原材料。
JSR（上海）電材DS營銷部統括藤原考一表示，JSR的光刻膠在全球先進的ArF、EUV市場具有較為領先的地位，不僅為中國市場帶來14nm以下的先進技術，還有其他廣泛工藝節點上具有優勢性的技術。此外，JSR在KrF和I-line光刻膠方面也擁有較高的先進技術，可以支持全球市場的需求。
在談到封裝方面，藤原考一也介紹了JSR在封裝用光刻膠方面的進展。目前先進封裝已經朝著精細化的方向發展，其需要面對諸如密封，散熱，絕緣等挑戰，而且也需要更精密的光刻設備與相關的光刻膠材料。
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