PD快充技術(shù)的案例
不同快充方案的技術(shù)對比
相信在蘋果手機(jī)的帶領(lǐng)下，PD快充大一統(tǒng)無疑已是行業(yè)趨勢。
此外，快充領(lǐng)域還有一項(xiàng)新的技術(shù)正在快速的崛起——無線快充技術(shù)。
從iPhone、三星、華為各大手機(jī)對無線充電的支持，再到像愛否科技那樣的硬件廠商也推出了支持快充的無線充電板。有了手機(jī)廠商與硬件廠商的支持，無線快充技術(shù)也很有可能成為未來的主流。
無論是哪種快充技術(shù)，都是奔著解決手機(jī)續(xù)航的問題。我們有理由相信以后的日子，快充技術(shù)會給我們帶來更加安全，更加快速，更加統(tǒng)一的充電體驗(yàn)。
RS瑞森半導(dǎo)體系列產(chǎn)品在PD快充上的應(yīng)用
PD快充，全稱又叫USB-PD，是由USB-IF組織制定的一種快速充電規(guī)范，是目前主流的快充協(xié)議之一，充電接口是以Type-C接口輸出的方式，但不能說有Type-C接口就一定支持USB-PD協(xié)議快充。
手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
一、產(chǎn)品應(yīng)用及優(yōu)勢
PD快充主要廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、多口充電器、車載充電器、移動電源充電器、智能排插等設(shè)備中。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
1、充電速度給力：USB PD功率傳輸協(xié)議下，最高能夠擴(kuò)展為輸出電壓20V，輸出電流高達(dá)5A以上，也就是說電流傳輸可高達(dá)100W以上的大功率；
2、統(tǒng)一方便用戶使用：PD標(biāo)準(zhǔn)可支持5V、9V、12V、15V、20V等多檔電壓，并能夠根據(jù)手機(jī)、平板、筆記本等不同設(shè)備的需求來智能匹配電壓。
展開 GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到最佳匹配。
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗，提升開關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時能提高效率。
一、方案概述：
尺寸設(shè)計：60mm*60mm*30mm
輸出規(guī)格：5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A
輸入電壓：90-264 Vac @ 60/50Hz
輸出接口：USB-PD C型式,A型式
低待機(jī)功耗：空載損耗低于50mW
高效率：輸出20V重載時可達(dá)91.62%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3
供電范圍：二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC
二、芯片特性：
MGZ31N65芯片內(nèi)部集成650V耐壓，250mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵開關(guān)管；內(nèi)置驅(qū)動器以及復(fù)雜的邏輯控制電路;支持輸出過壓保護(hù)，支持變壓器磁飽和保護(hù)，支持芯片供電過壓保護(hù)，支持過載保護(hù)，支持輸出電壓過壓保護(hù)，支持片內(nèi)過熱保護(hù)，支持電流取樣電阻開路保護(hù)，具有低啟動電流。
展開 65W氮化鎵（GaN)充電頭PD快充方案
方案概述：
尺寸設(shè)計：60mm*60mm*30mm
輸出規(guī)格：5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A
輸入電壓：90-264 Vac @ 60/50Hz
輸出接口：USB-PD C型式,A型式
低待機(jī)功耗：空載損耗低于50mW
高效率：輸出20V重載時可達(dá)91.62%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3
供電范圍：二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC
GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V；非常低的QRR；減少交叉損失；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無鹵素要求的包裝。支持2MHz開關(guān)頻率，采用8*8mm QFN封裝，節(jié)省面積。
MGZ31N65芯片內(nèi)部集成650V耐壓，250mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵開關(guān)管；內(nèi)置驅(qū)動器以及復(fù)雜的邏輯控制電路;支持輸出過壓保護(hù)，支持變壓器磁飽和保護(hù)，支持芯片供電過壓保護(hù)，支持過載保護(hù)，支持輸出電壓過壓保護(hù)，支持片內(nèi)過熱保護(hù)，支持電流取樣電阻開路保護(hù)，具有低啟動電流。
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗，提升開關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時能提高效率。
臺灣美祿在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
展開 
MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN
優(yōu)勢:
返馳式谷底偵測減少開關(guān)損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達(dá)93%
空載損耗低于50mW
控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz
系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅(qū)動GaN
進(jìn)階保護(hù)功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護(hù)
(2) 導(dǎo)通時較大峰值電流保護(hù)
(3) 輸出過電壓保護(hù)
(4) 輸出短路保護(hù)
可輸出65W功率
該快充電源廣泛應(yīng)用于：電源適配器、LED照明驅(qū)動器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插等領(lǐng)域。
臺灣美祿在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
展開 四川美闊推出：65W-1A2C接口氮化鎵（GaN)PD快充電源方案
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗，提升開關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時能提高效率。
四川美闊在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
關(guān)注 | 極致小尺寸國內(nèi)首創(chuàng)，基本半導(dǎo)體推出PD快充用碳化硅二極管！
2020年，當(dāng)大部分快充電源廠商還在探索65W氮化鎵快充市場時，倍思開創(chuàng)性地推出了業(yè)界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產(chǎn)品，第一次將“碳化硅快充”從設(shè)想變?yōu)楝F(xiàn)實(shí)，開啟了碳化硅在快充領(lǐng)域商用的大門。
圖1：SMBF封裝碳化硅肖特基二極管
針對PD快充“小輕薄”的特點(diǎn)，碳化硅功率器件領(lǐng)先企業(yè)基本半導(dǎo)體在國內(nèi)率先推出SMBF封裝碳化硅肖特基二極管，該產(chǎn)品具有體積小、正向?qū)▔旱秃涂估擞磕芰?qiáng)等特點(diǎn)，能很好地滿足PD快充對器件的特殊需求。
圖2：基本半導(dǎo)體SMBF封裝碳化硅二極管發(fā)布會
更小體積
在PD這種極度緊湊的應(yīng)用中，PCB面積極其珍貴，超薄型PD快充通常優(yōu)先選擇厚度低于2mm的表貼器件。
展開 