PD快充技術(shù)
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2026-01-04
PD快充技術(shù)的實(shí)例教程
相信在蘋(píng)果手機(jī)的帶領(lǐng)下，PD快充大一統(tǒng)無(wú)疑已是行業(yè)趨勢(shì)。
此外，快充領(lǐng)域還有一項(xiàng)新的技術(shù)正在快速的崛起——無(wú)線快充技術(shù)。
從iPhone、三星、華為各大手機(jī)對(duì)無(wú)線充電的支持，再到像愛(ài)否科技那樣的硬件廠商也推出了支持快充的無(wú)線充電板。有了手機(jī)廠商與硬件廠商的支持，無(wú)線快充技術(shù)也很有可能成為未來(lái)的主流。
無(wú)論是哪種快充技術(shù)，都是奔著解決手機(jī)續(xù)航的問(wèn)題。我們有理由相信以后的日子，快充技術(shù)會(huì)給我們帶來(lái)更加安全，更加快速，更加統(tǒng)一的充電體驗(yàn)。
PD快充，全稱(chēng)又叫USB-PD，是由USB-IF組織制定的一種快速充電規(guī)范，是目前主流的快充協(xié)議之一，充電接口是以Type-C接口輸出的方式，但不能說(shuō)有Type-C接口就一定支持USB-PD協(xié)議快充。
手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
一、產(chǎn)品應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)
PD快充主要廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、多口充電器、車(chē)載充電器、移動(dòng)電源充電器、智能排插等設(shè)備中。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
1、充電速度給力：USB PD功率傳輸協(xié)議下，最高能夠擴(kuò)展為輸出電壓20V，輸出電流高達(dá)5A以上，也就是說(shuō)電流傳輸可高達(dá)100W以上的大功率；
2、統(tǒng)一方便用戶(hù)使用：PD標(biāo)準(zhǔn)可支持5V、9V、12V、15V、20V等多檔電壓，并能夠根據(jù)手機(jī)、平板、筆記本等不同設(shè)備的需求來(lái)智能匹配電壓。
展開(kāi) 近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到最佳匹配。
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。
一、方案概述：
尺寸設(shè)計(jì)：60mm*60mm*30mm
輸出規(guī)格：5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A
輸入電壓：90-264 Vac @ 60/50Hz
輸出接口：USB-PD C型式,A型式
低待機(jī)功耗：空載損耗低于50mW
高效率：輸出20V重載時(shí)可達(dá)91.62%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3
供電范圍：二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC
二、芯片特性：
MGZ31N65芯片內(nèi)部集成650V耐壓，250mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵開(kāi)關(guān)管；內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及復(fù)雜的邏輯控制電路;支持輸出過(guò)壓保護(hù)，支持變壓器磁飽和保護(hù)，支持芯片供電過(guò)壓保護(hù)，支持過(guò)載保護(hù)，支持輸出電壓過(guò)壓保護(hù)，支持片內(nèi)過(guò)熱保護(hù)，支持電流取樣電阻開(kāi)路保護(hù)，具有低啟動(dòng)電流。
展開(kāi) 方案概述：
尺寸設(shè)計(jì)：60mm*60mm*30mm
輸出規(guī)格：5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A
輸入電壓：90-264 Vac @ 60/50Hz
輸出接口：USB-PD C型式,A型式
低待機(jī)功耗：空載損耗低于50mW
高效率：輸出20V重載時(shí)可達(dá)91.62%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3
供電范圍：二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC
GaN/氮化鎵 - MGZ31N65的特性：650V, 6.5A, RDS (on)(typ.)= 250mΩ@VGS = 8V；非常低的QRR；減少交叉損失；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無(wú)鹵素要求的包裝。支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率，采用8*8mm QFN封裝，節(jié)省面積。
MGZ31N65芯片內(nèi)部集成650V耐壓，250mΩ導(dǎo)阻的氮化鎵開(kāi)關(guān)管；內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器以及復(fù)雜的邏輯控制電路;支持輸出過(guò)壓保護(hù)，支持變壓器磁飽和保護(hù)，支持芯片供電過(guò)壓保護(hù)，支持過(guò)載保護(hù)，支持輸出電壓過(guò)壓保護(hù)，支持片內(nèi)過(guò)熱保護(hù)，支持電流取樣電阻開(kāi)路保護(hù)，具有低啟動(dòng)電流。
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。
臺(tái)灣美祿在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹(shù)，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號(hào))
展開(kāi) 優(yōu)勢(shì):
返馳式谷底偵測(cè)減少開(kāi)關(guān)損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達(dá)93%
空載損耗低于50mW
控制IC可支持頻率高達(dá)160 kHz
系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅(qū)動(dòng)GaN
進(jìn)階保護(hù)功能如下：
(1) VDD過(guò)電壓及欠電壓保護(hù)
(2) 導(dǎo)通時(shí)較大峰值電流保護(hù)
(3) 輸出過(guò)電壓保護(hù)
(4) 輸出短路保護(hù)
可輸出65W功率
該快充電源廣泛應(yīng)用于：電源適配器、LED照明驅(qū)動(dòng)器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插等領(lǐng)域。
臺(tái)灣美祿在GaN/氮化鎵領(lǐng)域頗有建樹(shù)，技術(shù)以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術(shù)資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號(hào))
展開(kāi) 
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PD快充技術(shù)的最新內(nèi)容
本電源模塊是65W單一C界面，其輸出電壓由協(xié)議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構(gòu)于輸出20V重載時(shí)可達(dá)93%效率及功率密度可達(dá)1.5W/cm3，本系統(tǒng)采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到較佳匹配
2023年數(shù)碼圈中討論較多的莫過(guò)于65W氮化鎵（GaN）充電頭。65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時(shí)間過(guò)壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。
充電頭的工作原理：是將220v交流電轉(zhuǎn)化為直流電，在通過(guò)變頻的方式，將220V交流電變?yōu)?v直流電，從而為手機(jī)充電
65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時(shí)間過(guò)壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65
PD快充，全稱(chēng)又叫USB-PD，是由USB-IF組織制定的一種快速充電規(guī)范，是目前主流的快充協(xié)議之一，充電接口是以Type-C接口輸出的方式，但不能說(shuō)有Type-C接口就一定支持USB-PD協(xié)議快充。
手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側(cè)控制IC驅(qū)動(dòng)MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側(cè)同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到最佳匹配。
GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗
2020年，當(dāng)大部分快充電源廠商還在探索65W氮化鎵快充市場(chǎng)時(shí)，倍思開(kāi)創(chuàng)性地推出了業(yè)界首款120W氮化鎵+碳化硅快充充電器。也正是這款產(chǎn)品，第一次將“碳化硅快充
PD快充技術(shù)
PD快充技術(shù)是USB的標(biāo)準(zhǔn)化組織推出的一個(gè)快速充電的標(biāo)準(zhǔn)。我們都知道手機(jī)充電都是通過(guò)USB接口充電的，所以USB標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)定必須通過(guò)USB PD協(xié)議來(lái)調(diào)節(jié)電壓和電流。
該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)也得到了谷歌的支持，其規(guī)定必須通過(guò)USB PD協(xié)議才可以使用快充，這樣一個(gè)條款說(shuō)它霸道也不為過(guò)。
不過(guò)，USB PD協(xié)議也帶來(lái)了一個(gè)好處，就是統(tǒng)一了快充的協(xié)議。
