3D NAND技術的案例
英特爾推出Optane + QLC產(chǎn)品組合 加速SSD儲存市場
通過將Optane和QLC 3D NAND這兩種獨有的技術整合到存儲器和儲存解決方案當中，并引領運算技術進入一個新的時代。
英特爾高級副總裁兼非揮發(fā)性存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob Crooke表示：“英特爾Optane和3D NAND技術確保電腦與儲存系統(tǒng)架構師和開發(fā)人員隨時隨地讀取關鍵資料。這兩項技術彌補了正在使用的資料與待讀取資料之間的巨大鴻溝。”
英特爾Optane技術和英特爾QLC 3D NAND技術的結合，能夠加快最常訪問資料的讀取速度，同時利用硬盤快閃存儲器技術的優(yōu)勢實現(xiàn)大型存放區(qū)。英特爾此舉在于打破瓶頸，以更好的解決方案幫助用戶釋放資料的價值。
面向消費端的英特爾SSD 660p和面向資料中心的英特爾SSD D5-P4320是全球首個針對不同應用領域的QLC PCIe 3D NAND SSD，并以極高性價比為客戶提供市場上最高的PCIe面密度。其中，660p在單個驅動器內的儲存空間達到2TB，而P4320則達到8TB（后續(xù)還有更大空間版本），這兩款QLC SSD將有能力取代硬盤。
此外，660p的M.2 80mm規(guī)格相比基于TLC的存儲器提供多達兩倍的容量。在資料中心方面，P4320相比傳統(tǒng)解決方案能夠幫助使用者儲存更多資料，節(jié)省更多空間，實現(xiàn)更多功能。
來源：CTIMES
展開 韓媒：中國半導體的出征
報道稱，清華紫光的子公司長江存儲（YMTC）從7日出席美國《 美國的快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit）》，公開32層、64層3D NAND。YMTC的CEO楊士寧7日做主旨演講，介紹新產(chǎn)品。
YMTC此次公開的NAND當中，32層產(chǎn)品將于2018年下半年進入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層、72層產(chǎn)品。
YMTC透露，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構創(chuàng)新技術X-tacking，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度。
X-tacking架構的細節(jié)
該架構將用于其即將推出的3D NAND閃存芯片。該技術涉及使用兩個晶圓構建NAND芯片：一個晶圓包含基于電荷陷阱架構的實際閃存單元，另一個晶圓采用CMOS邏輯。
傳統(tǒng)上，NAND閃存的制造商使用單一工藝技術在一個芯片上產(chǎn)生存儲器陣列以及NAND邏輯（地址解碼，頁面緩沖器等）。相比之下，長江存儲打算使用不同的工藝技術在兩個不同的晶圓上制作NAND陣列和NAND邏輯，然后將兩個晶圓粘合在一起，使用一個額外的工藝步驟通過金屬通孔將存儲器陣列連接到邏輯。
Xtacking架構旨在使NAND獲得超快的I/O接口速度，同時最大化其內存陣列的密度。
長江存儲表示，其64層3D NAND芯片的I/O接口速度為3Gbps，比三星最新的V-NAND快兩倍，比主流3D NAND快三倍。
從理論上講，高I/O性能將使SSD供應商能夠只用較少的NAND通道制作低容量SSD而不會影響性能，從而抵消了高傳輸率的低并行性。
展開 長江存儲推出全新3D NAND架構：Xtacking?
作為NAND行業(yè)的新晉者，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱：長江存儲）公開發(fā)布其突破性技術——Xtacking?。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。
圖片來源：長江存儲官網(wǎng)
采用Xtacking?，可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。
當兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
業(yè)內知名人士Gregory Wong認為：“隨著3D NAND更新?lián)Q代，在單顆NAND芯片存儲容量大幅提升后，要維持或提升相同容量SSD的性能將會越來越困難。若要推動SSD性能繼續(xù)提升，更快的NAND輸入輸出速度及多plane并行操作功能將是必須的。”
長江存儲CEO楊士寧博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND輸入輸出速度的目標值是1.4Gbps，而大多數(shù)NAND供應商僅能供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking?技術我們有望大幅提升NAND 輸入輸出速度到3.0Gpbs，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這對NAND行業(yè)來講將是顛覆性的。”
傳統(tǒng)3D NAND架構中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術將外圍電路置于存儲單元之上，從而實現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度。
展開 國產(chǎn)存儲芯片的發(fā)展以及重要性
今天小編給大家推薦兩款性價比高的國產(chǎn)存儲芯片，存儲芯片 - HS-SSD-E3000采用SSD控制器和3D NAND閃存，并與海康威視自主設計的NAND閃存管理固件配合使用，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。在生產(chǎn)端，HS-SSD-E3000采用優(yōu)質的3D NAND閃存和BGA，由自動化生產(chǎn)線制造。它已根據(jù)視頻監(jiān)控服務器的標準進行了測試，因此提供了更好的穩(wěn)定性。廣泛應用于電子消費類產(chǎn)品、個人臺式電腦以及筆記本電腦等設備，為目標系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務。
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術：
3D NAND 技術進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結構，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
存儲芯片 - PTS11，PTS11系列SSD采用SSD主控和3D NAND Flash技術，搭配海康威視自主研發(fā)的NAND Flash管理軟件，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。在產(chǎn)品層面，PTS11系列SSD采用高質量的3D NAND Flash，由自動化SMT產(chǎn)線生產(chǎn)，經(jīng)海康數(shù)據(jù)存儲應用標準測試，確保提供穩(wěn)定服務。廣泛應用于工控行業(yè)，為目標系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務。
存儲芯片 - PTS11的特性：
主要部件
-3D TLC NAND閃存
-Standard Endurance Technology (SET)
形態(tài)規(guī)格
-M.2 2280 key
穩(wěn)定性
-老化測試 168 小時以上無錯誤。
展開 
ISSCC 2021：3D NAND閃存的最新進展
例如每年的會議中，都包含有關非易失性存儲器的會議，大多數(shù)NAND閃存制造商都會分享其最新發(fā)展的技術細節(jié)。在會議上，我們能獲得的信息超出了這些公司通常在新聞發(fā)布會上愿意分享的信息，并且演講通常涉及來年即將上市的技術。
在本周的ISSCC 2021上，六家主要的3D NAND閃存制造商中的四家將展示他們最新的3D NAND技術。三星，SK hynix和Kioxia（+ Western Digital）正在共享其最新的3D TLC NAND設計，而英特爾將展示其144層3D QLC NAND。美光公司（去年年底宣布推出176L 3D NAND）和中國存儲新兵長江存儲今年都不參加。
3D TLC（每個cell有3位）更新
三星，SK hynix和Kioxia / WD介紹了有關其下一代3D TLC的信息。
展開 數(shù)據(jù)存儲的秘密、取舍與技術動向
創(chuàng)建新分層以實現(xiàn)更精確的數(shù)據(jù)控制
英特爾?傲騰?固態(tài)盤可幫助您的IT基礎設施實現(xiàn)兩個關鍵目標：
創(chuàng)建更快的存儲
擴展內存
模糊內存和存儲的界限
英特爾?傲騰?固態(tài)盤與英特爾?3D NAND固態(tài)盤配合使用，可以打造更強大的存儲基礎設施組合。英特爾?傲騰?固態(tài)盤可提供業(yè)界一流的吞吐量和低延遲，而英特爾?3D NAND技術可以低成本提供高密度。
這兩種技術配合使用，可加快存儲緩存速度并提高批量存儲的容量和處理能力，有助于彌合本地CPU數(shù)據(jù)和長期數(shù)據(jù)之間的差距。
英特爾?傲騰?固態(tài)盤與英特爾?3D NAND固態(tài)盤和英特爾?至強?可擴展處理器相配合，可為整個基礎設施帶來極其出色的性能。
在近期對由英特爾?至強?可擴展處理器、VMwareESXi和vSAN、英特爾?傲騰?固態(tài)盤和英特爾?3D NAND固態(tài)盤組成的超融合集群進行測試時，該解決方案與上一代系統(tǒng)存儲技術相比，支持的每集群虛擬機數(shù)量多達2.5倍，性價比提升高達2.3倍。
制定智能數(shù)據(jù)策略
數(shù)據(jù)不再只是對業(yè)務運作起輔助作用。您的數(shù)據(jù)策略直接影響到業(yè)務成效，因此，您需要一個匹配業(yè)務目標和優(yōu)先事項的長期存儲計劃，而不是將存儲看作一種后續(xù)補充或者業(yè)務流程的最后一環(huán)。
展開 長江存儲64層 3D Xtacking NAND的秘密
近日，TECHINSIGHTS 購買了中國武漢長江存儲（YMTC）生產(chǎn)的UNIC2 UNMEN05G21E31BS 32 GB eMMC配件，其中包含一顆256 Gb TLC 3D NAND閃存芯片。
圖片1，YMTC公司生產(chǎn)的UNIC2 UNMEN05G21E31BS
有兩個主要原因導致該產(chǎn)品讓業(yè)界特別感興趣，一個是商業(yè)，另一個技術。這是第一顆出自中國公司的3D-NAND芯片。利用晶圓鍵合將外圍電路與存儲器陣列進行疊加，其比特密度不會因為增加存儲器外圍電路而降低。長江存儲由中國國有企業(yè)清華紫光集團于2016年成立并持有51%的股份。其他股東包括中國國家半導體產(chǎn)業(yè)投資基金(National Semiconductor Industry Investment Fund，簡稱“大基金”)。YMTC使用的是由其全資子公司武漢新芯（XMC）在武漢建造的300mm的fab(圖2)。
圖2，武漢新芯廠房
XMC歷史與Spansion公司(現(xiàn)為Cypress公司)緊密合作，利用電荷陷阱存儲技術制造NOR閃存。2017年YMTC成功設計并制造了其第一顆32層的3D NAND閃存芯片，但在中國只有少數(shù)USB客戶可以使用。
本文章所采用的芯片是他們的第二代3D-NAND技術，使用“Xtacking”來面對面地連接外圍電路。用于存儲單元操作和I/O的外圍電路使用適合所需I/O速度和功能的CMOS邏輯技術在其他的晶圓上制成。完成后的存儲陣列晶圓片通過數(shù)十億個金屬通孔(垂直互連通路)連接到外圍晶圓片，如圖3所示。
圖3，長江存儲Xtacking技術
該部分在2018年的閃存峰會(FMS2018)上已討論過，并獲得了“最佳展示”獎(我們本來可以插入該論文的鏈接，但它沒有出現(xiàn)在會議記錄中)。
展開 NAND Flash的最新競爭格局，長江存儲成為黑馬
Xtacking架構的技術基礎來自前XMC于武漢廠為CMOS成像器開發(fā)5年多的晶圓鍵合技術。長江存儲并將其「幾微米的間距」縮小到僅約100nm，以用于3D NAND。
為了校準單獨的NAND和I/O晶圓——這項工作中最棘手的部份，晶圓廠使用位于晶圓上方和下方的攝影機與診斷工具。透過等離子體活化被擠壓在一起的芯片表面，并以低溫退火處理。然后，在I/O晶圓的背面進行加工，以便在芯片背面形成焊墊。
楊士寧說，這種方法并不至于影響產(chǎn)能，也將會用于64層芯片上。可靠性數(shù)據(jù)「看起來還不錯」，而且記憶體單元尺寸和耐久性也都與競爭產(chǎn)品差不多。
盡管如此，楊士寧說：「走上這條道路需要一些勇氣，因為要讓這項技術發(fā)揮作用并不容易……高啟全和我來來回回多次后才做了這個決定。」
Xtacking 3D NAND芯片模擬圖（來源：YMTC）
長江存儲憑借其1,500多名工程師和500項中國和國際專利，自行開發(fā)出Xtacking技術。同時，它還獲得了Arm、IBM、Spansion和研究機構的授權技術。因此，盡管受到目前的出口管制，楊士寧仍表示，相信長江存儲仍然能夠取得所需的設備和材料——這是該公司從美國采購的最大部份。
來源：eettaiwan
展開 你真的懂3D NAND閃存？
這樣的方式有利于 I/O 及控制電路以及 3D NAND Flash 各自選擇其最合適的先進邏輯工藝，這 Xtacking 技術可以讓其 NAND I/O 速度得以提升到 3.0Gbps (目前世界上最快的 3D NAND I/O 速度的目標值是 1.4Gbps)， 與 DRAM DDR4 的 I/O 速度相當，這即將量產(chǎn)的國產(chǎn) 3D NAND 閃存值得期待。
來源：非凡創(chuàng)芯力
技術變革關鍵期，中國如何突圍存儲器產(chǎn)業(yè)？
當前以云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能為代表的新一代信息技術革命迅猛發(fā)展，引發(fā)了海量數(shù)據(jù)的增長，對存儲器的需求也在不斷增加。2017年，我國僅存儲器進口規(guī)模就達到870億美元。
近日，第二屆中國高端芯片高峰論壇召開。以“存儲器產(chǎn)業(yè)：在開放與競爭中成長”為主題，與會專家對我國存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略進行了探討：當前，存儲器正處于技術變革的關鍵時期。既要推動現(xiàn)有主流存儲器技術，產(chǎn)品的應用發(fā)展，也要在新興存儲器方面有超前考慮，力爭為我國企業(yè)在存儲器領域取得突破，創(chuàng)造有利條件。
中國存儲器發(fā)展需經(jīng)三個階段
存儲器按照電源在關斷后數(shù)據(jù)是否依舊保存，可劃分為非易失性(NVM)存儲器和易失性(VM)存儲器兩大類，其中又以DRAM和NAND Flash為主流。2017年DRAM市場規(guī)模720億美元，2018年DRAM有望成為首個單品類市場規(guī)模超千億美元的芯片;NAND Flash市場規(guī)模也達到500億美元。中國要發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，必須在主流產(chǎn)品，即DRAM和NAND Flash上取得突破，方有成功可言。
對此，紫光集團董事長趙偉國在“我國存儲器行業(yè)的突圍之路”演講中指出，紫光之所以選擇存儲器作為芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展方向，首先是因為它是一個“大糧倉”。從企業(yè)的角度考慮，存儲器可以為企業(yè)的提供廣闊的成長空間。其次，作為標準化的產(chǎn)品，對于一個新進入者來說，可以相對容易地獲得產(chǎn)業(yè)生態(tài)的支撐。芯片企業(yè)如果沒有一個完整生態(tài)作為支撐，是非常困難的。
同時，趙偉國認為，中國發(fā)展存儲器將經(jīng)歷三個階段：一是解決有沒有的問題，關鍵在于技術上的突破。長江存儲經(jīng)過這些年的努力，今年年底32層3D NAND進入小規(guī)模量產(chǎn)。初步解決了產(chǎn)品有無的問題。“第二階段是行不行的問題。
展開 半導體材料：今后三年的機會和挑戰(zhàn)
不僅僅是增速，半導體工業(yè)界的技術內核也在發(fā)生演化，楊文革博士認為，IC業(yè)正在從以CPU為中心，變成以存儲器（數(shù)據(jù)）為中心。PC互聯(lián)網(wǎng)時期，存儲器產(chǎn)值占整個工業(yè)界約10%，2017年增長到1/3左右，而經(jīng)過三到五年，可能達到接近整個工業(yè)界約一半的產(chǎn)值。這一技術環(huán)境的變革，也是近年來三星、海力士等存儲大廠賺的盆滿缽滿的一大原因。
此外，供求關系也在影響著整個行業(yè)的發(fā)展趨勢。楊文革博士表示，整個工業(yè)界已經(jīng)從以Logic為中心轉向以Memory為中心，整個社會每年會創(chuàng)造出約30%的數(shù)據(jù)量，但整個工業(yè)界DRAM的擴產(chǎn)速度只有20%，供不應求。最近海力士和美光宣布新建的DRAM工廠，也映證了這點。目前DRAM的增速瓶頸主要是由于制程scaling的變緩，下一個技術突破需依賴于Quadruple patterning或者EUV。據(jù)悉，三星已經(jīng)決定將EUV同時應用在邏輯和DRAM，預計在下一代DRAM制程中的曝光、沉積、刻蝕等環(huán)節(jié)中，將會引入不少新材料。
NAND的供求曲線則與DRAM不同，隨著3D NAND技術的突破，可堆疊高度的不斷增加，會有短暫的供過于求，例如去年和今年的45%年增量超出了30%的平均需求量，因此價格上一定會出現(xiàn)回落。3D NAND結構中的縱橫比是非常大的，對蝕刻、填充、清洗等工藝流程也是巨大的挑戰(zhàn)。放眼未來，部分類別的芯片銷售會起起落落，但整體產(chǎn)業(yè)會保持增長勢頭。
產(chǎn)能、純度和新材料，機遇與挑戰(zhàn)并存
綜上這些產(chǎn)業(yè)環(huán)境的變化，對半導體材料領域提出三大需求：更充足的產(chǎn)能、更高的純度和新材料。
展開 
詳解國產(chǎn)存儲芯片 - HS-SSD-E3000
海康存儲成立于2017年，依托海康威視在視音頻、成像采集與數(shù)據(jù)管理領域長達20年的技術沉淀和積累，聚焦工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心、視頻監(jiān)控、終端消費等應用場景，為企業(yè)客戶及終端用戶提供值得信賴的存儲產(chǎn)品和解決方案。
目前，海康存儲已推出固態(tài)硬盤、存儲卡、私有網(wǎng)盤、移動固態(tài)硬盤、U盤、嵌入式存儲等產(chǎn)品。憑借高效的數(shù)據(jù)處理能力、高度的可靠性和豐富的產(chǎn)品種類，成為不同人群的理想選擇，讓萬千用戶暢快享受美好生活。
海康存儲依托海康威視的安全背景，致力于發(fā)展固態(tài)硬盤、存儲卡、專用網(wǎng)盤、移動存儲四大業(yè)務，擁有完善的供應鏈體系和完善的售后流程。在技術方面，存儲芯片 - HS-SSD-E3000采用SSD控制器和3D NAND閃存，并與海康威視自主設計的NAND閃存管理固件配合使用，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。
在生產(chǎn)端，HS-SSD-E3000采用優(yōu)質的3D NAND閃存和BGA，由自動化生產(chǎn)線制造。它已根據(jù)視頻監(jiān)控服務器的標準進行了測試，因此提供了更好的穩(wěn)定性。
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術：
3D NAND 技術進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結構，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
這是來自工采網(wǎng)代理的國產(chǎn)存儲芯片 - HS-SSD-E3000，廣泛應用于電子消費類產(chǎn)品、個人臺式電腦以及筆記本電腦等設備，為目標系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務。
海康存儲在存儲芯片領域深耕多年，技術以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多存儲芯片的技術資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
展開 筆記本電腦中應用的存儲芯片
在技術方面，存儲芯片 - HS-SSD-E3000采用SSD控制器和3D NAND閃存，并與海康威視自主設計的NAND閃存管理固件配合使用，確保讀寫速度和數(shù)據(jù)安全。
在生產(chǎn)端，HS-SSD-E3000采用優(yōu)質的3D NAND閃存和BGA，由自動化生產(chǎn)線制造。它已根據(jù)視頻監(jiān)控服務器的標準進行了測試，因此提供了更好的穩(wěn)定性。
存儲芯片 - HS-SSD-E3000的特性：
極速讀寫：
-PCIe 接口，讀取速度達 3500 MB/s
3D 堆疊技術：
3D NAND 技術進一步將容量、性能與穩(wěn)定性提升到更高水平
抗震防摔：
無機械結構，采用電子芯片控制，數(shù)據(jù)更安全
這是來自工采網(wǎng)代理的國產(chǎn)存儲芯片 - HS-SSD-E3000，廣泛應用于電子消費類產(chǎn)品、個人臺式電腦以及筆記本電腦等設備，為目標系統(tǒng)提供穩(wěn)定的服務。
海康存儲在存儲芯片領域深耕多年，技術以及產(chǎn)品方面已經(jīng)很完善，如果想了解更多存儲芯片的技術資料，歡迎致電聯(lián)系：133 9280 5792(微信同號)
展開 紫光：手機芯片全球第三，正在研發(fā)128層堆棧3D NAND閃存
同樣在這次的會議上，趙偉國還談到了紫光集團這幾年的成績，尤其是芯片產(chǎn)業(yè)上，紫光集團去年出貨芯片34億顆，手機芯片做到了全行業(yè)第三，而存儲芯片上明年將量產(chǎn)64層堆棧的128Gb核心3D NAND閃存，還在研發(fā)128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存。
在重慶的國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上，紫光集團董事長介紹了紫光的一些業(yè)績，預計今年在云網(wǎng)業(yè)務上營收將達到600億元，其中集成電路業(yè)務上營收200億，網(wǎng)絡、計算業(yè)務上營收400億元。
在芯片行業(yè)，趙偉國提到紫光公司去年共出貨34億顆芯片，其中手機芯片從數(shù)量上來看已經(jīng)是全球第三，僅次于高通、聯(lián)發(fā)科。在手機芯片業(yè)務上，紫光集團主要是子公司紫光展銳，更確切地說就是展訊公司，根據(jù)展訊之前公布的數(shù)據(jù)，2016年他們出貨了手機芯片6.7億套，占全球份額的27%。
除了手機芯片，紫光展銳還是國內最大的智能卡（身份證、社保卡等）芯片供應商，每年出貨六七億套智能卡芯片，份額是第一位的。
在存儲芯片方面，紫光旗下還有收購了武漢新芯科技之后重組的長江存儲，趙偉國透露今年底將會量產(chǎn)32層64Gb核心的3D NAND閃存，明年會量產(chǎn)64層堆棧128Gb核心容量的閃存，同時還在研發(fā)128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存。
本月初的FMS 2018國際閃存會議上，長江存儲也首次出席并發(fā)表了Xtacking堆棧結構的3D NAND新技術，I/O接口速度可達1.4Gbps，P/E壽命可達3000次。
展開 長江存儲入場，3D NAND大戰(zhàn)開啟
在價格和競爭壓力期間，3D NAND供應商正準備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競爭下一代技術。
隨著新玩家進入3D NAND市場 - 中國的長江存儲（以下簡稱：YMTC），競爭正在加劇。 在中國政府撥款數(shù)十億美元的支持下，YMTC最近推出了其首款3D NAND技術。 此舉加劇了對新進入者可能影響市場惡化的擔憂。 3D NAND業(yè)務正在走向長期供過于求和價格下跌的局面。
3D NAND是當今平面NAND閃存的后續(xù)產(chǎn)品，用于存儲應用，如智能手機和固態(tài)存儲（SSD）。 與平面NAND（2D結構）不同，3D NAND類似于垂直摩天大樓，其中水平層的存儲器單元被堆疊，然后使用微小的垂直通道連接。
圖1：2D NAND架構。資料來源：Western Digital。
圖2：3D NAND架構。資料來源：Western Digital
3D NAND通過設備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應商正在推出64層設備，盡管他們現(xiàn)在正在推進下一代技術，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應商正在競相開發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。
在研發(fā)方面，供應商也在開發(fā)下一代技術，分別為256層和512層。 “這是一場比賽，”TechInsights的分析師Jeongdong Choe說。 “這是最高籌碼量的競賽。”
有些人偏離了路線圖。在一種情況下，供應商最終會轉移到半個節(jié)點以保持領先于游戲。然后，競爭背后的YMTC計劃在2019年中期之前發(fā)布一個64層設備，但它將跳過96層直接移動到128層。 “他們的任務是追趕三星和其他公司。也許在2020年或2021年，他們將做128，“Choe說。
現(xiàn)有的3D NAND供應商 - 英特爾，美光，三星，SK海力士和東芝 - 并沒有停滯不前，他們將在競爭中保持領先地位。
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