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Essential Macleod應(yīng)用反演工程對(duì)四層減反膜進(jìn)行分析
Essential Macleod反演工程對(duì)四層減反膜進(jìn)行分析
有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。
我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。
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有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。
我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。圖4顯示了這個(gè)階段工具的外觀。
展開 [Macleod] 應(yīng)用反演工程對(duì)四層減反膜進(jìn)行分析
有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。
我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。圖4顯示了這個(gè)階段工具的外觀。
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有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。
我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。圖4顯示了這個(gè)階段工具的外觀。
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有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。
我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。 我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。 我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。圖4顯示了這個(gè)階段工具的外觀。
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有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。
我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。圖4顯示了這個(gè)階段工具的外觀。
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有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。
我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。圖4顯示了這個(gè)階段工具的外觀。
展開 Essential Macleod應(yīng)用反演工程對(duì)四層減反膜進(jìn)行分析
有很多的過(guò)程可以被稱之為反演工程,但在Essential Macleod中,該術(shù)語(yǔ)的意思是用來(lái)識(shí)別理想設(shè)計(jì)的和實(shí)際生產(chǎn)嘗試之間的差異。該功能大致可以概括為“出了什么問(wèn)題”。這一過(guò)程類似于優(yōu)化,在優(yōu)化過(guò)程中,將初始設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化,以滿足一組優(yōu)化目標(biāo)。優(yōu)化的目標(biāo)是測(cè)量出來(lái)的、有問(wèn)題的膜層性能,但有的時(shí)候會(huì)有很復(fù)雜的情況。在正常的優(yōu)化中,經(jīng)常會(huì)有多個(gè)解決方案,但是,由于我們通常會(huì)從中選擇一個(gè)合適的設(shè)計(jì),所以多個(gè)解決方案很少會(huì)帶來(lái)麻煩。在反演工程中,只有一個(gè)正確答案,多個(gè)解決方案可能是災(zāi)難性的,那么怎么才能知道我們是否得到了正確的答案?這一點(diǎn)沒有完全嚴(yán)格的測(cè)試方法,因此我們只能利用所掌握的關(guān)于鍍膜的所有知識(shí)來(lái)評(píng)估結(jié)果的合理性。我們還利用我們的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)以及各種不同的約束來(lái)指導(dǎo)過(guò)程。同時(shí),作為目標(biāo)的測(cè)量結(jié)果應(yīng)盡可能精確,這一點(diǎn)至關(guān)重要。因此,盡管反演工程本質(zhì)上是一個(gè)優(yōu)化器,但它的結(jié)構(gòu)與任何優(yōu)化工具都完全不同。
我們可以看一個(gè)在400nm至700nm區(qū)域NBK7玻璃上鍍減反射膜層反演工程中的應(yīng)用。這是使用四層SiO2和Ta2O5,我們?cè)诿總€(gè)Ta2O5層中引入誤差,在第四層中,靠近基板厚度+10%,在較厚的第二層中厚度-10%。正確設(shè)計(jì)和錯(cuò)誤設(shè)計(jì)的反射率如圖1所示,其中考慮了基板背面的影響。
圖1.橙色曲線表示無(wú)誤差四層設(shè)計(jì)的性能,黑色曲線表示有誤差的性能。這兩條曲線都包括基板后表面的影響。
我們要做的第一件事就是通過(guò)File-New子菜單設(shè)置中創(chuàng)建新的反演工程。該工具立即要求導(dǎo)入正確的設(shè)計(jì),圖2,Next,圖3,是我們需要的基板,默認(rèn)是從設(shè)計(jì)中讀取的。如果在后表面變黑或磨平的情況下測(cè)量性能為反射率,則應(yīng)使用Wedge屬性。最后,我們需要導(dǎo)入測(cè)量性能。
展開 Essential Macleod 12.3新版本發(fā)布
更新功能:
V12.3.613
Core
1.在反演工程(Reverse Engineer)中增加了一個(gè)新模型,可以更容易地推導(dǎo)出單層膜的光學(xué)常數(shù)。當(dāng)反演工程(Reverse Engineer)啟動(dòng)時(shí),您可以選擇在多層或單層之間進(jìn)行反演工程。在單層膜的情況下,不需要設(shè)計(jì)。只需要大概的膜層厚度和一個(gè)初始的材料模型。材料模型自動(dòng)將其處理方式(Action)設(shè)置為Adjust。在那之后,反演工程(Reverse Engineer)可以按常規(guī)方法使用。
2.材料模型現(xiàn)在可以在其參數(shù)上設(shè)置最大和最小的限制。這些限制用在通過(guò)反演工程(Reverse Engineer)調(diào)整材料模型時(shí)。這些限制通常是不可見的,但當(dāng)Edit →Reverse Engineer Parameters選項(xiàng)被勾選時(shí)會(huì)出現(xiàn)。如果沒有設(shè)置限制,則參數(shù)值沒有上下限。
3.在Performance → Errors選項(xiàng)中,當(dāng)勾選Statistics table時(shí),Keep Worst Designs選項(xiàng)會(huì)起作用。
4.透射率Delta現(xiàn)在可以作為層厚設(shè)計(jì)的計(jì)算參數(shù),也可以在Stack模塊中使用
5.修復(fù)了以下問(wèn)題:
當(dāng)將沉積密度(packing density)限制設(shè)置為最小0和最大1時(shí),將某一層的沉積密度設(shè)置為1時(shí),最優(yōu)控制器未改變?cè)搶拥某练e密度。
V12.2.612
Core
修復(fù)了以下問(wèn)題:
1.部分包含漸變膜層和厚膜層的設(shè)計(jì)沒有優(yōu)化。
V12.2.611
Core
修復(fù)了以下問(wèn)題:
1.未排序的外部導(dǎo)入的內(nèi)透過(guò)率數(shù)據(jù),導(dǎo)入Essential Macleod時(shí)也不進(jìn)行排序。
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