半導(dǎo)體原材料的案例
常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有哪些 半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
因此，半導(dǎo)體材料應(yīng)具有很高的純度，這就不僅要求用來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料的原材料應(yīng)具有相當(dāng)高的純度，而且還要求超凈的生產(chǎn)環(huán)境，以期將生產(chǎn)過(guò)程的雜質(zhì)污染減至最小。半導(dǎo)體材料大部分都是晶體，半導(dǎo)體器件對(duì)于材料的晶體完整性有較高的要求。此外，對(duì)于材料的各種電學(xué)參數(shù)的均勻性也有嚴(yán)格的要求。
1、元素半導(dǎo)體材料
硅在當(dāng)前的應(yīng)用相當(dāng)廣泛，他不僅是半導(dǎo)體集成電路，半導(dǎo)體器件和硅太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料，而且用半導(dǎo)體制作的電子器件和產(chǎn)品已經(jīng)大范圍的進(jìn)入到人們的生活，人們的家用電器中所用到的電子器件80%以上與案件都離不開(kāi)硅材料。鍺是稀有元素，地殼中的含量較少，由于鍺的特有性質(zhì)，使得它的應(yīng)用主要集中與制作各種二極管，三極管等。而以鍺制作的其他錢江如探測(cè)器，也具有著許多的優(yōu)點(diǎn)，廣泛的應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。
2、有機(jī)半導(dǎo)體材料
有機(jī)半導(dǎo)體材料具有熱激活電導(dǎo)率，如萘蒽，聚丙烯和聚二乙烯苯以及堿金屬和蒽的絡(luò)合物，有機(jī)半導(dǎo)體材料可分為有機(jī)物，聚合物和給體受體絡(luò)合物三類。有機(jī)半導(dǎo)體芯片等產(chǎn)品的生產(chǎn)能力差，但是擁有加工處理方便，結(jié)實(shí)耐用，成本低廉，耐磨耐用等特性。
3、非晶半導(dǎo)體材料
非晶半導(dǎo)體按鍵合力的性質(zhì)分為共價(jià)鍵非晶半導(dǎo)體和離子鍵非晶半導(dǎo)體兩類，可用液相快冷方法和真空蒸汽或?yàn)R射的方法制備。在工業(yè)上，非晶半導(dǎo)體材料主要用于制備像傳感器，太陽(yáng)能鋰電池薄膜晶體管等非晶體半導(dǎo)體器件。
4、化合物半導(dǎo)體材料
化合物半導(dǎo)體材料種類繁多，按元素在周期表族來(lái)分類，分為三五族，二六族，四四族等。如今化合物半導(dǎo)體材料已經(jīng)在太陽(yáng)能電池，光電器件，超高速器件，微波等領(lǐng)域占據(jù)重要位置，且不同種類具有不同的應(yīng)用。
展開(kāi) 淺談半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)及未來(lái)
也就是說(shuō)，在制造材料的市場(chǎng)中并沒(méi)有出現(xiàn)領(lǐng)先的中國(guó)企業(yè)。
最后就是封裝材料，封裝是芯片制造的最后一個(gè)環(huán)節(jié)，而封裝材料就是芯片封裝切割過(guò)程中所用到的材料，其中主要包括芯片粘結(jié)材料、陶瓷封裝材料、封裝基板、鍵合絲、引線框架、切割材料，而封裝材料的廠商主要以日本企業(yè)為主。
除此之外，根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，在眾多半導(dǎo)體材料中，硅片以37%的占比位列第一；其次就是占比13%電子氣體和光掩模；之后便是7%的光刻機(jī)輔材和拋光材料；最后剩下的就是光刻膠、靶材和濕化學(xué)品了。
除了按照芯片制造流程分類，還可以按照化學(xué)成分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體，其中鍺和硅是最常見(jiàn)的元素半導(dǎo)體，而化合物半導(dǎo)體主要包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物（錳、鉻、鐵、銅的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。
03 半導(dǎo)體材料的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
半導(dǎo)體材料的重要程度不言而喻，那是這些半導(dǎo)體材料究竟有哪些特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)呢？
目前常見(jiàn)的半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理是通過(guò)電子和空穴這兩種載流子來(lái)實(shí)現(xiàn)，因此相應(yīng)的有N型和P型之分，半導(dǎo)體材料通常具有一定的禁帶寬度，而且它的電特性會(huì)容易受到外界環(huán)境的影響，如溫度、光照等，其次不同的導(dǎo)電類型材料是通過(guò)摻入特定的雜質(zhì)來(lái)制備的，尤其是重金屬快擴(kuò)散雜質(zhì)和深能級(jí)雜質(zhì)對(duì)材料性能的影響最大。
因此，半導(dǎo)體就要擁有很高的純度，而這不僅使得用來(lái)生產(chǎn)半導(dǎo)體材料的原材料也有具有極高的純度，還對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的純度也有很高的純度，從而來(lái)減少生產(chǎn)過(guò)程中雜志污染度，此外，因?yàn)?em>半導(dǎo)體材料大部分都是晶體，因此半導(dǎo)體器件對(duì)于材料晶體的完整性也有著更高的要求。
展開(kāi) 2026 武漢半導(dǎo)體技術(shù)博覽會(huì)（OVC）︱聚焦半導(dǎo)體晶圓制造裝備、零部件、材料、先進(jìn)封裝、IC設(shè)計(jì)、第三代半導(dǎo)體等重點(diǎn)領(lǐng)域
※ 展示范圍
IC 設(shè)計(jì)、芯片：
IC及相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)、人工智能芯片、電源管理芯片、物聯(lián)網(wǎng)芯片、5G通信芯片及方案、汽車電子芯片、安全控制芯片、數(shù)模混合通訊射頻芯片、存儲(chǔ)芯片、LED照明及顯示驅(qū)動(dòng)類芯片等;
晶圓制造及封裝：
晶圓制造、SiP先進(jìn)封裝、OSATs、EMS、OEMs、IDM、硅晶圓及IC封裝載板、印制電路板、封裝基板和設(shè)備及組裝和測(cè)試等、封裝設(shè)計(jì)、測(cè)試、設(shè)備與應(yīng)用制造與封測(cè)、EDA、MCU、印制電路板、封裝基板半導(dǎo)體材料與設(shè)備等；
第三代半導(dǎo)體：
第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC、氮化鎵GaN、晶圓、襯底、封裝、測(cè)試、光電子器件、(發(fā)光二極管LED、激光器LD、探測(cè)器紫外)、電力電子器件 (二極管、MOSFET、JFET、BJT、IGBT、GTO、ETO、SBD、HEMT等)、微波射頻器件(HEMT、MMIC)等；
半導(dǎo)體設(shè)備：
減薄機(jī)、單晶爐、研磨機(jī)、熱處理設(shè)備、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入設(shè)備、CVD/PVD設(shè)備固晶機(jī)、等離子清洗設(shè)備、切割機(jī)、裝片機(jī)、鍵合機(jī)、焊線機(jī)、回流焊,波峰焊、測(cè)試機(jī)、分選機(jī)、耦合機(jī)、載帶成型機(jī)、檢測(cè)設(shè)備、恒溫恒濕試驗(yàn)箱、傳感器、封裝模具、測(cè)試治具、精密滑臺(tái)、步進(jìn)電機(jī)、閥門、探針臺(tái)、潔凈室設(shè)備、水處理等;
半導(dǎo)體材料：
硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學(xué)品、濺射靶材、封測(cè)材料、切片、磨片、拋光片、薄膜等.
※ 主辦方將舉辦豐富多彩的同期論壇活動(dòng)
展會(huì)同期舉辦各種主題的技術(shù)論壇，以配合各個(gè)展區(qū)展示產(chǎn)品。
展開(kāi) 半導(dǎo)體 | 日本半導(dǎo)體材料廠商?hào)|應(yīng)、大金、信越擴(kuò)大亞洲產(chǎn)能布局
一直以來(lái)僅在日本國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的EUV感光材料已經(jīng)在臺(tái)灣生產(chǎn)。昭和電工旗下子公司—昭和電工Materials（原日立化成）也計(jì)劃到2023年投資200億日元（約11.8億元），在韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣擴(kuò)產(chǎn)硅晶圓的研磨材料和排線基板材料。
日本化工企業(yè)在韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的投資正逐步擴(kuò)大。從日本銀行的國(guó)際收支統(tǒng)計(jì)來(lái)看，化學(xué)醫(yī)藥領(lǐng)域的直接投資中（截止到2019年），以化學(xué)領(lǐng)域?yàn)橹行谋３殖掷m(xù)增長(zhǎng)。其中明顯帶動(dòng)投資增長(zhǎng)的是半導(dǎo)體相關(guān)材料。
半導(dǎo)體（采用尖端的300mm晶圓）產(chǎn)能從國(guó)家和地區(qū)來(lái)看，韓國(guó)和臺(tái)灣共占全球的一半。由于三星電子和臺(tái)灣集成電路制造（TSMC）相繼決定進(jìn)行大規(guī)模投資，因此日本占優(yōu)勢(shì)的半導(dǎo)體材料需求將持續(xù)高漲。
東京應(yīng)化為了充分滿足客戶需求，在不斷強(qiáng)化本土化研發(fā)能力和生產(chǎn)體制。“過(guò)去三年在韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣和北美等海外地區(qū)的投資較多”（東京應(yīng)化）。由于日本國(guó)內(nèi)沒(méi)有有望將EUV應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的企業(yè)，因此客戶主要集中在海外。
對(duì)供給鏈的擔(dān)憂也促進(jìn)了本土化生產(chǎn)。2019年日本政府加強(qiáng)對(duì)韓國(guó)出口半導(dǎo)體材料管制。韓國(guó)政府為擺脫對(duì)日本的依賴，正致力于實(shí)現(xiàn)多種材料和設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，通過(guò)補(bǔ)助研發(fā)費(fèi)用、部分地區(qū)的稅收優(yōu)惠等措施推動(dòng)國(guó)內(nèi)外企業(yè)的投資，因此美國(guó)杜邦也決定在韓國(guó)生產(chǎn)用于EUV的感光材料。
日本企業(yè)要想向韓國(guó)出口屬于管控對(duì)象的化學(xué)品，依然需要日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的特別許可。生產(chǎn)氟化氫的日本STELLACHEMIFA株式會(huì)社2019財(cái)年（2019年4月-2020年3月）半導(dǎo)體、液晶方面的氟化氫出貨量較上一財(cái)年下滑26%，2020年4月-12月期間的出貨量與上年同期保持同等水平。
三星電子等企業(yè)決定進(jìn)行大型投資，半導(dǎo)體材料隨之需求高漲。
展開(kāi) 
張汝京：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料和設(shè)備最薄弱也最有機(jī)會(huì)
可喜的是，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的原材料端，電子級(jí)多晶硅長(zhǎng)期被海外壟斷局面有望率先實(shí)現(xiàn)突破。
電子級(jí)多晶硅作為硅材料的源頭，被稱為集成電路行業(yè)的“糧食”。從市場(chǎng)銷售份額來(lái)看，全球前五大晶圓企業(yè)占了市場(chǎng)總份額的92%；而在電子級(jí)多晶硅領(lǐng)域，前五大巨頭的市場(chǎng)份額占據(jù)98%。此前，中國(guó)每年要從歐美、日本大量進(jìn)口電子級(jí)多晶硅材料。
“普通太陽(yáng)能級(jí)多晶硅純度要求通常在6-9個(gè)9，電子級(jí)多晶硅要求純度在11個(gè)9以上。”江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司總經(jīng)理田新介紹說(shuō)，鑫華半導(dǎo)體已建成國(guó)內(nèi)首條5000噸半導(dǎo)體集成電路專用電子級(jí)多晶硅生產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)模全國(guó)排名首位，在全球排在第三位。如今，已實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定量產(chǎn)。
江蘇鑫華半導(dǎo)體由國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）和保利協(xié)鑫于2015年12月共同投資建立，在2017年11月正式發(fā)布了電子級(jí)多晶硅產(chǎn)品。
田新表示，目前全球電子級(jí)多晶硅年產(chǎn)能合計(jì)2.72萬(wàn)噸。根據(jù)半導(dǎo)體硅片2-3%市場(chǎng)增長(zhǎng)率的判斷，對(duì)應(yīng)的電子級(jí)多晶硅年需求量將很快超過(guò)3萬(wàn)噸。隨著原有電子級(jí)多晶硅供應(yīng)商的提產(chǎn)和國(guó)內(nèi)電子級(jí)多晶硅廠商的產(chǎn)能釋放，預(yù)計(jì)電子級(jí)多晶硅產(chǎn)能將長(zhǎng)期處于平衡甚至過(guò)剩態(tài)勢(shì)。
目前，我國(guó)擁有電子級(jí)多晶硅大規(guī)模產(chǎn)能的企業(yè)，除了鑫華半導(dǎo)體之外，還有國(guó)家電投旗下黃河水電新能源公司，產(chǎn)能大約2500噸。
來(lái)源：財(cái)聯(lián)社
展開(kāi) 短時(shí)間內(nèi)，硅是否能被新半導(dǎo)體材料替代？
今天的電腦、手機(jī)、汽車、高鐵和上網(wǎng)所需的5G寬帶技術(shù)等等,這些使現(xiàn)代社會(huì)區(qū)別于電氣時(shí)代的技術(shù),最底層都是以硅為核心的半導(dǎo)體技術(shù)。
硅片的制備
硅片的原材料是石英，也就是通常所說(shuō)的沙子，可以直接在自然界中開(kāi)采。石英礦石的主要原料是二氧化硅，硅片制造廠需要從石英中提煉出多晶硅，然后通過(guò)直拉法或區(qū)熔法這兩種工藝制備出單晶硅棒（純度99.999999999%）。其中直拉法是最常用的制備工藝，目前85%以上的單晶硅都是用直拉法生長(zhǎng)出來(lái)，直拉法是在石英坩堝中進(jìn)行，優(yōu)勢(shì)在于更適合大尺寸單晶硅棒的拉制，生長(zhǎng)速率較快，單臺(tái)設(shè)備價(jià)值相對(duì)較低；區(qū)熔法不需要坩堝，而是在氣氛或真空爐中進(jìn)行，產(chǎn)品的純度更高，不易受氧、碳等雜質(zhì)影響，常用做IGBT功率半導(dǎo)體器件的原材料，然而受晶體生長(zhǎng)機(jī)制的限制，區(qū)熔法不適用于大尺寸的硅片制作。制備出單晶硅棒后還需要通過(guò)整型、切片、倒角、磨邊、刻蝕、拋光、清洗等一系列工藝制作成硅片。
展開(kāi) 聚焦功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)︱APSME 2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展將在廣州盛大召開(kāi)
2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)，以“聚焦前沿技術(shù)突破，賦能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新融合”為主題。將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館盛大召開(kāi)！
APSME 2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體器件、封裝測(cè)試、工藝流程、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。展會(huì)期間還將舉辦一系列技術(shù)論壇，展示全球產(chǎn)業(yè)動(dòng)態(tài)及未來(lái)技術(shù)趨勢(shì)。
展開(kāi) 《自然材料》我國(guó)發(fā)現(xiàn)首個(gè)可彎曲無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料！
圖為無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料硫化亞銀的壓縮實(shí)物照片。（資料圖片）
最近，中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所研究員史迅、陳立東與德國(guó)科學(xué)家合作，發(fā)現(xiàn)首個(gè)可彎曲無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料α-Ag2S（硫化亞銀）。這種典型的半導(dǎo)體在室溫中具有非常反常的與金屬類似的力學(xué)性能，尤其是擁有良好的延展性和可彎曲性，有望在柔性電子中獲得廣泛應(yīng)用。目前，相關(guān)研究成果已在國(guó)際著名學(xué)術(shù)期刊《自然材料》發(fā)表。
文章鏈接
https://www.nature.com/articles/s41563-018-0047-z
近年來(lái)，柔性電子引起全世界的廣泛關(guān)注并得到迅速發(fā)展，被認(rèn)為有可能帶來(lái)一場(chǎng)電子技術(shù)革命。它是將有機(jī)/無(wú)機(jī)材料電子器件制作在柔性襯底上的新興電子技術(shù)，以其獨(dú)特的可變形性以及高效、低成本制造工藝，在信息、能源、醫(yī)療、國(guó)防等領(lǐng)域，具有廣泛應(yīng)用前景。
然而，目前的無(wú)機(jī)材料尤其是半導(dǎo)體均為脆性材料，在大彎曲、大變形下以及拉伸狀況下，極易發(fā)生斷裂進(jìn)而導(dǎo)致器件失效；此外，有機(jī)半導(dǎo)體相對(duì)無(wú)機(jī)半導(dǎo)體遷移率較低，且電學(xué)性能可調(diào)范圍較小，無(wú)法滿足半導(dǎo)體工業(yè)的蓬勃發(fā)展需求。
因此，開(kāi)發(fā)具有良好延展性和彎曲性的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料，實(shí)現(xiàn)柔性電子技術(shù)在集成裝備和制造工藝領(lǐng)域的突破，是柔性電子發(fā)展的迫切需求。
經(jīng)過(guò)多年研究，上海硅酸鹽研究所研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，相對(duì)于其他半導(dǎo)體或者陶瓷，α-Ag2S具有非常奇異和獨(dú)特的力學(xué)性能。它具有和金屬一樣的延展性和變形能力，在外力和大應(yīng)變下不發(fā)生材料的破壞和破碎，壓縮變形最大可以達(dá)到50%以上，彎曲最大形變超過(guò)20%，拉伸形變可達(dá)4.2%。所有這些數(shù)值均遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)已知的陶瓷和半導(dǎo)體材料，而與一些金屬的力學(xué)性能相似。
對(duì)此，研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步研究了α-Ag2S這些反常力學(xué)性能的機(jī)制和機(jī)理，并針對(duì)柔性電子的應(yīng)用，制備出α-Ag2S薄膜。
展開(kāi) 96頁(yè)研報(bào) | 半導(dǎo)體材料研究框架系列：詳解八大芯片材料
來(lái)源：方正證券
分析師：陳杭
半導(dǎo)體材料全球格局
來(lái)源：半導(dǎo)體工藝與設(shè)備
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的重要支撐產(chǎn)業(yè)，按應(yīng)用環(huán)節(jié)劃分為晶圓制造材料和封裝材料。整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括IC的設(shè)計(jì)、晶圓制造以及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料主要應(yīng)用在集成電路的制造和封裝測(cè)試等領(lǐng)域。集成電路的制造和封測(cè)對(duì)材料和裝備需求巨大。從材料角度看，涉及到大硅片光刻膠、掩膜版、特種氣體等原材料；從裝備角度看，涉及到光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、PVD、CVD等各種核心設(shè)備。而本文主要圍繞晶圓制造材料角度展開(kāi)。
集成電路產(chǎn)業(yè)鏈
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)概覽
集成電路生產(chǎn)需要用到包括硅基材、CMP拋光材料、高純?cè)噭? 用于顯影、清洗、剝離、刻蝕
）、特種氣體、光刻膠、掩膜版、封裝材料等多種電子化學(xué)品材料。根據(jù)Prismark數(shù)據(jù)，全球集成電路制造成本中，電子化學(xué)品占集成電路制造成本的比重約為20%。
展開(kāi) 原材料、焊接件無(wú)損檢測(cè)
無(wú)損探傷是在不損壞工件或原材料工作狀態(tài)的前提下，對(duì)被檢驗(yàn)部件的表面和內(nèi)部質(zhì)量進(jìn)行檢查的一種測(cè)試手段。
常用的探傷方法有：X光射線探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、渦流探傷、γ射線探傷、滲透探傷(熒光探傷、著色探傷）等物理探傷方法。
它與破壞性檢測(cè)相比，無(wú)損檢測(cè)有以下特點(diǎn)。第一是具有非破壞性，因?yàn)樗谧鰴z測(cè)時(shí)不會(huì)損害被檢測(cè)對(duì)象的使用性能；第二具有全方面性，由于檢測(cè)是非破壞性，因此必要時(shí)可對(duì)被檢測(cè)對(duì)象進(jìn)行的全方面檢測(cè)，這是破壞性檢測(cè)辦不到的；第三具有全程性，破壞性檢測(cè)一般只適用于對(duì)原材料進(jìn)行檢測(cè)，如機(jī)械工程中普遍采用的拉伸、壓縮、彎曲等，破壞性檢驗(yàn)都是針對(duì)制造用原材料進(jìn)行的，對(duì)于成品和在用品，除非不準(zhǔn)備讓其繼續(xù)服役，否則是不能進(jìn)行破壞性檢測(cè)的，而無(wú)損檢測(cè)因不損壞被檢測(cè)對(duì)象的使用性能。所以，它不僅可對(duì)制造用原材料，各中間工藝環(huán)節(jié)、直至終產(chǎn)成品進(jìn)行全程檢測(cè)，也可對(duì)服役中的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)。
通過(guò)使用NDT，能發(fā)現(xiàn)材料或工件內(nèi)部和表面所存在的缺欠，能測(cè)量工件的幾何特征和尺寸，能測(cè)定材料或工件的內(nèi)部組成、結(jié)構(gòu)、物理性能和狀態(tài)等。NDT能應(yīng)用于產(chǎn)品設(shè)計(jì)、材料選擇、加工制造、成品檢驗(yàn)、在役檢查（維修保養(yǎng)）等多方面，在質(zhì)量控制與降低成本之間能起優(yōu)化作用。
NDT還有助于產(chǎn)品的安全運(yùn)行和（或）有效使用。通過(guò)對(duì)產(chǎn)品內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)對(duì)產(chǎn)品從以下方面進(jìn)行改進(jìn)：1、改進(jìn)制造工藝；2、降低制造成本；3、提高產(chǎn)品的可靠性；4、設(shè)備的安全運(yùn)行。
無(wú)損探傷檢測(cè)范圍：
焊縫表面缺陷檢查。檢查焊縫表面裂紋、未焊透及焊漏等焊接質(zhì)量。2、內(nèi)腔檢查。檢查表面裂紋、起皮、拉線、劃痕、凹坑、凸起、斑點(diǎn)、腐蝕等缺陷。3、狀態(tài)檢查。當(dāng)某些產(chǎn)品(如蝸輪泵、發(fā)動(dòng)機(jī)等)工作后，按技術(shù)要求規(guī)定的項(xiàng)目進(jìn)行內(nèi)窺檢測(cè)。4、裝配檢查。
展開(kāi) 
原材料、焊接件無(wú)損檢測(cè)
無(wú)損探傷是在不損壞工件或原材料工作狀態(tài)的前提下，對(duì)被檢驗(yàn)部件的表面和內(nèi)部質(zhì)量進(jìn)行檢查的一種測(cè)試手段。
常用的探傷方法有：X光射線探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、渦流探傷、γ射線探傷、滲透探傷(熒光探傷、著色探傷）等物理探傷方法。
它與破壞性檢測(cè)相比，無(wú)損檢測(cè)有以下特點(diǎn)。第一是具有非破壞性，因?yàn)樗谧鰴z測(cè)時(shí)不會(huì)損害被檢測(cè)對(duì)象的使用性能；第二具有全方面性，由于檢測(cè)是非破壞性，因此必要時(shí)可對(duì)被檢測(cè)對(duì)象進(jìn)行的全方面檢測(cè)，這是破壞性檢測(cè)辦不到的；第三具有全程性，破壞性檢測(cè)一般只適用于對(duì)原材料進(jìn)行檢測(cè)，如機(jī)械工程中普遍采用的拉伸、壓縮、彎曲等，破壞性檢驗(yàn)都是針對(duì)制造用原材料進(jìn)行的，對(duì)于成品和在用品，除非不準(zhǔn)備讓其繼續(xù)服役，否則是不能進(jìn)行破壞性檢測(cè)的，而無(wú)損檢測(cè)因不損壞被檢測(cè)對(duì)象的使用性能。所以，它不僅可對(duì)制造用原材料，各中間工藝環(huán)節(jié)、直至終產(chǎn)成品進(jìn)行全程檢測(cè)，也可對(duì)服役中的設(shè)備進(jìn)行檢測(cè)。
通過(guò)使用NDT，能發(fā)現(xiàn)材料或工件內(nèi)部和表面所存在的缺欠，能測(cè)量工件的幾何特征和尺寸，能測(cè)定材料或工件的內(nèi)部組成、結(jié)構(gòu)、物理性能和狀態(tài)等。NDT能應(yīng)用于產(chǎn)品設(shè)計(jì)、材料選擇、加工制造、成品檢驗(yàn)、在役檢查（維修保養(yǎng)）等多方面，在質(zhì)量控制與降低成本之間能起優(yōu)化作用。
NDT還有助于產(chǎn)品的安全運(yùn)行和（或）有效使用。通過(guò)對(duì)產(chǎn)品內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)對(duì)產(chǎn)品從以下方面進(jìn)行改進(jìn)：1、改進(jìn)制造工藝；2、降低制造成本；3、提高產(chǎn)品的可靠性；4、設(shè)備的安全運(yùn)行。
無(wú)損探傷檢測(cè)范圍：
焊縫表面缺陷檢查。檢查焊縫表面裂紋、未焊透及焊漏等焊接質(zhì)量。2、內(nèi)腔檢查。檢查表面裂紋、起皮、拉線、劃痕、凹坑、凸起、斑點(diǎn)、腐蝕等缺陷。3、狀態(tài)檢查。當(dāng)某些產(chǎn)品(如蝸輪泵、發(fā)動(dòng)機(jī)等)工作后，按技術(shù)要求規(guī)定的項(xiàng)目進(jìn)行內(nèi)窺檢測(cè)。4、裝配檢查。
展開(kāi) 材料｜默克宣布旗下高性能材料業(yè)務(wù)更名為默克電子科技！看好中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
全球領(lǐng)先的科技公司
默克
日前宣布旗下“高性能材料(Performance Materials)”業(yè)務(wù)正式更名為“電子科技(Electronics)”。這一舉措體現(xiàn)了該業(yè)務(wù)板塊在過(guò)去數(shù)年戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的顯著成果。自2018年啟動(dòng)“光明未來(lái)”轉(zhuǎn)型計(jì)劃以來(lái)的又一重大里程碑。
擁抱客戶，推動(dòng)智慧化的本土化策略
“自去年宣布了中國(guó)已經(jīng)投入1.4億人民幣，在上海金橋建設(shè)全新默克電子科技中國(guó)中心，這個(gè)電子科技中心也會(huì)進(jìn)一步服務(wù)我們?cè)?em>半導(dǎo)體跟顯示領(lǐng)域的客戶，共同開(kāi)發(fā)一些創(chuàng)新產(chǎn)品跟整個(gè)服務(wù)解決方案，給到我們中國(guó)客戶，這也是我們未來(lái)會(huì)進(jìn)一步扎根中國(guó)市場(chǎng)，更好服務(wù)這個(gè)行業(yè)一個(gè)基礎(chǔ)”。 默克中國(guó)總裁兼電子科技中國(guó)區(qū)董事總經(jīng)理安高博表示。
“目前做的默克電子科技業(yè)務(wù)在中國(guó)市場(chǎng)大概為上百家芯片制造商供應(yīng)超過(guò)150種以上的半導(dǎo)體材料材料，這個(gè)技術(shù)中心可以對(duì)這些高純度、高精度的材料產(chǎn)品做質(zhì)量檢測(cè)，做一些可回收容器的處理，而且可以做一些測(cè)試樣品的準(zhǔn)備，這只是第一步，后面我們會(huì)更多應(yīng)用，真正意義上的R&D接踵而來(lái)，這是默克在中國(guó)戰(zhàn)略的布局”。陳天牛博士(Dr. Rick Chen) 默克中國(guó)電子科技業(yè)務(wù)半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理補(bǔ)充到。
默克中國(guó)電子科技中心一期投資1.4億人名幣，計(jì)劃于2022年上半年竣工。竣工的第一期將集中有以下三種功能：
1. 涵蓋150多種的半導(dǎo)體材料質(zhì)量檢測(cè)
2. 平坦化及薄膜材料的測(cè)試樣品的置備
3.
展開(kāi) 半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介─光刻膠
原材料壁壘：上游原材料是影響光刻膠品質(zhì)的重要因素。對(duì)于正性光刻膠，其主要是由樹(shù)脂、光引發(fā)劑、溶劑和其他助劑組成。樹(shù)脂用于將光刻膠中不同材料聚合在一起，構(gòu)成光刻膠的骨架， 決定光刻膠的硬度、柔韌性、附著力等基本屬性。光引發(fā)劑包括光增感劑和光致產(chǎn)酸劑，是光刻膠的關(guān)鍵成分，對(duì)光刻膠的感光度、分辨率起著決定性作用。溶劑是光刻膠中最大成分，目的是使光刻膠處于液態(tài)，但溶劑本身對(duì) 光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎沒(méi)影響。 添加劑包括單體和其他助劑等，單體對(duì)光引發(fā)劑的光化學(xué)反應(yīng)有調(diào)節(jié) 作用，助劑主要用來(lái)改變光刻膠特定化學(xué)性質(zhì)。樹(shù)脂占光刻膠總成本的50%以上，在光刻膠原料中占比最大，其次是單體、光引發(fā)劑及其他助劑。對(duì)于高端光刻膠，樹(shù)脂所占成本比例更高。目前我國(guó)光刻膠原材料市場(chǎng)基本被國(guó)外廠商壟斷，尤其是樹(shù)脂和感光劑高度依賴于進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率很低，由此增加了國(guó)內(nèi)光刻膠生產(chǎn)成本以及供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。
圖10. 光刻膠的主要組成部分和作用
資料來(lái)源：富士經(jīng)濟(jì)，東京應(yīng)化，中泰證券研究所
展開(kāi) 塑膠原材料性能及用途培訓(xùn)資料
戳我進(jìn)入社區(qū)：注塑和模具人的網(wǎng)上家園
90%的人看完這篇文章會(huì)
長(zhǎng)按關(guān)注以下視頻號(hào)觀看各種小視頻
十萬(wàn)注塑和模具人都在
關(guān)注的模具和注塑視頻號(hào)
更多精彩內(nèi)容推薦閱讀：
TPE原材料加工時(shí)易出現(xiàn)的問(wèn)題及解決辦法【收藏】
【收藏】常用注塑原材料料筒溫度表
