晶圓的測量的案例
一文讀懂半導體晶圓形貌厚度測量的意義與挑戰(zhàn)
W1-pro 光學3D表面輪廓儀X/Y方向標準行程為200*200mm，可完全覆蓋8英寸及以下晶圓，定制版真空吸附盤，穩(wěn)定固定Wafer；氣浮隔振+殼體分離式設計，隔離地面震動與噪聲干擾。
臺階儀能夠測量樣品表面的2D形狀或翹曲，如在半導體晶圓制造過程中，因多層沉積層結構中層間不匹配所產(chǎn)生的翹曲或形狀變化，或者類似透鏡在內的結構高度和曲率半徑。
測量晶圓
WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，其測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量同時有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過不斷的創(chuàng)新和技術進步，中圖儀器將為半導體行業(yè)的發(fā)展和進步注入新的活力。
展開 從微納米到百米測量，中圖國產(chǎn)智能精密測量儀器著力突破核心技術，增強高端供給
3、融合新原理、新材料、新工藝，研制開發(fā)一批專用智能精密測量檢測裝備。加強新興領域專用檢測裝備研制。
WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)
WD4000晶圓幾何形貌測量系統(tǒng)可以在一個測量系統(tǒng)中自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、微納三維形貌。使用光譜共焦技術測量晶圓厚度、TTV、BOW、 WARP等參數(shù)，同時生成Mapping圖；采用白光干涉測量技術對Wafer表面進行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面的2D、3D參數(shù)。可廣泛應用于Wafer制造及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。
有圖晶圓關鍵尺寸及套刻量測系統(tǒng)
是一款集成高精度平面尺寸檢測和亞納米級表面3D形貌測量的光學檢測儀器，同時滿足大范圍多區(qū)域的高精度全自動檢測，優(yōu)異的重復性及效率有效減少人為誤差及人員投入。可廣泛應用于芯片、半導體制造及封裝工藝檢測、精密配件、光學加工、微納材料及制造、MEMS器件等超精密加工行業(yè)，對器件表面進行非接觸式掃描并建立表面3D圖像，能夠對芯片Z向實現(xiàn)微納尺度的3D掃描和重建，精確測量表面的高度輪廓尺寸；全自動上下料平臺，配置掃描槍，高效實現(xiàn)產(chǎn)線全自動化生產(chǎn)。
4、強化人才培養(yǎng)
中圖儀器攜手深圳職業(yè)技術學院，共同培養(yǎng)集成電路創(chuàng)新型技術技能人才。雙方就校企聯(lián)合開發(fā)、人才培養(yǎng)、實訓基地等方面進行了深入的交流并達成初步合作共識，2023年2月20-24日，第一批精英實訓班圓滿結課。
中圖儀器堅持以技術創(chuàng)新為發(fā)展基礎，擁有一支集光、機、電、信息技術于一體的技術團隊。
展開 WD4000無圖晶圓檢測機：助力半導體行業(yè)高效生產(chǎn)的利器
WD4000無圖晶圓檢測機集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，非接觸厚度、三維維納形貌一體測量，使用一臺機器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量，助力半導體行業(yè)高效生產(chǎn)！
晶圓幾何量測系統(tǒng)支持半導體制造工藝量測，保障晶圓制造工藝質量
它是以下測量技術的組合：
1、光譜共焦技術測量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數(shù)，同時生成Mapping圖；
2、三維輪廓測量技術：對Wafer表面進行光學掃描同時建立表面3D層析圖像，高效分析晶圓表面形貌、粗糙度、測量鐳射槽深寬等形貌參數(shù)；
3、白光干涉光譜分析儀，可通過數(shù)值七點相移算法計算，以亞納米分辨率測量晶圓表面的局部高度，并實現(xiàn)膜厚測量功能；
4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），適用于測量外延片、鍵合晶圓幾何參數(shù)。
5、CCD定位巡航功能，具備Mark定位，及圖案晶圓避障功能。
WD4000無圖晶圓幾何量測系統(tǒng)已廣泛應用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設備、晶圓拋光設備、及封裝減薄工藝段的量測；覆蓋半導體前道、中道、后道整條工藝線。該系統(tǒng)不僅廣泛應用于半導體行業(yè)，在3C電子玻璃屏、光學加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業(yè)也大幅鋪開應用。
量測系統(tǒng)自動上下料，自動測量
編輯
測量報告分享
展開 
顯微測量|臺階儀二維超精密測量微觀形貌
了解工作原理和性能特點
臺階儀利用掃描探針在樣品表面上進行微觀測量，通過探測探針和樣品表面之間的相互作用力，獲取表面形貌信息。具體而言，掃描探針通過細微的力變化，測量樣品表面的起伏程度以及凹凸部分的高度差。然后通過數(shù)據(jù)處理，形成高分辨率的圖像。
它能夠實現(xiàn)納米級別的測量，對微觀結構的細節(jié)進行觀測和分析，揭示出表面的微觀特征；還具備高速掃描的能力，實現(xiàn)快速獲取樣品的形貌數(shù)據(jù)。
功能和作用介紹
作為一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀，臺階儀可以對微米和納米結構進行膜厚和薄膜高度、表面形貌、表面波紋和表面粗糙度等的測量。測量參數(shù)：
（1）臺階高度：能夠測量納米到330μm甚至1000μm的臺階高度；
（2）粗糙度與波紋度：可獲取粗糙度與波紋度相關的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等20余項參數(shù)；
（3）翹曲與形狀：能夠測量樣品表面的2D形狀或翹曲。
臺階儀的應用
臺階儀具有廣泛的適用范圍，在科學研究、材料表征、納米技術、半導體制造等領域都有應用。如在半導體制造中，臺階儀可以用于檢測半導體材料表面的缺陷和形貌，為半導體器件的開發(fā)和生產(chǎn)提供可靠的數(shù)據(jù)參考。
測量晶圓表面粗糙度
臺階儀具備出色的精確性和穩(wěn)定性，而且樣品適應面廣，對測量工件的表面反光特性、材料種類、材料硬度都沒有特別要求。在材料科學、制造業(yè)、科研等領域都有著重要的應用價值。相信隨著科技的不斷發(fā)展，臺階儀將會在測量領域發(fā)揮更加重要的作用。
臺階儀優(yōu)勢總結
1、高精度的測量能力
臺階儀在微觀表面形貌的測量中非常準確，能夠滿足高精度測量的需求。
展開 增加200mm晶圓產(chǎn)能是解決全球芯片短缺的關鍵？（附中國和全球8英寸晶圓廠完整清單）
臺積電目前在臺灣設有四座12吋超大晶圓廠（GIGAFAB Facilities）、四座8吋晶圓廠和一座六吋晶圓廠，在大陸設有臺積電南京12吋晶圓廠和臺積電上海8吋晶圓廠。此外，在美國設有WaferTech 8吋晶圓廠。
臺積電和中芯國際的8英寸晶圓廠（漏掉了臺積電晶圓八廠）（來源：維基百科）
中芯國際分別在上海、天津和深圳設有三座8英寸晶圓廠。該公司今年一季度財報顯示，其成熟制程到今年底產(chǎn)能將持續(xù)滿載，新增產(chǎn)能主要在下半年形成。其主要產(chǎn)能還是集中在成熟制程上，55/65納米工藝的營收占比最多，為32.8%。
中國大陸200mm晶圓廠分布
年底我國12英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 90 萬片，較 2018 年增長 50％；8英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約100萬片，較 2018 年增長 10％；6 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 230 萬片，較 2018 年增長15％；5 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 80 萬片，較 2018 年下降 11％；4 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 260 萬片，較 2018 年增長 30％；3 英寸晶圓制造廠裝機產(chǎn)能約 40 萬片，較 2018 年下降 20％。
其中8英寸晶圓廠項目包括：中芯紹興、北京燕東、中芯天津二期、寧波中芯N1、士蘭集昕、上海新進、芯恩（青島）、賽萊克斯、積塔半導體、寧波中芯N2、士蘭集昕二期、無錫海辰、濟南富能半導體、吉林華微電子、華潤微電子無錫項目（規(guī)劃中）、四川中科晶芯（規(guī)劃中）、贛州名芯（規(guī)劃中），以及英諾賽科的8 英寸氮化鎵產(chǎn)線。
展開 300mm晶圓，3萬顆/片！走進博世耗資10億歐元的德累斯頓晶圓廠一探究竟！（含視頻）
6月7日，全球最大汽車零部件供應商博世集團宣布，耗資10億歐元的德累斯頓晶圓廠已正式落成，將從下個月開始為全球制造汽車芯片。
來源：彭博社
據(jù)介紹，經(jīng)過三年的建設，博世高度自動化的德累斯頓工廠目前擁有約250名員工，最大規(guī)模可容納將擁有700名員工。工廠占地10萬平方米（約14個足球場），主要生產(chǎn)汽車專用集成電路（ASICs）和功率半導體產(chǎn)品。
該廠的核心工藝是65nm，主要產(chǎn)品是制造300mm晶圓，單片晶圓可生產(chǎn)超過30000顆芯片。
圖：博世新工廠的300mm硅晶圓
德累斯頓地區(qū)擁有歐洲最重要的、成熟的微電子產(chǎn)業(yè)集群。大批汽車與服務供應商以及高等學府均在此落戶，故而被稱為“硅谷薩克森”。格芯的德國晶圓廠、英飛凌晶圓工廠以及大眾集團的全球唯一全透明汽車工廠均選址于此。
博世的德累斯頓新工廠投資約10億歐元（約合人民幣77億元），是博世集團135年歷史上最大的單筆投資項目。
除了德累斯頓晶圓廠，博世還有一家晶圓廠位于羅伊特林根。
兩家晶圓廠的區(qū)別在于，
新晶圓廠生產(chǎn)的是直徑為300毫米的晶圓，羅伊特林根工廠生產(chǎn)的是150毫米和200毫米晶圓，以及2019年新安排給它的碳化硅芯片。
關于博世半導體
博世集團是全球第一大汽車技術供應商, 自1886年德國的卡爾·本茨制造出世界上第一輛以汽油為動力的三輪汽車至今，汽車已有百余年的歷史。在這將近一個半世紀中，汽車已經(jīng)發(fā)生了翻天覆地的變化。
展開 白光干涉儀測量的那些3D形貌
有著“納米眼”之稱的白光干涉儀，是一款在縱向分辨率上可實現(xiàn)0.1nm的分辨率和測量可靠性的光學測量儀器。下面就讓我們一起來領略下國產(chǎn)白光干涉儀鏡頭下的3D顯微之美。
SuperViewW1白光干涉儀
白光干涉儀采用的光學輪廓測量法可以非接觸式測量非平坦樣品，輕松測量出彎曲和其他非平面表面，還可以測出曲面的表面光潔度、紋理和粗糙度等，同時不會像探針是輪廓儀那樣損壞薄膜。
白光干涉儀3D形貌圖片：
圖1.超光滑_納米級表面
圖2.分成了32階的納米級微納光學元件
圖3.半導體芯片表面外觀
圖4.微納凹凸圓表面
圖5.拼接_摩擦磨損工藝零部件
圖6.拼接_大區(qū)域超光滑凹球面
圖7.光學衍射元器件
除主要用于測量表面形貌或測量表面輪廓外，具有的測量晶圓翹曲度功能，非常適合晶圓，太陽能電池和玻璃面板的翹曲度測量，應變測量以及表面形貌測量。非接觸高精密光學測量方式，不會劃傷甚至破壞工件，不僅能進行更高精度測量，在整個測量過程還不會觸碰到表面影響光潔度，能保留完整的晶圓片表面形貌。測量工序效率高，直接在屏幕上了解當前晶圓翹曲度、平面度、平整度的數(shù)據(jù)。
硅晶圓粗糙度測量
晶圓IC減薄后的粗糙度檢測
白光干涉儀所具有技術競爭力在于接觸式和光學三維輪廓儀的結合。通過利用接觸式及非接觸式雙模式基于技術上的優(yōu)勢獲得獲得全面的表面特性。既可以用于科學研究，也可以用于工業(yè)產(chǎn)品的檢測。
展開 晶圓和硅片的區(qū)別！
而切出的晶圓片的厚度與直徑有關，雖然半導體器件的制備只在晶圓的頂部幾微米的范圍內完成，但是晶圓的厚度一般要達到1mm，才能保證足夠的機械應力支撐，因此晶圓的厚度會隨直徑的增長而增長。
晶圓制造廠把這些多晶硅融解，再在融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。
晶圓的基本原料
硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，經(jīng)過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
硅片的定義
硅片是制作晶體管和集成電路的原料。一般是單晶硅的切片。硅片，是制作集成電路的重要材料，通過對硅片進行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運算能力。科學技術的發(fā)展不斷推動著半導體的發(fā)展。自動化和計算機等技術發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術產(chǎn)品的造價已降到十分低廉的程度。
硅片的規(guī)格
硅片規(guī)格有多種分類方法，可以按照硅片直徑、單晶生長方法、摻雜類型等參量和用途來劃分種類。
按硅片直徑劃分：
硅片直徑主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已發(fā)展到18英寸（450mm）等規(guī)格。直徑越大，在一個硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多，每個芯片的成本也就越低。因此，更大直徑硅片是硅片制各技術的發(fā)展方向。
展開 什么是晶圓級封裝
晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，縮寫WLP)是一種先進的封裝技術，因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢，近年來發(fā)展迅速。根據(jù)Verified Market Research 研究數(shù)據(jù)，晶圓級封裝市場 2020 年為 48.4 億美元，預計到 2028 年將達到 228.3 億美元，從 2021 年到 2028 年的復合年增長率為 21.4%。
一、晶圓級封裝VS傳統(tǒng)封裝
在傳統(tǒng)晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。
相比于傳統(tǒng)封裝，晶圓級封裝具有以下優(yōu)點：
1、封裝尺寸小
由于沒有引線、鍵合和塑膠工藝，封裝無需向芯片外擴展，使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。
2、高傳輸速度
與傳統(tǒng)金屬引線產(chǎn)品相比，WLP一般有較短的連接線路，在高效能要求如高頻下，會有較好的表現(xiàn)。
3、高密度連接
WLP可運用數(shù)組式連接，芯片和電路板之間連接不限制于芯片四周，提高單位面積的連接密度。
展開 18英寸晶圓，還有機會嗎？
過去多年里，我們討論了有關18英寸晶圓的一些東西。
這種直徑為450mm 晶圓的面積是 300mm 晶圓的 2.25 倍。如果您建造 450mm 晶圓廠，如果使其 wpm 輸出與 300mm 晶圓廠相同，則您需要的晶圓廠數(shù)量減少大約 2.25 倍（由于較低的邊緣芯片損失甚至更少），25 個內存晶圓廠變成 11 個內存晶圓廠，100 個邏輯或其他晶圓廠變成 44 個晶圓廠。這些是要建造的更易于管理的晶圓廠數(shù)量。
如果您查看運行晶圓廠所需的人員，所需的人數(shù)主要取決于晶圓的數(shù)量，通過運行更少的大晶圓，所需的人數(shù)會減少。
當 450 毫米正在積極工作時，目標是相同的晶圓產(chǎn)量（可能無法實現(xiàn)）、相同的化學品和氣體以及每個晶圓的公用事業(yè)使用量相同的工具占地面積，單位面積的使用量減少 2.25 倍。人們認識到，諸如曝光、注入和一些掃描晶圓表面的計量工具之類的光束工具的吞吐量會較低，但即使考慮到這一點，我的模擬也預計每片 450 毫米芯片的凈成本將降低 20% 到 25%。
不幸的是，開發(fā) 450mm 的努力已經(jīng)結束，唯一的 450mm 晶圓廠已經(jīng)退役。450 毫米的工作與過去的晶圓尺寸轉換不同，在 150 毫米時，英特爾是領導轉型并支付大量工作費用的公司，而在 200 毫米時則是 IBM。在 300mm 時，設備公司承擔了很多成本，他們需要很長時間才能收回投資。
450mm 的成本再次被推到設備公司身上，他們非常不愿意接受這種情況。
展開 
聚焦 | 高潮迭起的晶圓廠！
近幾天，三星、中芯國際和德州儀器（TI）接連爆出新建晶圓廠的重磅消息，又掀起了一波全球芯片產(chǎn)能擴充的小高潮。從這些龍頭企業(yè)的布局來看，美國和中國大陸的晶圓廠建設規(guī)模越來越凸出，與此同時，韓國、日本、東南亞也在跟進，而歐洲在新建晶圓廠方面似乎跟不上節(jié)奏，也正是因為如此，它們在想辦法趕上這股熱潮。因此，“瘋狂”的新建晶圓廠計劃和行動開始在全球范圍內上演。
急迫的美國
最近兩年，全球范圍內，想在本土大規(guī)模新建晶圓廠的地區(qū)中，美國是最為急不可待的，主要原因是還上多年在芯片制造業(yè)欠下的“債”。為此，美國給多家龍頭企業(yè)開出了多種優(yōu)厚條件，以爭取先進晶圓廠的落地。
本周，據(jù)國外媒體報道，美國德克薩斯州泰勒市已被確定為三星新晶圓代工廠所在地。不過，三星否認了這一報道。
今年 2 月，德克薩斯州的大雪導致三星奧斯汀工廠因停電停產(chǎn)，導致財務損失，三星需要探索奧斯汀以外的新地方以對沖基礎設施相關風險，預計投資170億美元新建晶圓廠。今年 6 月，三星要求泰勒市在未來 10 年提供 3.14 億美元的稅收優(yōu)惠，包括財產(chǎn)稅價值限制，該優(yōu)惠得到了泰勒市的批準。
一位三星官員表示：“關于三星新晶圓廠的選址，我們正在審查美國不同州城市提交的激勵計劃和其他形式的行政支持等細節(jié)。”
展開 晶圓缺陷查找方法解析
它們在整個晶圓上施加了棋盤效應，”
?圖 6：步進模式棋盤效果
在 IDDQ 測試中認識到這種模式后，該團隊建議使用數(shù)據(jù)驅動的方法來定義要應用的鄰域和限制，他們稱之為位置平均。他們用 IDDQ 測量說明了它的有效性。他們的技術還包括使用測量的殘差。最近鄰殘差 (NNR) 將地理空間關系與測試參數(shù)的算術修改相結合。NNR 本質上定義了基于相似值分布的鄰域，并且該分布不是原始測試測量值。
管芯參數(shù)性能的另一個數(shù)據(jù)源是管芯測量，這些也可用于定義管芯內的電氣鄰域。這使得鄰里的細化成為可能。
proteanTecs 測試和分析副總裁 Alex Burlak 說：“為了使地理空間技術有效，對 xy 和 z 方向的過程變化有很強的假設。“在先進的工藝節(jié)點中，芯片內的工藝變化可能會很顯著，并且會在 IC（鄰域）或晶圓（z 方向）之間進一步增強，從而降低地理空間技術的效率。因此，更有效的技術是為每個芯片創(chuàng)建一個預期的基線（即采用“個性化醫(yī)療”方法），使用機器學習和高級分析技術應用于由片上通用芯片遙測 (UCT) 監(jiān)視器生成的參數(shù)數(shù)據(jù)。您可以將其視為每個芯片的 PAT，而不是批次、晶圓、鄰域。”
結論
在過去十年中，更廣泛的產(chǎn)品工程社區(qū)采用基于晶圓位置的測試屏幕的情況顯著增加。第三方良率/測試管理系統(tǒng)的可用性有助于無晶圓廠和小型 IDM 使用此類技術。
展開 智能測量技術分享系列講座來啦！喬澤光學測量技術專員為您詳細解讀基于仿真模型的DIC應變測量方案！
創(chuàng)新的立體網(wǎng)格模型DIC全場測量方案在校準及數(shù)據(jù)分析方面有怎樣的突破？
這些問題敲打著每一個仿真設計人員及光測力學領域研究人員的好奇心呀！
在全球各個行業(yè)火熱進行數(shù)字化革命的大形勢下，制造業(yè)也開始了全系列產(chǎn)品的數(shù)字化推進，逐步將產(chǎn)品以數(shù)字流的形式進行傳輸，國際簡稱為MBD。MBD概念在本世紀初被提出，隨著軟硬件技術的提升以及以半導體為基礎的工業(yè)的進步，MBD的進階即數(shù)字孿生的概念得到蓬勃發(fā)展。從根本上講，數(shù)字孿生是以數(shù)字化的形式對某一物理實體過去和目前的行為或流程進行動態(tài)呈現(xiàn)，有助于提升企業(yè)績效。創(chuàng)建數(shù)字孿生，主要關注兩大領域：
領域一
設計數(shù)字孿生的流程和產(chǎn)品生命周期的信息要求——從資產(chǎn)的設計到資產(chǎn)在真實世界中的現(xiàn)場使用和維護；
領域二
創(chuàng)建使能技術，整合真實資產(chǎn)及其數(shù)字孿生，使測量數(shù)據(jù)與企業(yè)核心系統(tǒng)中的運營和交易信息實現(xiàn)實時流動。
數(shù)字孿生成為未來工業(yè)發(fā)展的標桿，但是測量和仿真之間的精度問題始終制約著其前進的步伐! DIC技術作為該瓶頸的突破口，毋庸置疑地成為數(shù)字孿生技術發(fā)展的著力點。DIC技術可以進行全場光學測量，在被用于數(shù)字孿生技術的測量端時，這一技術特征優(yōu)勢顯著。尤其是新型的FE-DIC技術的出現(xiàn)，直接基于CAD文檔進行校正和計算，大量減少或是拋棄了傳統(tǒng)DIC測量中校正板的使用，以MESH網(wǎng)格作為校正依據(jù)，直接將仿真和實測整合在一起，真正實現(xiàn)了“虛實整合”。
展開 晶圓代工廠，瞄準新賽道
對此，臺積電、三星兩家掌握尖端先進制造工藝的晶圓代工廠充分受益。
今年5月，恩智浦宣布采用臺積電5nm制程工藝打造新一代S32系列車用處理器。同時宣布，已與臺積電合作開發(fā)5nm ASIL D安全等級的SoC芯片；另外，高通、英偉達等廠商推出的數(shù)字座艙和自動駕駛芯片均依賴其先進工藝制程，部分產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)裝車。
而在MCU領域，臺積電生產(chǎn)的汽車MCU已占據(jù)約70%的市場份額，英飛凌、ST、NXP、TI、瑞薩電子等MCU主要供應商采用臺積電代工。中芯國際、華虹則是國內MCU主要代工企業(yè)。
在“2022全球智慧車高峰論壇”上，臺積電車用&微控制器業(yè)務開發(fā)部負責人林振銘表示，臺積電全力支持車用電子發(fā)展，2021年加碼50%產(chǎn)能，后來依然不夠用，因此2022年也在持續(xù)加碼，臺積電將全力支持汽車產(chǎn)業(yè)。
產(chǎn)能規(guī)劃方面，2021年4月，臺積電投資187億人民幣擴建南京晶圓代工廠，擴建后的晶圓廠主要用于車規(guī)級晶圓生產(chǎn)，晶圓制造工藝由16nm轉變?yōu)?8nm，月產(chǎn)量也由2萬片晶圓提升至4萬片。擴建廠區(qū)預計在2022年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，到2023年達到月產(chǎn)4萬片晶圓的標準。10月，臺積電再次傳來新廠建設的消息，擬于2022年在日本熊本縣建設22nm和28nm的晶圓制造產(chǎn)線，預計于2024年開始量產(chǎn)，該產(chǎn)線可能用于車規(guī)晶圓和家電晶圓的生產(chǎn)。
去年，臺積電還推出了N5A制程，聲稱這是世界上最先進的汽車半導體技術，正在接受汽車行業(yè)嚴格的質量、可靠性和功能安全標準的認證，包括 AEC-Q100、ISO 26262 和 IATF16949，預計將于 2022 年第三季度發(fā)布。
數(shù)據(jù)顯示，2021年臺積電來自汽車板塊業(yè)務收入同比增長64%，位居所有行業(yè)的首位。
展開 