晶圓制造設備
關注創建者：匿名 創建時間：2026-01-04
晶圓制造設備的實例教程
一塊芯片的誕生需經歷重重考驗，從設計到制造再到封裝測試，每一關都需用到大量的設備和材料。而在半導體加工的過程中，集成電路制造更是半導體產品加工工序最多，工藝最為密集的環節，因此本文將以晶圓制造為例，說明前道過程中所需要的設備，并闡述其市場情況。
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晶圓制造過程及應用設備
芯片需要經過設計、制造（包括硅片制造以及晶圓制造）、封裝測試才能最終落到客戶手中。
芯片制造流程圖
從圖中的集成電路制造廠板塊我們可以看到，晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。
晶圓制造主要步驟使用工藝及設備
設備中應用較為廣泛的有氧化爐、沉積設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備等。
展開 一塊芯片的誕生需經歷重重考驗，從設計到制造再到封裝測試，每一關都需用到大量的設備和材料。而在半導體加工的過程中，集成電路制造更是半導體產品加工工序最多，工藝最為密集的環節，因此本文將以晶圓制造為例，說明前道過程中所需要的設備，并闡述其市場情況。
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晶圓制造過程及應用設備
芯片需要經過設計、制造（包括硅片制造以及晶圓制造）、封裝測試才能最終落到客戶手中。
芯片制造流程圖
從圖中的集成電路制造廠板塊我們可以看到，晶圓制造過程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備，滿足不同的需要。
晶圓制造主要步驟使用工藝及設備
設備中應用較為廣泛的有氧化爐、沉積設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備等。
展開 它是以下測量技術的組合：
1、光譜共焦技術測量Wafer Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數，同時生成Mapping圖；
2、三維輪廓測量技術：對Wafer表面進行光學掃描同時建立表面3D層析圖像，高效分析晶圓表面形貌、粗糙度、測量鐳射槽深寬等形貌參數；
3、白光干涉光譜分析儀，可通過數值七點相移算法計算，以亞納米分辨率測量晶圓表面的局部高度，并實現膜厚測量功能；
4、紅外傳感器發出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），適用于測量外延片、鍵合晶圓幾何參數。
5、CCD定位巡航功能，具備Mark定位，及圖案晶圓避障功能。
WD4000無圖晶圓幾何量測系統已廣泛應用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設備、晶圓拋光設備、及封裝減薄工藝段的量測；覆蓋半導體前道、中道、后道整條工藝線。該系統不僅廣泛應用于半導體行業，在3C電子玻璃屏、光學加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業也大幅鋪開應用。
量測系統自動上下料，自動測量
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測量報告分享
展開 一年前成為英特爾首席執行官的帕特里克?蓋爾辛格正在游說美國國會為芯片廠建設提供撥款，并為設備投資提供稅收抵免。為了管理英特爾的支出風險，他計劃重點建設晶圓廠“外殼”，這些外殼可以配備相應的設備，以應對市場變化。
為了解決芯片短缺的問題，蓋爾辛格將不得不執行他的計劃，生產由其他公司設計的芯片。但一家公司能做的也就這么多了;像手機和汽車這樣的產品需要來自許多供應商的零部件，以及舊芯片。在半導體領域，也沒有哪個國家能夠獨善其身。盡管推動國內制造業可以在一定程度上降低供應風險，但芯片行業將繼續依賴一個復雜的全球企業網絡來提供原材料、生產設備、設計軟件、人才和專業制造。
展開 一年前成為英特爾首席執行官的帕特里克?蓋爾辛格正在游說美國國會為芯片廠建設提供撥款，并為設備投資提供稅收抵免。為了管理英特爾的支出風險，他計劃重點建設晶圓廠“外殼”，這些外殼可以配備相應的設備，以應對市場變化。
為了解決芯片短缺的問題，蓋爾辛格將不得不執行他的計劃，生產由其他公司設計的芯片。但一家公司能做的也就這么多了;像手機和汽車這樣的產品需要來自許多供應商的零部件，以及舊芯片。在半導體領域，也沒有哪個國家能夠獨善其身。盡管推動國內制造業可以在一定程度上降低供應風險，但芯片行業將繼續依賴一個復雜的全球企業網絡來提供原材料、生產設備、設計軟件、人才和專業制造。
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機械制造對基準平面的核心要求是“穩”
展會時間：2026年5月20日-22日
展會地點：武漢·中國光谷科技會展中心
預計30000㎡+展出面積；30000名+專業觀眾；400家+領先展商
同期舉辦：中國（武漢）數字經濟產業博覽會
在國家大力推動下，國內集成電路產業逐漸形成了以北京為核心的京津翼地區、以上海為核心的長三角地區、以深圳為核心的珠三角地區、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為核心的中西部地區四大產業聚集區
以晶圓制造關鍵設備——如刻蝕機和薄膜沉積設備——為例，它們的腔室、氣體分配盤和靜電卡盤等晶圓設備零件CNC機加工要求極為嚴格。
這些部件通常需要由高純度鋁、不銹鋼或特種工程塑料制成，結構復雜，對密封面、孔位、流道的光潔度和精度要求極高。
探針卡CNC機加工同樣代表了精密制造的高難度領域。作為晶圓測試的核心部件，探針卡上有成千上萬個微米級的孔位，用于容納探針并與芯片焊盤接觸。
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CINNO Research產業資訊，根據韓媒Digital Today報道，9月2日，韓國半導體顯示設備制造商SNU Precision公司宣布，公司已成功獲得用于生產AR/VR領域Micro OLED的12吋晶圓蒸鍍設備訂單。
該合同總金額為1820萬美元（約1.3億人民幣），占SNU Precision公司2023年度銷售額的18.81%。
交易對方是中國公司——淮南芯視佳半導體科技有限公司
WD4000無圖晶圓幾何量測系統已廣泛應用于襯底制造、外延制造、晶圓制造、晶圓減薄設備、晶圓拋光設備、及封裝減薄工藝段的量測；覆蓋半導體前道、中道、后道整條工藝線。該系統不僅廣泛應用于半導體行業，在3C電子玻璃屏、光學加工、顯示面板、光伏、等超精密加工行業也大幅鋪開應用。
CINNO Research產業資訊，Micro Display(微顯示)零部件解決方案專業廠商Raontech研發的Liquid Crystal on Silicon(LCoS)技術，即將在北美高端品牌的電動汽車抬頭顯示屏(HUD)上得到應用。
根據韓媒thelec報道，據業界5月10日消息，Raontech近日與英國AR平視顯示技術公司Envisics簽署了一項新協議，將向其供應LCoS背板晶圓
在晶圓制造前道過程的不同工藝階段點，往往需要對wafer進行厚度（THK）、翹曲度（Warp）、膜厚、關鍵尺寸（CD）、套刻（Overlay）精度等量測，以及缺陷檢測等；用于檢測每一步工藝后wafer加工參數是否達到設計標準，以及缺陷閾值下限，從而進行工藝控制與良率管理。半導體前道量檢測設備，要求精度高、效率高、重復性好，量檢測設備一般會涉及光電探測、精密機械、電子與計算機技術，因此在半導體設備中
CINNO Research產業資訊，日本半導體材料加工設備廠商高鳥株式會社（Takatori，以下簡稱為“高鳥”）近日推出了一款用于切割功率半導體方向碳化硅（SiC）晶圓的新型切割設備。該設備不僅支持切割當下主流的直徑為6吋（約15厘米）的晶圓，還可用于切割10吋晶圓（約25厘米），可顯著提升半導體芯片的生產效率。
新型多線切割設備可切割直徑為10吋的晶圓
與硅基功率半導體相比
7月25
