3C電子材料的案例
“3C”電子產(chǎn)品跌落實(shí)例講解
“3C”電子產(chǎn)品跌落實(shí)例講解真的很好的用hypermesh＋lsdyna做的例子．這個(gè)例子非常適合新手學(xué)習(xí)！希望新手在這個(gè)例子中得到提高
“3C”電子產(chǎn)品跌落實(shí)例講解―――MP3.rar
MP3_droptest.hm文件
MP3_droptest.part1.rar
MP3_droptest.part2.rar
MP3_droptest.part3.rar
我把該仿真的結(jié)果文件給過來大家看看．大家一起討論討論．
為何3C電子精密件測量首選閃測儀？
所以對于3C電子精密件測量而言，閃測儀的優(yōu)勢更為突出。
[原創(chuàng)] “3C”電子產(chǎn)品跌落實(shí)例講解―――MP3
[原創(chuàng)] “
3C
”電子產(chǎn)品跌落實(shí)例講解―――MP3
---Altair HyperMesh與LS-DYNA接口實(shí)例
主持者：東南大學(xué)的Winken
案例簡介：
序言：本實(shí)例制作應(yīng)中國CAE聯(lián)盟論壇案例講解之要求而作，其作品版權(quán)屬本人個(gè)人所有，可供任何人、任何免費(fèi)網(wǎng)站或論壇下載傳播。
本教程的目的：在于幫助一些初學(xué)者用戶快速而且方便地學(xué)會利用HyperMesh作為前處理器，聯(lián)合LS-DYNA進(jìn)行一些“3C”電子產(chǎn)品跌落的模型仿真，例如：MP3、手機(jī)等等產(chǎn)品。實(shí)例本身所采用的數(shù)據(jù)或邊界條件不具有通用性，其最終的跌落數(shù)據(jù)結(jié)果不具權(quán)威性，作者其實(shí)例演示只是提供給各位初學(xué)者入門用，其一理解“3C”電子產(chǎn)品跌落的模擬流程；其二理解HM+LS-DYNA的分析流程，同時(shí)提供一些作者本人的見解。
案例描述：MP3跌落模擬仿真
求解目的：了解該MP3在跌落過程中，殼體的設(shè)計(jì)是否滿足要求（不考慮其他零部件是否失效，但是要考慮其他零件在跌落過程中對殼體的影響）。
說明：整個(gè)案例嚴(yán)格按照有限元仿真的流程來執(zhí)行，包括前處理、有限元分析和后處理過程，其中也包括作者本人的一些見解。其內(nèi)容包含文字、圖片和模型文件。如果在使用本教程中遇到任何問題請?jiān)诖颂酉旅媪粞裕液茉敢夂透魑灰煌接懀餐M(jìn)步。同時(shí)水平有限，教程中必有許多值得商榷之處，也請各位多多原諒。
專家組：崔向陽 DYNA(面對現(xiàn)實(shí)) olive
(歡迎各路高手加入專家組,進(jìn)行高質(zhì)量的案例討論,想加入請聯(lián)系版主)
展開 電子紙 | Nanobrick成功開發(fā)納米材料可變色全彩電子紙薄膜
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，基于納米粒子的先進(jìn)新材料專業(yè)廠商N(yùn)anobrick成功研制出全彩色(full-color)電子紙(E-Paper)薄膜。
Nanobrick實(shí)現(xiàn)世界上首次成功利用光晶體成功開發(fā)全彩色電子墨水，但由于薄膜化限制，在擴(kuò)大應(yīng)用上存在限制。通過此次薄膜研發(fā)，成功制作納米材料可變色薄膜，加快了全彩色電子紙的商業(yè)化進(jìn)程。
Nanobrick公司1月19日表示，其成功研制了全彩色(full-color)電子紙(E-Paper)薄膜。
“電子紙是全球性公司數(shù)十年來通過大規(guī)模投資推動商業(yè)化的，”Nanobrick相關(guān)人士表示，“但目前只有唯一一家公司EIH（E Ink Holdings Inc.）成功實(shí)現(xiàn)商業(yè)化，是一項(xiàng)高難度技術(shù)。”
并稱“競爭公司的話，通過粒子的移動實(shí)現(xiàn)顏色的方式，需要復(fù)雜的圖案工藝和驅(qū)動板”，“而本公司的原創(chuàng)技術(shù)只需要調(diào)節(jié)納米粒子的間距，就可以實(shí)現(xiàn)全彩色，使膜本身實(shí)現(xiàn)顏色可變”。
目前市場上不斷在強(qiáng)調(diào)電子紙的價(jià)值。代表性地是，近期BMW在“CES 2022”展會上，曾公開在車表面涂布電子紙，實(shí)現(xiàn)顏色可變的汽車，引起業(yè)界廣泛關(guān)注。
展開 
2024電子封裝測試展|2024上海電子封裝測試展_技術(shù)_材料
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環(huán)氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、電子封裝測試技術(shù)設(shè)備、電子燒結(jié)相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進(jìn)的封裝和系統(tǒng)集成技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導(dǎo)電膠等互連材料;芯片下填料、粘結(jié)劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導(dǎo)熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設(shè)計(jì)與模擬: 各種新的封裝/組裝設(shè)計(jì)；電子封裝的電、熱、光和機(jī)械特性建模、模擬和驗(yàn)證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領(lǐng)域封裝: 傳感器、執(zhí)行器、微機(jī)電系統(tǒng)、納機(jī)電系統(tǒng)、微光機(jī)電系統(tǒng)的封裝技術(shù);光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術(shù)在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領(lǐng)域的應(yīng)用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 2024電子封裝測試展|2024上海電子封裝測試展_技術(shù)_材料_展
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環(huán)氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、電子封裝測試技術(shù)設(shè)備、電子燒結(jié)相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成: 球柵陣列封裝、芯片級封裝、倒裝芯片、晶圓級封裝、三維集成及其它各種先進(jìn)的封裝和系統(tǒng)集成技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導(dǎo)電膠等互連材料;芯片下填料、粘結(jié)劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導(dǎo)熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設(shè)計(jì)與模擬: 各種新的封裝/組裝設(shè)計(jì)；電子封裝的電、熱、光和機(jī)械特性建模、模擬和驗(yàn)證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領(lǐng)域封裝: 傳感器、執(zhí)行器、微機(jī)電系統(tǒng)、納機(jī)電系統(tǒng)、微光機(jī)電系統(tǒng)的封裝技術(shù);光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術(shù)在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領(lǐng)域的應(yīng)用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 電子科大熊杰團(tuán)隊(duì)Angew.精彩綜述：納米材料的電子結(jié)構(gòu)調(diào)變與高效水裂解
圖二.無機(jī)納米材料的空位和能帶結(jié)構(gòu)。
（a）鈣鈦礦型La1-xFeO3-δ中O和Fe4+空位的說明;（b）室溫下La1-xFeO3-δ樣品的穆斯堡爾譜;（c）氫還原處理和Yb摻雜對電導(dǎo)率和電子數(shù)量的協(xié)同作用和（d）氫處理與電子態(tài)調(diào)節(jié)之間關(guān)系圖;（e）PDOS和TDOS減少的Co3O4和原始的Co3O4的結(jié)果;（f）O空位的模擬能量;占用的數(shù)量不同電子d波段和σ軌道之間耦合的例證在引入人工空缺之前（g）和之后（h）。
圖三. 材料電子結(jié)構(gòu)和催化性能。
（a）Co陽離子的電子配置方案; （b）Co空缺時(shí)的PAS結(jié)果; （c）線性掃描伏安法（LSV）曲線和（d）0.1M KOH中相應(yīng)的Tafel圖; MoS2的模擬帶結(jié)構(gòu)方案，（e）0％（左圖）和（f）25％（右圖） 小組S空位的濃度; （g）由S-空位增加引起的能帶結(jié)構(gòu)的調(diào)整結(jié)果。
圖四. 無機(jī)納米材料的能帶結(jié)構(gòu)和電子配置。
（a）V0.08Mo0.92S2的費(fèi)米能級以上的空狀態(tài)等值面（藍(lán)色陰影）; （b）V0.08Mo0.92S2納米片的PDOS圖;（c）方坐標(biāo)環(huán)境的方案和Co2+離子的電子構(gòu)型; （d）具有4個(gè)N原子的石墨材料中吸附能與配位過渡金屬原子基團(tuán)之間的趨勢; （e）每個(gè)反應(yīng)步驟作為d波段中心函數(shù)的潛力;（f）來自活性位點(diǎn)的價(jià)帶與來自吸附物的鍵合軌道的軌道雜化方案;（g）含氧的MoS2板（頂部）和原始的2H-MoS2板（底部）的DOS；（h）氧原子附近的價(jià)帶（左）和導(dǎo)帶（右）的電荷密度分布。
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（課題組網(wǎng)頁：http://www.scut.hhwang.ycym.com/）
來源：材料人
基于第三代半導(dǎo)體材料的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)
【引言】
以氮化鎵，碳化硅和氧化鋅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在消費(fèi)電子，5G通訊，電動汽車，光電通信等諸多新興領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。這些寬禁帶材料同時(shí)也具有非中心對稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性。然而這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過程長期以來被忽略。
針對壓電半導(dǎo)體中極化電荷和半導(dǎo)體特性耦合過程的研究和應(yīng)用，佐治亞理工學(xué)院及中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所的王中林院士分別于2007年和2010年首次提出壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本概念和原理，并建立了壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)這兩大新興學(xué)科。在壓電電子學(xué)效應(yīng)中，壓電半導(dǎo)體材料受機(jī)械作用產(chǎn)生的極化電荷對金屬-半導(dǎo)體肖特基結(jié)或p-n結(jié)界面處的載流子傳輸過程進(jìn)行有效調(diào)制，實(shí)現(xiàn)了將外部機(jī)械信號轉(zhuǎn)變?yōu)閴弘?em>電子學(xué)器件（例如晶體管，邏輯電路等）中的門控信號。在壓電光電子電子學(xué)效應(yīng)中，壓電半導(dǎo)體材料受機(jī)械作用產(chǎn)生的極化電荷對光生載流子的產(chǎn)生，復(fù)合，分離以及輸運(yùn)的過程進(jìn)行有效調(diào)制，實(shí)現(xiàn)了將外部機(jī)械信號轉(zhuǎn)變?yōu)閴弘姽?em>電子學(xué)器件（例如光電探測器，發(fā)光二極管等）中的門控信號。
壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)不僅提供了豐富的基礎(chǔ)研究機(jī)會，并在人機(jī)交互、微納機(jī)電器件、傳感和自驅(qū)動系統(tǒng)，人工智能等領(lǐng)域也具有廣闊的應(yīng)用前景，由此激發(fā)了科研人員在這個(gè)領(lǐng)域的研究興趣。近年來對于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計(jì)研發(fā)。為增進(jìn)研究者們對壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的理解以推進(jìn)其實(shí)際應(yīng)用，王中林院士組織領(lǐng)域內(nèi)研究者在2018年12月的美國材料學(xué)會會刊（MRS Bulletin）上撰寫了主題為“壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)”的專刊。
展開 材料 | 日本產(chǎn)綜研觀測到OLED材料電子活動，揭示發(fā)光效率低下原因
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所，近日宣布：成功地直接觀測到OLED（有機(jī)LED）材料的電子活動，這將揭示OLED材料發(fā)光效率低下的原因。OLED作為新一代顯示屏材料一直備受關(guān)注。特別是被稱作TADF（熱激活延遲熒光）的獨(dú)特的發(fā)光分子材料，由于只由輕元素組成，且可實(shí)現(xiàn)100%的發(fā)光量子效率，一直作為發(fā)揮核心作用的OLED材料而備受關(guān)注。
根據(jù)日媒產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所報(bào)道，控制TADF材料發(fā)光的是在激發(fā)狀態(tài)下電子的動態(tài)運(yùn)動。一直以來，直接觀測電子的動態(tài)很困難，只能通過發(fā)出的光進(jìn)行間接推斷。現(xiàn)在，通過使用改良的時(shí)間分辨光發(fā)射電子顯微鏡（TR-PEEM），首次實(shí)現(xiàn)了在結(jié)構(gòu)控制良好的TADF材料薄膜中，直接觀測TADF發(fā)射過程中電子的動態(tài)變化。通過這項(xiàng)技術(shù)，研究人員成功地捕捉到了從激發(fā)電子的產(chǎn)生到發(fā)光失活的電子動態(tài)，以及稱作濃度淬滅的獨(dú)特的非輻射失活過程。觀察結(jié)果發(fā)現(xiàn)，受激發(fā)電子產(chǎn)生的激子會自發(fā)解離而產(chǎn)生長壽命電子，這些電子會降低TADF的發(fā)光效率。
本項(xiàng)研究結(jié)果提供了對TADF發(fā)光過程本質(zhì)的基本認(rèn)識。通過對可控薄膜中激發(fā)電子的動力學(xué)進(jìn)行系統(tǒng)研究，有望加速高性能TADF設(shè)備的開發(fā)。
展開 材料｜默克宣布旗下高性能材料業(yè)務(wù)更名為默克電子科技！看好中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展
全球領(lǐng)先的科技公司
默克
日前宣布旗下“高性能材料(Performance Materials)”業(yè)務(wù)正式更名為“電子科技(Electronics)”。這一舉措體現(xiàn)了該業(yè)務(wù)板塊在過去數(shù)年戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的顯著成果。自2018年啟動“光明未來”轉(zhuǎn)型計(jì)劃以來的又一重大里程碑。
擁抱客戶，推動智慧化的本土化策略
“自去年宣布了中國已經(jīng)投入1.4億人民幣，在上海金橋建設(shè)全新默克電子科技中國中心，這個(gè)電子科技中心也會進(jìn)一步服務(wù)我們在半導(dǎo)體跟顯示領(lǐng)域的客戶，共同開發(fā)一些創(chuàng)新產(chǎn)品跟整個(gè)服務(wù)解決方案，給到我們中國客戶，這也是我們未來會進(jìn)一步扎根中國市場，更好服務(wù)這個(gè)行業(yè)一個(gè)基礎(chǔ)”。 默克中國總裁兼電子科技中國區(qū)董事總經(jīng)理安高博表示。
“目前做的默克電子科技業(yè)務(wù)在中國市場大概為上百家芯片制造商供應(yīng)超過150種以上的半導(dǎo)體材料材料，這個(gè)技術(shù)中心可以對這些高純度、高精度的材料產(chǎn)品做質(zhì)量檢測，做一些可回收容器的處理，而且可以做一些測試樣品的準(zhǔn)備，這只是第一步，后面我們會更多應(yīng)用，真正意義上的R&D接踵而來，這是默克在中國戰(zhàn)略的布局”。陳天牛博士(Dr. Rick Chen) 默克中國電子科技業(yè)務(wù)半導(dǎo)體事業(yè)部總經(jīng)理補(bǔ)充到。
默克中國電子科技中心一期投資1.4億人名幣，計(jì)劃于2022年上半年竣工。竣工的第一期將集中有以下三種功能：
1. 涵蓋150多種的半導(dǎo)體材料質(zhì)量檢測
2. 平坦化及薄膜材料的測試樣品的置備
3.
展開 
【材料課堂】透射電鏡電子衍射花樣的標(biāo)定與分析！
二次衍射花樣形成的示意圖
上圖是二次衍射中出現(xiàn)多余衍射斑點(diǎn)的兩種不同，其中圖a是在鎂鈣合金中得到的的電子衍射花樣，圖中本來只存在兩套花樣，分別是鎂的[-1100]晶帶軸電子衍射花樣和Mg2Ca相的[3-302]晶帶軸花樣。而花樣中出現(xiàn)的很多衛(wèi)星斑是由于二次衍射，通過Mg2Ca相的(1-103)斑點(diǎn)與Mg的(000-2)斑點(diǎn)之間存在的差矢平移造成的。圖b和圖c是一種有序鈣鈦礦相中沿[010]p方向得到的電子衍射花樣，其中圖b是在較厚的地方得到，而圖c則是在很薄的地方得到。在較薄的地方，由于不存在動力學(xué)效應(yīng)，可以清楚地看到花樣中存在相當(dāng)多消光的斑點(diǎn)，但在較厚的地方，由于動力學(xué)效應(yīng)，出現(xiàn)二次衍射的矢量平移，使得本來應(yīng)該消光的斑點(diǎn)變得看起來不消光了。
典型的例子：硅的電子衍射花樣，圖中紅圈內(nèi)的衍射應(yīng)該是系統(tǒng)消光的。但（200）可以是（111）衍射電子再發(fā)生（1-1-1）衍射的總的效果。這一現(xiàn)象被稱為二次衍射或動力學(xué)衍射。同理，消光的（222）也可以由兩次（111）來產(chǎn)生。（200）也可以通過（111）+（111）+（0-2-2）來產(chǎn)生，只是這種多次衍射的幾率更低一些罷了。
電子衍射圖譜標(biāo)定
本文來自“華人電子顯微學(xué)會、材料基”。
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實(shí)用！
展開 干貨 | 這些電子封裝材料，你了解么？
電子封裝材料一般要具備與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)，同時(shí)具有很好的散熱性能。狹義的電子封裝材料指包裹芯片和引線框架的封裝外殼，也就是通常所說的塑料封裝、陶瓷封裝、金屬封裝。而廣義的電子封裝材料指除芯片以外，封裝體中剩下的所有部分，包括封裝外殼、基板、鍵合線、粘結(jié)材料、引線框架、封裝體底部焊點(diǎn)、散熱片。
圖1 芯片封裝體示意圖
今天筆者來對各種封裝材料進(jìn)行詳細(xì)的介紹：
1.封裝外殼
封裝外殼主要對芯片和引線框架起到密封和保護(hù)的作用，通常需要具有與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)，散熱性較好且與內(nèi)部器件的黏結(jié)性較好。常見的封裝外殼材料有塑料、金屬、陶瓷。塑料封裝外殼主要以環(huán)氧樹脂為主，但由于環(huán)氧樹脂熱膨脹系數(shù)較高且導(dǎo)熱性較差，常采用二氧化硅作為填充料，以降低其熱膨脹系數(shù)并改善熱導(dǎo)率。目前而言，塑料封裝依然是主要的封裝形式，但在導(dǎo)熱和可靠性要求較高的場合，會采用陶瓷封裝，在一些特殊領(lǐng)域也會采用金屬封裝。比如一些軍用模塊會使用陶瓷封裝，紅外探測器芯片會采用金屬封裝。
2.基板
基板主要對芯片起到固定、支撐、散熱以及連接下層電路板的作用，在很多封裝形式當(dāng)中可能不涉及基板，而是芯片直接貼裝在引線框架上。基板通常可以分為樹脂基板、陶瓷基板、金屬基板。常見的樹脂基板有玻璃纖維增強(qiáng)環(huán)氧樹脂基板、BT樹脂基板，常見的陶瓷基板為高溫共燒陶瓷基板（HTCC）和低溫共燒陶瓷基板（LTCC），金屬基板有銅基板、鋁基板。
展開 電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝
陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低，在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、LD（激光二極管）、大功率LED（發(fā)光二極管）、CPV（聚焦型光伏）封裝中的應(yīng)用越來越廣泛。
陶瓷基片主要包括氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）和氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）。與其他陶瓷材料相比，Si3N4陶瓷基片具有很高的電絕緣性能和化學(xué)穩(wěn)定性，熱穩(wěn)定性好，機(jī)械強(qiáng)度大，可用于制造高集成度大規(guī)模集成電路板。
幾種陶瓷基片材料性能比較
從結(jié)構(gòu)與制造工藝而言，陶瓷基板又可分為HTCC、LTCC、TFC、DBC、DPC等。
高溫共燒多層陶瓷基板（HTCC）
HTCC，又稱高溫共燒多層陶瓷基板。制備過程中先將陶瓷粉（Al2O3或AlN）加入有機(jī)黏結(jié)劑，混合均勻后成為膏狀漿料，接著利用刮刀將漿料刮成片狀，再通過干燥工藝使片狀漿料形成生坯；然后依據(jù)各層的設(shè)計(jì)鉆導(dǎo)通孔，采用絲網(wǎng)印刷金屬漿料進(jìn)行布線和填孔，最后將各生坯層疊加，置于高溫爐（1600℃）中燒結(jié)而成。此制備過程因?yàn)闊Y(jié)溫度較高，導(dǎo)致金屬導(dǎo)體材料的選擇受限（主要為熔點(diǎn)較高但導(dǎo)電性較差的鎢、鉬、錳等金屬），制作成本高，熱導(dǎo)率一般在20~200W/（m·℃）。
低溫共燒陶瓷基板（LTCC）
LTCC，又稱低溫共燒陶瓷基板，其制備工藝與HTCC類似，只是在Al2O3粉中混入質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%~50%的低熔點(diǎn)玻璃料，使燒結(jié)溫度降低至850~900℃，因此可以采用導(dǎo)電率較好的金、銀作為電極材料和布線材料。因?yàn)長TCC采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)制作金屬線路，有可能因張網(wǎng)問題造成對位誤差；而且多層陶瓷疊壓燒結(jié)時(shí)還存在收縮比例差異問題，影響成品率。
展開 軟電子材料與結(jié)構(gòu)總結(jié)與展望
根據(jù)定義，柔性電子器件僅能覆蓋可延展曲面，而可拉伸性則變得需要當(dāng)器件想要無縫集成于不可延展曲面。兩種策略能夠賦予器件可拉伸性能：1) 材料創(chuàng)新，通過合成本征可拉伸的或者集成可拉伸的材料；2) 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，賦予不可拉伸材料特殊的機(jī)械結(jié)構(gòu)，通過材料結(jié)構(gòu)形變吸收施加在器件上的應(yīng)力應(yīng)變，從而避免材料本身失效。
綜述總覽圖
此綜述中，作者全面總結(jié)了基于兩種策略構(gòu)建可拉伸電子器件的進(jìn)展。其中，材料部分總結(jié)了水凝膠、液態(tài)金屬、導(dǎo)電聚合物和納米材料面向于可拉伸電子器件應(yīng)用的各種材料特性及其加工方法和代表應(yīng)用；結(jié)構(gòu)部分重點(diǎn)介紹了waves/wrinkles, island–bridges (包括serpentine, self-similar, spiral, arc-shape, non-coplanar serpentine, helix), textiles, origami, kirigami, cracks, and interlocks在賦予器件可拉伸性時(shí)的機(jī)械設(shè)計(jì)考慮和器件工作時(shí)的力學(xué)特性，相關(guān)的工作機(jī)制、加工方法和代表應(yīng)用等也被提及。最后，作者提出了該研究領(lǐng)域面臨的一些挑戰(zhàn)，例如增加元器件集成度，延長器件工作壽命，降低器件功耗和制造成本，提高可拉伸能源器件能量密度，改善器件生物相容性和穿戴舒適度，實(shí)現(xiàn)無線信號傳輸和能量輸送。
第一作者：王春楓，王沖和，黃振龍
通訊作者：徐升
通訊單位：加州大學(xué)圣地亞哥分校 （UCSD）
參考文獻(xiàn)
Chun feng Wang et al., Materials and Structures toward Soft Electronics. Adv.
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