快充電源
關注創建者：如果我年少有為 創建時間：2023-04-27
快充電源的實例教程
優勢:
返馳式谷底偵測減少開關損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達93%
空載損耗低于50mW
控制IC可支持頻率高達160 kHz
系統頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅動GaN
進階保護功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時較大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護
(4) 輸出短路保護
可輸出65W功率
該快充電源廣泛應用于：電源適配器、LED照明驅動器、LCD顯示器電源、帶充電界面排插等領域。
臺灣美祿在GaN/氮化鎵領域頗有建樹，技術以及產品方面已經很完善，如果想了解更多GaN/氮化鎵的技術資料，歡迎致電聯系：133 9280 5792(微信同號)
展開 三、PCB布局圖：
四、優勢：
■返馳式谷底偵測減少開關損失
■輕載Burst Mode增加效率
■最佳效能可達91%
■空載損耗低于50mW
■控制IC可支持頻率高達160 kHz
■系統頻率有Jitter降低EMI干擾
■控制IC可直接驅動GaN
■進階保護功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時最大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護
(4) 輸出短路保護
■可輸出65W功率
五、電路原理圖
六、主要零件溫度量測：
七、傳導EMI量測 (CISPR22 Class B/EN55022)
八、輻射EMI量測：
GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案整體工作頻率更高、環路穩定性更佳，效果高達91.62%，待機功耗小于50mW，更多GaNPD快充方案、線路圖紙、變壓器設計、測試數據及應用要點等資料，可聯系：19168597394（微信同號）歡迎咨詢
展開 耐威科技表示，在采用國際業界嚴苛判據標準的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優勢，能夠保障相關材料與技術在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。
公告稱，本次“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，短期內不會對公司的生產經營產生重大影響，但有利于公司加快在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備，有利于增強公司核心競爭力并把握市場機遇。
第三代半導體材料有何優勢？
據悉，第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，與第二代半導體硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等材料相比，第三代半導體材料氮化鎵（GaN）具有更大的禁帶寬度（>3 eV），一般也被稱為寬禁帶半導體材料。
得益于禁帶寬度的優勢，GaN材料在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能力方面都明顯優于Si、GaAs等傳統半導體材料。
此外，GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面也較Si更為優異，因此特別適用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件，在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域具有廣泛的應用前景。
與此同時，將GaN外延生長在硅襯底之上，可以有效地結合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圓的大尺寸、低成本優勢。基于先進的GaN-on-Si技術，可以在實現高性能GaN器件的同時將器件制造成本控制在與傳統Si基器件相當的程度。
因此，GaN-on-Si技術也被業界認為是新型功率與微波電子器件的主流技術。
展開 65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協議IC)可達到適優匹配。
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管；采用PD3.0協議IC。
該方案能夠有效降低寄生參數對高頻開關的影響，獲得更高的轉換效率和更優秀的可靠性；實現“更高效率，更大功率，更小體積，更低發熱。”采用了智能溫控技術做到了“大功率下更小體積、更好溫控”支持多種充電模式，對不同的設備功率略有不同，USB-C接口實際較大輸出功率為65W。
展開 活動規則
本次直播進階課設4輪抽獎環節，每輪抽獎將抽出3位參與評論區互動的客戶，各贈送3C認證快充移動電源小禮品一個。
本次直播期間提交調查問卷的客戶，也將有機會參與問卷調查會后抽獎環節，共抽出8位客戶各贈送3C認證快充移動電源小禮品一個。
若您中獎，主辦方將于直播結束后一周內發送中獎短信至您的注冊手機號，自收到短信起3天內，若未收到您填寫的地址等個人信息，視為自動放棄該獎品。
獎品將于直播結束后2周內以快遞形式寄出，寄出時運單將注明“西門子活動獎品”，請留意查收。
* 本活動最終解釋權歸西門子數字化工業軟件。具體抽獎規則請以直播當天公布為準。
3C認證快充移動電源
報名鏈接：https://events.siemens.com.cn/disw/we/at008?pk_source=jishulin
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*研討會PPT（公開版）
*同行交流群
*免費領行業案例，課程資料
*更多權益陸續更新中......
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本次直播期間提交調查問卷的客戶，也將有機會參與問卷調查會后抽獎環節，共抽出8位客戶各贈送3C認證快充移動電源小禮品一個。
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返馳式谷底偵測減少開關損失
輕載Burst Mode增加效率
較佳效能可達93%
空載損耗低于50mW
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系統頻率有Jitter降低EMI干擾
控制IC可直接驅動GaN
進階保護功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時較大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護
(4) 輸出短路保護
可輸出65W功率
該快充電源廣泛應用于
推薦一款來自臺灣美祿的快充電源設計方案，本電源模塊是65W1A2C界面，其輸出電壓由協議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構于輸出20V重載時可達91.62%效率及功率密度可達1.5W/cm3，本系統采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制
65W快充是目前快充市場出貨的主流規格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時最大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護
(4) 輸出短路保護
■可輸出65W功率
五、電路原理圖
六、主要零件溫度量測：
七、傳導EMI量測 (CISPR22 Class B/EN55022)
八、輻射EMI量測：
GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案整體工作頻率更高
推薦一款來自臺灣美祿的快充電源設計方案，本電源模塊是65W1A2C界面，其輸出電壓由協議IC可以控制5V/3A, 9V/3A, 15V/3A, 20V/3.25A等電壓輸出，使用QR/DCM反馳式電路架構于輸出20V重載時可達91.62%效率及功率密度可達1.5W/cm3，本系統采用同系列控制單晶片：QR一 次 側 控 制 IC 驅 動 MTC D-mode GaN FET(MGZ31N65-650V
其中，電源管理芯片開發和產業化項目主要擴大非快充移動電源芯片和TWS耳機充電倉芯片的銷售規模，并進行電源管理芯片的持續研究開發。
▲英集芯計劃募資情況
而在鞏固移動電源芯片、快充協議芯片、車充芯片、無線充電芯片、TWS耳機芯片等產品優勢地位的情況下，英集芯未來將持續在智能音頻處理、家用電器、物聯網、汽車電子等方向進行布局。
據IHS數據，2023年全球SiC器件需求有望達16.44億美元，2017-2023年復合增速約為26.6%；下游主要應用場景包含EV、快充樁、UPS電源（通信）、光伏、軌交以及航天軍工等領域，其中電動車行業有望迎來快速爆發（CAGR81.4%），通信、光伏等市場空間較大。伴隨SiC器件成本下降，全生命周期成本性能優勢有望不斷放大，潛在替代空間巨大。
隨著5G時代的到來，5G 基站與數據中心的建設將大幅度帶動GaN 射頻與功率器件市場，GaN 在快充等電源控制方面的應用也成為的新的需求增長點。
）、工業電源等領域，有廣泛應用的市場前景（這些領域主要應用650V，1200V，1700V耐壓等級）。
