這些參數隨后被導出至INTERCONNECT模塊，其中包括電壓相關的結電容。INTERCONNECT元件庫為行波調制器的設計與仿真提供了所需的靈活性。有關仿真流程的更多信息，請參閱Traveling Wave Modulator（鏈接：https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042328774）。

FDTD求解器還可以與Ansys Speos設計工具配合使用，計算錐光坐標中的光譜強度。 Ansys Lumerical CHARGE和Ansys Lumerical MQW求解器：對LED的電流-電壓（I-V）曲線、自發發射功率頻譜和內部量子效率進行仿真。

濾波器是階躍函數，因此預測耦合位移和電壓場的準確性至關重要，精度決定了濾波器曲線的斜率，即從0到無窮大。濾波器要具有陡峭的響應曲線，才能成為有效濾波器，因此需要非常精確的工具來準確評估該曲線的陡峭程度以及其對溫度變化的敏感性。 對于許多MEMS器件來說，設計和優化機械組件中使用的尺寸和材料，是設計流程最重要的環節之一。

結合兩種方法，損耗-效率乘積可降至≈50dB·V，對應插入損耗5dB且Vπ值<10V，已接近實際應用的電壓要求。未來工作將探索其他可行方案，包括幾何結構與材料工程優化。 綜上所述，我們基于TFLN平臺實現了PSW MZM調制器，該器件在高密度光子集成領域展現出顯著優勢，可同時實現高調制效率、寬帶寬與緊湊尺寸。

為表征器件的電光響應特性，采用高速微波探針將LCA輸出的掃頻正弦信號驅動調制器。其余探針提供終端匹配以降低微波信號反射。電光響應參數通過LCA參數提取獲得。 我們展示了利用110GHz帶寬LCA獲得的1546.1、1546.7、1546.92和1547.1nm波長下的EO S21曲線，如圖3b所示。

因此，經R1和R2分壓后的 信號主要施加于C2形成調制電壓。 也會在C2上產生直流電壓降，該電壓構成直流偏置電壓。這些模型中不同元件兩端的最終電壓如圖3a、b所示。當同時向器件施加12V峰峰值、1MHz正弦 與2V 時，經R1和R2分壓后的最終調制電壓VC2，對于s-sep和g-sep兩種結構而言，均為2V直流偏置電壓與6V峰峰值微波電壓之和。

DC-AC逆變器（牽引逆變器）：DC-AC逆變器將電池的直流電轉換為交流電，產生控制電機速度和加速度所需的交流電壓。DC-AC逆變器包含有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）或碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率器件，這些器件通過印刷電路板（PCB）或功率母排相連。這些電源半導體器件可作為高速開關，“開”“關”電機的大電流和高電壓，以模擬正弦電流波形。

圖5為基體板自由端某一節點位移時域曲線。 最后，有相關需求歡迎通過公眾號“320科技工作室”與我們聯絡。

因為，上位機使用得到的電壓電流、扭矩轉速和功率效率均為計算后的記過，如果需要排查問題則需要計算前的原始數據，比如電壓電流的正弦波形或者扭矩轉速的脈沖信號。 另外，eDrive 軟件會計算“CycleMaster”通道的頻率，并生成一條新的頻率曲線，稱為 “Cycle_Check”。這條 Cycle_Check 曲線必須與轉速 n 的波形完全一致。

，單元通過共旋坐標法分離剛體運動與彈性變形，結合 von Karman 非線性板理論，可精確模擬載荷 - 位移曲線中的 “階躍” 現象。即使在粗網格（4×4×2）下，單元計算結果與解析解的誤差仍小于 5%，顯著優于傳統 C3D8R/Solid45 單元。 將擬協調單元CSS8與 ANSYS 的 Solsh190、ABAQUS 的 SC8R進行對比，從精度、效率、穩定性三方面評估優勢。