MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會改變柵極的耗盡區(qū)，從而改變介電屬性，進而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應用中尤其有用，在這種應用中，直流電壓保持恒定。

MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會改變柵極的耗盡區(qū)，從而改變介電屬性，進而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應用中尤其有用，在這種應用中，直流電壓保持恒定。

圖4：不同偏置電壓下，諧振峰發(fā)生偏移 從圖4可以看到，施加不同偏置電壓后，諧振峰發(fā)生了偏移，因此給器件加不同電壓時，某一固定波長處的透射率發(fā)生改變，從而實現(xiàn)電信號到光信號的轉換。 3)優(yōu)缺點： 微環(huán)結構的引入給硅基電光調制器的性能帶來顯著改善。①由于微環(huán)調制器的尺寸很小，可以集成在高密度的光子芯片上。②由于微環(huán)諧振腔的高Q值，微環(huán)調制器可以在較低功率下工作，有助于降低整體功耗。

2) 調制過程： 施加反向偏置電壓→PN結空間電荷區(qū)變寬→耗盡區(qū)內載流子濃度減小→波導折射率和吸收系數(shù)改變→實現(xiàn)電光調制。 3) 電極結構： 為獲得足夠的調制深度，采用載流子耗盡型的調制器長度較長，通常為幾個毫米，因此需要采用行波電極來驅動。

在功率集成電路（高電流和高電壓應用）中，它們會調節(jié)功率分配。金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是目前最常見的晶體管類型，它們可通過施加電場來提高電導率。其它晶體管類型包括雙極結型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。

(a) 4 V 反向偏壓下 PN 結中的自由載流子密度（單位為 cm-3）；(b) CHARGE 仿真的小信號電容與參考文獻 [4] 中的測量值高度一致；(c) 干涉儀一臂末端的額外相移與施加電壓的關系；(d) 每條臂上的光損耗與施加電壓的關系；(e) INTERCONNECT 模擬的透射光譜與參考文獻 [4] 中報告的 (f) 測量光譜 圖 10 顯示了具有標稱摻雜的耗盡型移相器仿真的主要結果

我們采用推挽驅動方案，向兩個移相器臂施加等幅反相射頻信號，從而有效抑制電光調制中的chirp效應，實現(xiàn)比單移相器高兩倍的調制效率。該PSW利用Au-LN界面間的表面等離激元，實現(xiàn)電場與光場的強限制與重疊，從而顯著提升調制效率，其增強效果可通過公式量化描述。

f)1mm長臂在不同電壓下測量的光傳輸，顯示調制器在1547.1納米波長時具有27.5dB的消光比。g)不同波長下測得的 值。 在測量半波電壓（ ）時，向調制器施加一個峰峰值電壓掃頻的10kHz三角波信號。我們發(fā)現(xiàn)器件的改進 值具有波長依賴性（圖2e–g）。在1547.1nm波長下獲得最小 值2.1V，消光比(ER)達27.5dB（圖2f）。其他波長下的測量ER值詳見補充材料第S8節(jié)。

因此，經R1和R2分壓后的 信號主要施加于C2形成調制電壓。 也會在C2上產生直流電壓降，該電壓構成直流偏置電壓。這些模型中不同元件兩端的最終電壓如圖3a、b所示。當同時向器件施加12V峰峰值、1MHz正弦 與2V 時，經R1和R2分壓后的最終調制電壓VC2，對于s-sep和g-sep兩種結構而言，均為2V直流偏置電壓與6V峰峰值微波電壓之和。

DC-AC逆變器（牽引逆變器）：DC-AC逆變器將電池的直流電轉換為交流電，產生控制電機速度和加速度所需的交流電壓。DC-AC逆變器包含有絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）或碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）功率器件，這些器件通過印刷電路板（PCB）或功率母排相連。這些電源半導體器件可作為高速開關，“開”“關”電機的大電流和高電壓，以模擬正弦電流波形。