傳統的熱設計方法（ “設計-試制-測試-修改”的串行模式）耗時漫長、成本高昂，難以洞察器件內部的詳細熱流分布。

Ansys全新推出【Simulation Topics】系列專題，邀您一起探索仿真世界。本專題將以 “一期一會” 的形式，攜手各領域專家，圍繞Ansys全產品線的技術優勢，帶您深入解析流體、結構、電子設計及電磁仿真、光學、光子學、半導體、自動駕駛、汽車、聲學、航空航天、材料等多個關鍵領域，讓復雜的專業知識觸手可及。

這種級別的分析有助于識別功率模塊的臨界點并進行設計修改，以提高其魯棒性，同時最大限度地減少測試期間所需的（通常成本高昂的）物理原型次數。 從dc+到dc-的電流密度圖 所有這些物理場都是相互依賴的，它們在各個層級相互作用，因此必須對熱、流體和機械效應一起進行分析，無論從納米級晶體管器件到毫米級和厘米級SiC模塊（如逆變器），均是如此。

面向設計早期，Discovery 幫你在幾何修改同時快速得到仿真反饋，極速迭代、快速收斂方案。

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參數化建模：支持線、面、體的參數化創建與編輯，設計修改可一鍵更新至網格與求解環節。 幾何編輯與清理：提供完整的布爾運算、幾何分割、變換操作以及倒角/孔洞/LOGO清理工具，提升幾何修復與簡化效率。

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傳統的熱設計方法（ “設計-試制-測試-修改”的串行模式）耗時漫長、成本高昂，難以洞察器件內部的詳細熱流分布。

'Si surface'數據線顯示了傳輸到Si內的總功率。它是進入到綠色和紅色像素的功率之和，加上耗盡區域之間吸收的功率。所有這些結果都是針對非偏振光的。最后，請注意理論最大線（理想）不是平坦的。cos（theta）依賴性來自這樣一個事實，即隨著θ的增加，激光器入射到圖像傳感器表面的單位面積功率將減少。