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關(guān)注創(chuàng)建者:王靖雯 創(chuàng)建時(shí)間:2023-03-08
ansys仿真塞貝克效應(yīng)的視頻教程
基于ANSYS ncode Designlife的平均壓力效應(yīng)疲勞
基于ANSYS ncode Designlife的平均壓力效應(yīng)疲勞
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手把手教你Maxwell 2D渦流場(chǎng)仿真-實(shí)心導(dǎo)體的集膚效應(yīng)歐姆損耗和交流電阻【搞仿真的晴博】
集膚效應(yīng)是電子電氣產(chǎn)品中最常見(jiàn)的現(xiàn)象了,有危害也有優(yōu)點(diǎn)。這個(gè)案例用一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)心導(dǎo)體演示了2D渦流場(chǎng)的仿真流程,然后進(jìn)一步分析了歐姆損耗和交流電阻的計(jì)算方法。
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ansys仿真塞貝克效應(yīng)的實(shí)例教程
基于ANSYS的霍爾效應(yīng)的仿真分析
作者:大龍貓 fwz0703@163.com
霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種,這種效應(yīng)在傳感器中得到了廣泛的應(yīng)用,目前主要用于測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度。霍爾效應(yīng)是導(dǎo)電材料中的電流與磁場(chǎng)的相互作用,而產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)的一種效應(yīng)。
這個(gè)導(dǎo)電材料通常是半導(dǎo)體材料,將半導(dǎo)體材料接入一個(gè)電源中,形成一個(gè)回路,此時(shí)電路中就存在電荷的定向移動(dòng),如下圖:
當(dāng)該導(dǎo)體處于磁場(chǎng)中,電荷就會(huì)在洛倫茲力的作用下,其路徑發(fā)生偏移,電荷偏移之后形成電場(chǎng),那么在兩側(cè)就會(huì)形成電壓,如圖所示
其理論公式如下所示,
其中E為電場(chǎng)強(qiáng)度,e為電荷量,n為帶電粒子數(shù)量,B磁感應(yīng)強(qiáng)度,V粒子速度
達(dá)到平衡后,
取 Rh=1/ne
為霍爾系數(shù),是跟霍爾材料有關(guān)的一個(gè)系數(shù),就得到霍爾效應(yīng)的核心公式:
可以看到電壓是正比于磁場(chǎng)強(qiáng)度,所以,當(dāng)傳感器形狀確定以后,其通電電流確定后,那么磁場(chǎng)越強(qiáng),其感應(yīng)電壓越大,所以霍爾效應(yīng)傳感器能夠應(yīng)用到磁場(chǎng)測(cè)量中。
那么ANSYS中我們可以仿真這個(gè)現(xiàn)象嗎?當(dāng)然可以,萬(wàn)能的ANSYS可以計(jì)算這個(gè)現(xiàn)象,下面簡(jiǎn)單描述其流程。
1.首先建立模型,模型如圖所示,這種結(jié)構(gòu)主要是為了仿真需要,因?yàn)橐粋?cè)通電,產(chǎn)生電流,另一側(cè)是測(cè)試電壓,通過(guò)提取結(jié)果數(shù)據(jù)來(lái)獲取,側(cè)面的體形是為了電路中電流的合流,因?yàn)閷?shí)際的電路就是一根測(cè)試導(dǎo)線(xiàn)來(lái)連接半導(dǎo)體。
展開(kāi) 形狀記憶合金(SMA)能夠在發(fā)生大變形后不產(chǎn)生殘余應(yīng)變(偽彈性),并且可以通過(guò)溫度變化從大變形中恢復(fù)(形狀記憶效應(yīng))。偽彈性和形狀記憶效應(yīng)使其特別適用于航空航天、生物醫(yī)學(xué)和結(jié)構(gòu)工程等領(lǐng)域。本仿真模擬了將形狀記憶合金用作脊柱間隔器的過(guò)程。
目標(biāo)
熟悉形狀記憶合金
理解考慮熱效應(yīng)的形狀記憶合金建模流程
建模步驟
1. 在 ANSYS Workbench 中創(chuàng)建靜力結(jié)構(gòu)系統(tǒng)。定義形狀記憶合金的材料屬性(表 1)。
表 1. 脊柱間隔器材料屬性
2、導(dǎo)入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對(duì)稱(chēng)性,僅創(chuàng)建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對(duì)幾何體進(jìn)行網(wǎng)格劃分。
圖 1. 四分之一間隔器幾何模型示意圖
3、定義分析設(shè)置和邊界條件。共創(chuàng)建六個(gè)分析步。
3.1 第一步,在剛性板上施加-3.375mm 的位移以壓縮脊柱間隔器;第二步開(kāi)始時(shí),移除位移,使間隔器可以自由變形。
3.2 從第三步開(kāi)始施加熱載荷,溫度從23.85℃ 升高到 37.85℃。在此期間,由于未發(fā)生相變,間隔器的形狀保持不變。第四步,溫度從 37.85℃ 升高到 50.85℃,由于此步中未發(fā)生主要的相變,計(jì)算再次快速收斂。第五步,溫度升高到 51.85℃,收斂速度變慢,大部分形狀恢復(fù)發(fā)生在此步中。第六步,將溫度冷卻至 37.85℃,間隔器的形狀保持不變。
圖 2. 溫度條件示意圖
4、運(yùn)行仿真。不同溫度下間隔器的變形和應(yīng)力云圖如圖3所示。
圖 3.
展開(kāi) 形狀記憶合金(SMA)能夠在發(fā)生大變形后不產(chǎn)生殘余應(yīng)變(偽彈性),并且可以通過(guò)溫度變化從大變形中恢復(fù)(形狀記憶效應(yīng))。偽彈性和形狀記憶效應(yīng)使其特別適用于航空航天、生物醫(yī)學(xué)和結(jié)構(gòu)工程等領(lǐng)域。本仿真模擬了將形狀記憶合金用作脊柱間隔器的過(guò)程。
目標(biāo)
熟悉形狀記憶合金
理解考慮熱效應(yīng)的形狀記憶合金建模流程
建模步驟
1. 在 ANSYS Workbench 中創(chuàng)建靜力結(jié)構(gòu)系統(tǒng)。定義形狀記憶合金的材料屬性(表 1)。
表 1. 脊柱間隔器材料屬性
2、導(dǎo)入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對(duì)稱(chēng)性,僅創(chuàng)建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對(duì)幾何體進(jìn)行網(wǎng)格劃分。
圖 1. 四分之一間隔器幾何模型示意圖
3、定義分析設(shè)置和邊界條件。共創(chuàng)建六個(gè)分析步。
3.1 第一步,在剛性板上施加-3.375mm 的位移以壓縮脊柱間隔器;第二步開(kāi)始時(shí),移除位移,使間隔器可以自由變形。
3.2 從第三步開(kāi)始施加熱載荷,溫度從23.85℃ 升高到 37.85℃。在此期間,由于未發(fā)生相變,間隔器的形狀保持不變。第四步,溫度從 37.85℃ 升高到 50.85℃,由于此步中未發(fā)生主要的相變,計(jì)算再次快速收斂。第五步,溫度升高到 51.85℃,收斂速度變慢,大部分形狀恢復(fù)發(fā)生在此步中。第六步,將溫度冷卻至 37.85℃,間隔器的形狀保持不變。
圖 2. 溫度條件示意圖
4、運(yùn)行仿真。不同溫度下間隔器的變形和應(yīng)力云圖如圖3所示。
圖 3.
展開(kāi) 作者 | Wang Yuanteng
上期我們介紹了雷擊直接效應(yīng)仿真電磁部分,設(shè)置了磁場(chǎng)、電流及歐姆損耗監(jiān)視器并拿到了相應(yīng)的結(jié)果。為了計(jì)算雷擊所產(chǎn)生的熱效應(yīng),我們將使用瞬態(tài)熱求解器Transient Thermal Solver進(jìn)行計(jì)算。另外,還需考慮到熱源,下面我們具體來(lái)看是如何進(jìn)行仿真的。
1.在電磁仿真工程上設(shè)置avg_ohmic_loss監(jiān)視器。這里我們?cè)O(shè)定計(jì)算0-1μs的熱效應(yīng),因此設(shè)置10個(gè)起始點(diǎn)不同,時(shí)間長(zhǎng)度0.1μs的監(jiān)視器。
在后處理設(shè)置Thermal>thermal loss calculation
點(diǎn)擊開(kāi)始仿真。
拿到avg_ohmic_loss仿真結(jié)果之一如下:
2.創(chuàng)建熱仿真,單擊Simulation Project>All Block as 3D Model,在彈出對(duì)話(huà)框輸入名稱(chēng)及選擇工程和求解器類(lèi)型。
3.在新工程中設(shè)置Sources and Loads>Thermal Losses,只需在Project中選中原電磁仿真工程,Source field和loss等信息自動(dòng)被填寫(xiě),選擇value將我們?cè)O(shè)置的10個(gè)avg_ohmic_loss一一導(dǎo)入。
4.求解器設(shè)置。將Simulation duration設(shè)為1μs,假設(shè)環(huán)境溫度為-50℃(1萬(wàn)米高空)。
設(shè)置激勵(lì),勾選所有熱源,依次設(shè)置Time shift(如下),點(diǎn)擊signal>new signal建立hold信號(hào),保持時(shí)間0.1μs。
選擇通過(guò)Preview可以看到不同時(shí)間在激勵(lì)不同熱源。
展開(kāi) 城市熱島效應(yīng)頻發(fā),對(duì)自然氣候、人類(lèi)能源消耗和身心健康都有著重要影響。熱島效應(yīng)的數(shù)值模擬具有現(xiàn)實(shí)意義,但其模擬尺度較大,影響因素復(fù)雜,涉及到對(duì)流,換熱,植被蒸騰,太陽(yáng)輻射等因素,無(wú)法輕易實(shí)現(xiàn)。Cradle CFD 軟件因其獨(dú)特的高魯棒性像素網(wǎng)格和基于結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格的高速求解技術(shù),能對(duì)城市熱島效應(yīng)進(jìn)行快速、高保真模擬仿真,并能借助CFD仿真技術(shù)高效設(shè)計(jì)建筑環(huán)境、暖通空調(diào)與潔凈系統(tǒng)來(lái)指導(dǎo)改善熱島效應(yīng)。
本期海克斯康直播講堂請(qǐng)到了CFD仿真工程師吳昌講師,他將為大家?guī)?lái)“借助CFD仿真技術(shù)高效模擬城市熱島效應(yīng)”為主題的專(zhuān)題直播,通過(guò)對(duì)行業(yè)痛點(diǎn)、技術(shù)難點(diǎn)及具體案例的深入解析,全面闡述城市熱島效應(yīng)的模擬仿真解決方案。
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Ansys | 基于熱效應(yīng)的形狀記憶合金脊柱間隔器仿真分析16小時(shí)前
形狀記憶合金(SMA)能夠在發(fā)生大變形后不產(chǎn)生殘余應(yīng)變(偽彈性),并且可以通過(guò)溫度變化從大變形中恢復(fù)(形狀記憶效應(yīng))。偽彈性和形狀記憶效應(yīng)使其特別適用于航空航天、生物醫(yī)學(xué)和結(jié)構(gòu)工程等領(lǐng)域。本仿真模擬了將形狀記憶合金用作脊柱間隔器的過(guò)程。
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從智能手機(jī)的熱交互、緊湊外殼內(nèi)的高功率電路板散熱,到極端天氣下的工業(yè)設(shè)備耐候性等復(fù)雜現(xiàn)實(shí)場(chǎng)景,通過(guò)熱仿真技術(shù),工程師能夠精準(zhǔn)預(yù)測(cè)設(shè)計(jì)在不同溫度場(chǎng)景下的行為,深刻理解熱能如何影響產(chǎn)品的效率、可靠性與安全性,從而在研發(fā)早期快速調(diào)整設(shè)計(jì)方案,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的最佳性能表現(xiàn)。
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<p><img src="https://img.jishulink.com/202605/imgs/5e1e1e2be4c642fab32c219dc0e0bfde"></p><p><strong>時(shí)間:</strong>2026年5月19日(周二),13:30-18:00</p><p><strong>地點(diǎn):</strong>武漢</p><p><strong>費(fèi)用:</strong>免費(fèi)(報(bào)名需審核
<p>Ansys 持續(xù)幫助工程師更高效地解決復(fù)雜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與可靠性挑戰(zhàn),加速產(chǎn)品創(chuàng)新與研發(fā)迭代。在2026 R1 新版本中,結(jié)構(gòu)系列產(chǎn)品在效率、精度與工程可信度方面進(jìn)一步增強(qiáng):Mechanical 帶來(lái)更高效的網(wǎng)格變形與 GPU 感知資源預(yù)測(cè)能力,LS-DYNA 強(qiáng)化電池?zé)岱抡媾c多物理場(chǎng)分析,Motion 提升系統(tǒng)級(jí)動(dòng)力學(xué)性能,而 Sherlock、Forming 等工具也在電子可靠性與成形分析領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全面升級(jí)
概述
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目標(biāo)
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