基于ANSYS的霍爾效應的仿真分析

基于ANSYS的霍爾效應的仿真分析

作者:大龍貓 fwz0703@163.com       

     霍爾效應是電磁效應的一種,這種效應在傳感器中得到了廣泛的應用,目前主要用于測量磁場強度。霍爾效應是導電材料中的電流與磁場的相互作用,而產生電動勢的一種效應。

      這個導電材料通常是半導體材料,將半導體材料接入一個電源中,形成一個回路,此時電路中就存在電荷的定向移動,如下圖:

001.gif

        當該導體處于磁場中,電荷就會在洛倫茲力的作用下,其路徑發生偏移,電荷偏移之后形成電場,那么在兩側就會形成電壓,如圖所示

002.gif

其理論公式如下所示,

003.jpg

其中E為電場強度,e為電荷量,n為帶電粒子數量,B磁感應強度,V粒子速度

達到平衡后,

004.jpg

取 Rh=1/ne

 為霍爾系數,是跟霍爾材料有關的一個系數,就得到霍爾效應的核心公式:

005.jpg

      可以看到電壓是正比于磁場強度,所以,當傳感器形狀確定以后,其通電電流確定后,那么磁場越強,其感應電壓越大,所以霍爾效應傳感器能夠應用到磁場測量中。

     那么ANSYS中我們可以仿真這個現象嗎?當然可以,萬能的ANSYS可以計算這個現象,下面簡單描述其流程。

      1.首先建立模型,模型如圖所示,這種結構主要是為了仿真需要,因為一側通電,產生電流,另一側是測試電壓,通過提取結果數據來獲取,側面的體形是為了電路中電流的合流,因為實際的電路就是一根測試導線來連接半導體。

     2.網格盡量劃分規程,如圖所示

Picture2.png

      3.設置條件,將傳感器的的半導體部分添加一個0.8T的Z向勻強磁場,左右面設置為高3V,低0V的電壓,或者給定電流來模擬激勵電路,另一側空出,供后續測量電壓,相當于圖中的電壓表測量其電壓

Picture3.png

     4.結果如圖所示,當沒有外加磁場的時候,其結果如圖所示,電流均勻的從兩側通過,則電子的流動是對稱的,上下之間電壓差為0V

Picture7.png

    5.當有外加磁場的時候,其結果可以看到電子在半導體中發生了偏移,在上下兩側產生的電壓差

5.1磁場分布如圖所示,可以看到添加磁場為勻強磁場

Picture4.png

5.2整體的電流分布和電壓分布如圖所示,看到看到電流發生 了偏移,電壓也在上下兩側有電壓差產生

Picture5.png

5.3分別提取兩側電壓可以得到需要的電壓結果,當前的感應電壓為2.636-0.364=2.272V

Picture6.png

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