本文基于Ansys官方衍射波導(dǎo)AR風(fēng)擋HUD仿真案例，全面解析Speos在AR HUD研發(fā)中的應(yīng)用價(jià)值、仿真流程、核心參數(shù)及結(jié)果分析，為車(chē)載光學(xué)行業(yè)研發(fā)人員提供參考。
衍射波導(dǎo)AR HUD技術(shù)優(yōu)勢(shì)與仿真痛點(diǎn)
1.1 技術(shù)核心優(yōu)勢(shì)
AR HUD可將車(chē)速、導(dǎo)航、路況等行車(chē)信息直接投射至駕駛員視野區(qū)域，實(shí)現(xiàn)視線不離路的安全駕駛輔助。
厚度方向的剛度由于缺乏增強(qiáng)而較小。
圖8. 編織結(jié)構(gòu)材料的工程常數(shù)
總結(jié)
本仿真比較了不同的材料微觀結(jié)構(gòu)類(lèi)型，并使用 Ansys 材料設(shè)計(jì)器計(jì)算了由此產(chǎn)生的宏觀工程常數(shù)。這些示例揭示了材料為何在微觀結(jié)構(gòu)層面上表現(xiàn)出特定的行為。
Ansys Lumerical FDTD軟件中的超透鏡仿真。元原子顯示為外凸的柱狀結(jié)構(gòu)，其尺寸和位置各不相同
光子集成電路的光柵耦合器
另一個(gè)領(lǐng)域是共封裝光學(xué)，這是由光學(xué)元件和封裝基板上的硅組成的集成系統(tǒng)。共封裝光學(xué)器件旨在應(yīng)對(duì)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的功耗和帶寬挑戰(zhàn)，并被視為光子集成電路開(kāi)發(fā)的重要基石。一些主要應(yīng)用包括增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、虛擬現(xiàn)實(shí)、圖像傳感器和光通信等。
Ansys Fluent 所具有的嵌套網(wǎng)格功能也極大提升了瞬態(tài)運(yùn)動(dòng)類(lèi)型問(wèn)題的分析效率。
在面對(duì)復(fù)雜流動(dòng)及傳熱傳質(zhì)分析問(wèn)題的過(guò)程中，Ansys Fluent 的非耦合隱式算法、耦合顯示算法及耦合隱式算法可以應(yīng)對(duì)各種求解需求。
自適應(yīng)前照燈的優(yōu)勢(shì)
大量數(shù)據(jù)顯示，車(chē)輛與車(chē)輛之間以及車(chē)輛與行人之間的事故在夜間更為普遍，高達(dá)76%的涉及行人的致命碰撞事故發(fā)生在夜間。在所有交通事故記錄中，12%-15%都將迎面車(chē)輛的前照燈眩光列為一個(gè)事故因素。新型系統(tǒng)使駕駛員能夠觀察到更多情況并看到更遠(yuǎn)的道路，因此產(chǎn)生了積極影響，將行人與車(chē)輛的碰撞事故減少了多達(dá)23%。
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</div><p><strong>模力四射隊(duì)：</strong>小噸位產(chǎn)品同樣有必要做四象限分析。因?yàn)楹芏鄷r(shí)候只算總鎖模力是不夠的。總噸位看起來(lái)沒(méi)問(wèn)題，不代表模具實(shí)際工作時(shí)就一定穩(wěn)定。如果四象限不均衡，或某一局部壓力超過(guò)1/4鎖模力范圍，<u>就可能帶來(lái)飛邊、飛料、模刺增加等問(wèn)題，進(jìn)一步影響尺寸、打磨工時(shí)，甚至增加冷隔、流紋、氣孔等缺陷風(fēng)險(xiǎn)。
對(duì)于小圓柱體，定義網(wǎng)格尺寸為 0.25 毫米。將 1000 千克的點(diǎn)質(zhì)量分配到大圓柱體的頂部表面上。
（圖2：關(guān)節(jié)示意圖）
4. 定義分析設(shè)置和邊界條件。開(kāi)啟大變形并定義一些子步。在垂直方向上定義地球重力，并將小圓柱體向下移動(dòng) 3 毫米。
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傳統(tǒng) CP-FEM 可以很好地描述晶粒取向、滑移系活動(dòng)、應(yīng)力應(yīng)變不均勻性，但如果不額外加入某種長(zhǎng)度尺度，它通常很難預(yù)測(cè)“晶粒越小、強(qiáng)度越高”的 Hall–Petch 效應(yīng)。于是很多模型會(huì)選擇加入一個(gè)經(jīng)驗(yàn)項(xiàng)，比如 (K/sqrtpf3zbtg)，這樣當(dāng)然有效，但物理圖像多少有些不夠清楚：晶界到底是怎么影響位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的？不同晶界為什么會(huì)產(chǎn)生不同的阻礙作用？滑移能不能從一個(gè)晶粒傳到另一個(gè)晶粒？
多格式導(dǎo)出： 生成的模型支持導(dǎo)出為坐標(biāo)數(shù)據(jù)、拓?fù)溥B接信息等，方便后續(xù)導(dǎo)入 ABAQUS、ANSYS 或自編的有限元/晶體塑性（CPFEM）程序中。
【操作流程：三步搞定】
第一步：設(shè)定全局參數(shù)。 在左側(cè)面板選擇晶粒總數(shù)及 RVE 尺寸。
第二步：精修幾何特征。 調(diào)整權(quán)重系數(shù)（Weights）和偏度，生成不規(guī)則或特定分布的晶粒形狀。
第三步：導(dǎo)出與應(yīng)用。
