1.【2024年二等獎(jiǎng)】石博 | 成都京東方光電科技有限公司，基于Ansys軟件的數(shù)字化光學(xué)仿真平臺(tái)應(yīng)用：針對(duì)顯示面板行業(yè)面臨的一系列復(fù)雜光學(xué)難題進(jìn)行了深入的仿真分析，基于Ansys光學(xué)軟件，開(kāi)發(fā)數(shù)字化光學(xué)仿真平臺(tái)，減少DOE實(shí)驗(yàn)數(shù)量，縮短開(kāi)發(fā)周期，降低開(kāi)發(fā)成本。

A.7 如何修改 x/y 方向網(wǎng)格 我們無(wú)法直接編輯 x/y 方向的網(wǎng)格，而且通常也沒(méi)有必要修改 x/y 方向的網(wǎng)格。不過(guò)，如果用戶確實(shí)希望改變網(wǎng)格尺寸，那么這些數(shù)值實(shí)際上是由 k 矢量域（k vector domains） 的數(shù)量自動(dòng)決定的。如果用戶增加 k 的數(shù)量，那么網(wǎng)格數(shù)量也會(huì)隨之增加。

模擬的案例如下： 初始沖壓模型如下： 使用軸對(duì)稱單元可以減小模型的網(wǎng)格數(shù)量，顯著提高計(jì)算效率，因此模擬案例使用CAX4R單元，模型初始尺寸為R=0.015mm，H=0.0048mm，初始網(wǎng)格模型如下圖所示： 采用位移邊界條件加載，初始加載第一步ALE網(wǎng)格如下（網(wǎng)格會(huì)根據(jù)變形自動(dòng)調(diào)整不同區(qū)域密度）： 第一步計(jì)算接觸時(shí)SSD分布： 第一步計(jì)算接觸時(shí)GND分布

這一機(jī)制徹底改變了傳統(tǒng)材料卡片隨網(wǎng)格尺寸變小而急劇變“脆”的網(wǎng)格敏感性缺陷，使得能量耗散成為一個(gè)相對(duì)客觀的物理不變量。

上述步驟不變，僅改變分析設(shè)置：求解時(shí)長(zhǎng)為 100 秒，溫度在此期間從 100°C 降至環(huán)境溫度 22°C。</p><p><br></p><p>劃分網(wǎng)格，定義子步，求解模型。瓷材料的溫度分布如圖 5 所示。

8維參數(shù)空間、5階展開(kāi)，基函數(shù)數(shù)量即 C(8+5,5)=1287 ，每個(gè)基函數(shù)系數(shù)需一次FEM求解，總計(jì)算量巨大 Uncertainty Quantification Module 內(nèi)置專用求解器，支持自適應(yīng)稀疏網(wǎng)格，可在保證精度的同時(shí)減少樣本數(shù)，但對(duì)CPU主頻和內(nèi)存帶寬極度敏感 三、軟件工具鏈全景

在彈簧的一個(gè)端面上右鍵插入 Face Meshing（面網(wǎng)格控制），設(shè)置為 Quadrilaterals（四邊形）。 尺寸控制：插入 Sizing，選擇彈簧所有螺旋線，設(shè)置 Element Size 為 1mm 左右，或者設(shè)置 Division 數(shù)量為 200，保證螺旋路徑上有足夠的分辨率。

變化的電壓會(huì)改變柵極的耗盡區(qū)，從而改變介電屬性，進(jìn)而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應(yīng)用中尤其有用，在這種應(yīng)用中，直流電壓保持恒定。

將多塊太陽(yáng)能電池板排列成陣列，并隨太陽(yáng)光線方向改變朝向，有助于最大限度地吸收可用的太陽(yáng)能。 在仿真案例中，將一個(gè)簡(jiǎn)單的球體放置在典型的硅材料太陽(yáng)能電池板上方，指示了穩(wěn)態(tài)下到達(dá)板面的熱流密度以及表面的溫度分布。這里不考慮電池板表面的自由對(duì)流，僅研究輻射效應(yīng)。 目標(biāo) 觀察由于一個(gè)發(fā)熱物體的輻射作用，太陽(yáng)能電池板上的熱流密度和溫度分布。 步驟 1.

上述公式將用于改變各層的厚度。 注意：腳本運(yùn)行時(shí)間可能需要幾分鐘，具體取決于波長(zhǎng)數(shù)量和入射角。 下圖展示了在垂直入射條件下，采用梯度厚度分布時(shí)p偏振光和s偏振光的反射率： 通過(guò)改變層厚度，對(duì)于正入射，p偏振的反射覆蓋了大約430nm–860nm的波長(zhǎng)范圍。 步驟3.