孔內(nèi)耦合物質(zhì)
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2021-11-01
孔內(nèi)耦合物質(zhì)的視頻教程
ANSYS/LSDYNA隧道斜掏槽爆破模擬（流固耦合算法）
2.介紹如何快速修改（不需要重新建模劃分網(wǎng)格）掏槽爆破模型的堵塞長度、炸藥長度、空氣間隔裝藥方式、不耦合系數(shù)、掏槽孔間距、掏槽孔排數(shù)、孔間孔內(nèi)延期時(shí)間等。 3.詳細(xì)的后處理操作，如何去調(diào)整云圖，輸出數(shù)據(jù)。
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ANSYS/LSDYNA空氣間隔裝藥方式下隧道、溶洞爆破開挖模擬
1.建立了空氣間隔裝藥方式的巖石爆破模型 2.對建模網(wǎng)格劃分方式進(jìn)行了優(yōu)化，可批量處理不同孔排間距、裝藥方式、不耦合系數(shù)的爆破模型，不需要重新建模劃分網(wǎng)格。 3.對孔內(nèi)延期和孔間延期的設(shè)置方式進(jìn)行了講解，可有效解決延期時(shí)間設(shè)置失效的問題。 4.對云圖損傷、爆破后的損傷體積、不同監(jiān)測點(diǎn)數(shù)據(jù)輸出進(jìn)行了詳細(xì)講解。 5.k文件過大，私信獲取。
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ANSYS/LS-DYNA臺(tái)階爆破模型快速建模及損傷模擬教程
2.介紹如何快速修改（不需要重新建模劃分網(wǎng)格）臺(tái)階爆破模型的堵塞長度、炸藥長度、空氣間隔裝藥方式、不耦合系數(shù)、孔排間距、孔間孔內(nèi)延期時(shí)間等。 3.詳細(xì)的后處理操作，如何去調(diào)整云圖，輸出損傷體積，輸出時(shí)程曲線數(shù)據(jù)。
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孔內(nèi)耦合物質(zhì)的實(shí)例教程
（k文件）水耦合三孔爆破-LS-DYNA軟件 ￥34.99
在工程中，孔內(nèi)耦合物質(zhì)可采用水介質(zhì)，水介質(zhì)具有良好的傳爆性。附件提供了水耦合三孔爆破k文件供感興趣的朋友參考。
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孔內(nèi)耦合物質(zhì)的最新內(nèi)容
第三，從建模角度看，將剪切損傷模型與應(yīng)變梯度塑性耦合，是理解微尺度金屬斷裂行為的一條很有前景的路線。對于后續(xù)開展超薄板塑性成形、切邊質(zhì)量控制以及微尺度損傷本構(gòu)建模，這篇文章都提供了很有價(jià)值的思路.
標(biāo)準(zhǔn)金屬布線（以及可選的過孔——布線電路板上的鍍通孔）被用來構(gòu)成電容器的極板，極板之間的橫向（層內(nèi)）電容耦合效應(yīng)可產(chǎn)生所需的電容。
與垂直耦合相比，這種橫向電容耦合可提供更出色的匹配特性，主要是由于橫向尺寸的工藝控制更為精準(zhǔn)，不像金屬層和介電層厚度那樣難以控制。為了提高電容密度，可以使用過孔并聯(lián)多個(gè)金屬層，形成垂直金屬壁或網(wǎng)格。
結(jié)合應(yīng)變云圖分析，上柱窩與下柱窩的高應(yīng)力區(qū)與高應(yīng)變區(qū)空間位置高度一致，反映出局部剛度、幾何突變與載荷傳遞路徑之間的耦合關(guān)系。應(yīng)力–應(yīng)變場的協(xié)同變化表明柱窩區(qū)域是結(jié)構(gòu)的主要受力節(jié)點(diǎn)，但其變形仍處于彈性范圍內(nèi)，未出現(xiàn)塑性擴(kuò)展跡象。</p><p>總體而言，該設(shè)計(jì)方案在強(qiáng)度、剛度及安全性方面均表現(xiàn)良好，關(guān)鍵受力部位具有明確的安全裕度，結(jié)構(gòu)在所有工況下均滿足工程應(yīng)用要求。
電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區(qū)別1個(gè)月前
標(biāo)準(zhǔn)金屬布線（以及可選的過孔——布線電路板上的鍍通孔）被用來構(gòu)成電容器的極板，極板之間的橫向（層內(nèi)）電容耦合效應(yīng)可產(chǎn)生所需的電容。
與垂直耦合相比，這種橫向電容耦合可提供更出色的匹配特性，主要是由于橫向尺寸的工藝控制更為精準(zhǔn)，不像金屬層和介電層厚度那樣難以控制。為了提高電容密度，可以使用過孔并聯(lián)多個(gè)金屬層，形成垂直金屬壁或網(wǎng)格。
什么是波導(dǎo)？2個(gè)月前
PIC通常使用透鏡等組件與光纖耦合，以改變光的聚焦，因?yàn)楣饫w的模場尺寸比PIC大得多。因此，可將光聚焦到較小的范圍內(nèi)，以降低損耗。
[VirtualLab] Herriott池的建模2個(gè)月前
連接建模技術(shù)：探測器
? 自由空間傳播
? 單元反射鏡處的反射
? 通過孔的傳播
? 探測器
完全靈活的探測器建模不同物理值，包括例如輻射能量密度。
參數(shù)耦合
模擬結(jié)果
光線追跡結(jié)果
光線&場追跡結(jié)果
場追跡結(jié)果（反射鏡距離為84mm）
更多內(nèi)反射
場追跡結(jié)果（反射鏡距離為50mm）
實(shí)驗(yàn)表明，PMMA帶孔板的名義斷裂強(qiáng)度隨孔徑減小而顯著增加，均勻化能量理論能定量捕捉這一尺寸效應(yīng)。
采用孤立線條、版密集線條和密集接觸孔的OPC和HSMO仿真參數(shù)
采用孤立線條、版密集線條和密集接觸孔的OPC和HSMO仿真結(jié)果
05/PW擴(kuò)展效果
損失函數(shù)收斂：HSMO在30~35次迭代內(nèi)可有效降低損失函數(shù)，可見下圖。
一期一會(huì) | 什么是電源完整性？3個(gè)月前
現(xiàn)代電子產(chǎn)品是復(fù)雜的多組件裝配體，包括多個(gè)層、層間過孔以及器件之間的復(fù)雜互連。它在寬頻范圍內(nèi)，不僅傳輸直流電源，同時(shí)也傳輸信號。
為了幫助我們理解電源完整性的重要性，我們不妨從三種主要類型的電源完整性問題入手。
電源電壓變化
外部交流電源或直流電源給電子系統(tǒng)供電。電源芯片將輸入電壓轉(zhuǎn)換為所需的系統(tǒng)直流電壓。
Moldex3D仿真分析之芯片封裝制程挑戰(zhàn)與不確定性3個(gè)月前
常見的IC封裝問題如：充填不完全、空孔、金線偏移、導(dǎo)線架偏移及翹曲變形等。
Moldex3D 解決方案
Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項(xiàng)目相當(dāng)完善，以準(zhǔn)確的材料量測為基礎(chǔ)，除了基本的流動(dòng)充填與硬化過程模擬；并延伸到其他先進(jìn)制造評估，例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應(yīng)力分布與結(jié)構(gòu)變形等。
