X2E的案例
X2E車載數據記錄儀
為此，經緯恒潤引入了德國X2E公司的數據記錄儀系列產品，以解決國內汽車客hu數據記錄領域的難題。
X2E公司簡介
X2E GmbH成立于2004年，是一家位于德國南普法爾茨州的創新型技術公司。其多年來專注于為汽車行業開發和生產功能強大的數據記錄儀器。憑借XORAYA系列記錄工具，X2E已成為了其領域的佼佼者之一，并且成功吸引了眾多國際知名汽車制造商和供應商成為客戶。經緯恒潤引入X2E公司系列產品之后，已成功與華晨寶馬簽下訂單合同，X2E產品也受到了國內客戶的廣泛認可。
主要產品
? XORAYA Z7數據記錄儀
? XORAYA ML-Z7迷你數據記錄儀
? XORAYA μL-Z7 微型數據記錄儀
? XORAYA MT-Z7數據記錄探針
? XORAYA ESU外部儲存單元
? XORAYA Datacube數據拷貝站
XORAYA ML-Z7迷你車載數據記錄儀
Mini Logger Z7
主要參數
XORAYA ML-Z7是基于Xilinx Zynq ?-7000 異構多核SoC芯片的新一代高性能車載數據記錄設備。它能夠基于分辨率高達100ns的中央時間戳同步獲取多個總線系統的數據，模塊化的內部設計為用戶提供了足夠的配置靈活性與升級可能性。X2E除了提供上述的基礎接口板卡外，也可根據客戶的特定需求提供對其他的總線系統或模塊的擴展支持（如攝像頭、GPS、WiFi、MOST以及即將推出的1000Base-T1等等），從而使記錄儀可以快速的適配不同的環境和項目需求。通過配套的上位機軟件Xoraya Suit用戶可以方便的對一系列X2E硬件設備進行配置管理、數據記錄控制、數據分析處理、固件升級等操作。
展開 X2E車載數據記錄儀
為此，經緯恒潤引入了德國X2E公司的數據記錄儀系列產品，以解決國內汽車，記錄領域的難題。
X2E公司簡介
X2E GmbH成立于2004年，是一家位于德國南普法爾茨州的創新型技術公司。其多年來專注于為汽車行業開發和生產功能強大的數據記錄儀器。憑借XORAYA系列記錄工具，X2E已成為了其領域的佼佼者之一，并且成功吸引了眾多國際知名汽車制造商和供應商成為客戶。經緯恒潤引入X2E公司系列產品之后，已成功與華晨寶馬簽下訂單合同，X2E產品也受到了國內客戶的廣泛認可。
主要產品
? XORAYA Z7數據記錄儀
? XORAYA ML-Z7迷你數據記錄儀
? XORAYA μL-Z7 微型數據記錄儀
? XORAYA MT-Z7數據記錄探針
? XORAYA ESU外部儲存單元
? XORAYA Datacube數據拷貝站
XORAYA ML-Z7迷你車載數據記錄儀
Mini Logger Z7
主要參數
XORAYA ML-Z7是基于Xilinx Zynq ?-7000 異構多核SoC芯片的車載數據記錄設備。它能夠基于分辨率達100ns的中央時間戳同步獲取多個總線系統的數據，模塊化的內部設計為用戶提供了足夠的配置靈活性與升級可能性。X2E除了提供上述的基礎接口板卡外，也可根據客戶的特定需求提供對其他的總線系統或模塊的擴展支持（如攝像頭、GPS、WiFi、MOST以及即將推出的1000Base-T1等等），從而使記錄儀可以快速的適配不同的環境和項目需求。通過配套的上位機軟件Xoraya Suit用戶可以方便的對一系列X2E硬件設備進行配置管理、數據記錄控制、數據分析處理、固件升級等操作。
展開 具備硬件時間戳的便攜式車載數據記錄儀 - X2E
為此，經緯恒潤引入了德國X2E公司的數據記錄儀系列產品，以解決國內汽車數據記錄領域的難題。
X2E公司簡介
X2E GmbH成立于2004年，是一家位于德國南普法爾茨州的創新型技術公司。其多年來一直專注于為汽車行業開發和生產功能強大的數據記錄儀器。憑借XORAYA系列記錄工具，成功吸引了眾多國際汽車制造商和供應商成為客戶。經緯恒潤引入X2E公司系列產品之后，已成功與華晨寶馬簽下訂單合同，X2E產品也受到了國內客戶的廣泛認可。
主要產品
? XORAYA Z7數據記錄儀
? XORAYA ML-Z7迷你數據記錄儀
? XORAYA μL-Z7微型數據記錄儀
? XORAYA MT-Z7數據記錄探針
? XORAYA ESU外部儲存單元
? XORAYA Datacube數據拷貝站
? XORAYA 100/1000Base-T1探針
? XORAYA ML-N4000迷你數據記錄儀
? XORAYA N4000數據記錄儀
? XORAYA N8000數據記錄儀
? XORAYA N16000數據記錄儀
XORAYA ML-Z7迷你車載數據記錄儀
主要參數
XORAYA ML-Z7是基于Xilinx Zynq ?-7000異構多核SoC芯片的新一代高性能車載數據記錄設備。它能夠基于分辨率高達100ns的中央時間戳同步獲取多個總線系統的數據，模塊化的內部設計為用戶提供了足夠的配置靈活性與升級可能性。
展開 多聲道環繞聲軟件開發KC3X用戶主機I2C通訊寄存器地址
地址 名稱 描述
0x01 KCM_READ_IRQ 讀中斷請求寄存器，8位寄存器
0x03 KCM_CLEAR_IRQ 清除中斷請求寄存器，8位寄存器
0x05 KCM_POWER_ON 用戶主機上電寄存器
0x06 KCM_FLAG_CTRL 標志（待機、靜音、杜比數碼動態壓縮）
0x09 KCM_TEST_TONE 噪音測試控制
0x0a KCM_SRC_DETECT 檢測所有有效的音源一次
0x10 KCM_ERROR_FLAG 獲取模塊錯誤及解碼標志，32位寄存器
0x18 KCM_SRC_FORMAT 數碼信號輸入格式指示
0x19 KCM_SRC_CHANNEL 數碼信號輸入通道信息及超低音指示
0x1a KCM_SRC_RATE 數碼信號輸入采樣率及實際播放采樣率指示
0x1b KCM_SRC_BPS 數碼信號輸入碼流率指示
0x1c KCM_SRC_VALID 有效的音源輸入改變，16位寄存器
0x1f KCM_WORK_STATUS 模塊工作/運行狀態指示
0x20 KCM_INPUT_SOURCE 輸入音源選擇
0x21 KCM_INPUT_VIDEO 輸入視頻源選擇
0x24 KCM_SPK_CONFIG 喇叭設置
0x25 KCM_LPF_FREQ 超低音通道LPF低通濾波器頻率
0x26 KCM_HPF_FREQ 主聲道小喇叭HPF高通濾波器頻率
0x28 KCM_LIP_SYNC_SET 齒音同步延遲時間，修正對畫面與聲音不同步
0x29 KCM_LIP_SYNC_MAX 齒音同步最大的延遲時間
0x2b KCM_LISTEN_MODE 聆聽模式選擇
0x2c KCM_EQ_SELECT 多段EQ均衡音效處理選擇
0x2e KCM_VOLUME_MAX 設置音量最大值
展開 
sedrftgyhuj
6a4=808755
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展開 干貨｜高效實現數學函數的方式——sin/cos篇
,\
0x2B1F,0x2BDC,0x2C99,0x2D55,0x2E11,0x2ECC,0x2F87,0x3041,\
0x30FB,0x31B5,0x326E,0x3326,0x33DF,0x3496,0x354D,0x3604,\
0x36BA,0x376F,0x3824,0x38D9,0x398C,0x3A40,0x3AF2,0x3BA5,\
0x3C56,0x3D07,0x3DB8,0x3E68,0x3F17,0x3FC5,0x4073,0x4121,\
0x41CE,0x427A,0x4325,0x43D0,0x447A,0x4524,0x45CD,0x4675,\
0x471C,0x47C3,0x4869,0x490F,0x49B4,0x4A58,0x4AFB,0x4B9D,\
0x4C3F,0x4CE0,0x4D81,0x4E20,0x4EBF,0x4F5D,0x4FFB,0x5097,\
0x5133,0x51CE,0x5268,0x5302,0x539B,0x5432,0x54C9,0x5560,\
0x55F5,0x568A,0x571D,0x57B0,0x5842,0x58D3,0x5964,0x59F3,\
0x5A82,0x5B0F,0x5B9C,0x5C28,0x5CB3,0x5D3E,0x5DC7,0x5E4F,\
0x5ED7,0x5F5D,0x5FE3,0x6068,0x60EB,0x616E,0x61F0,0x6271,\
0x62F1,0x6370,0x63EE,0x646C,0x64E8,0x6563,0x65DD,0x6656,\
0x66CF,0x6746,0x67BC,0x6832,0x68A6,0x6919,0x698B,0x69FD
展開 ANSYS APDL 應用技巧
示例如下：
*cfopen, , ndisp
*vwrite,
(' i_SET LoadStep N_UX N_UY N_UZ')
*vwrite, NodeDisp(1,1), NodeDisp(1,2), NodeDisp(1,3), NodeDisp(1,4), NodeDisp(1,5)
(F6.0, 4x, F4.0, 2x, E20.10, 2x, E20.10, 2x, E20.10)
*cfc
展開 ADAMS常用函數總結！
5、bistop函數
它的格式是BISTOP( x, dx, x1, x2, k, e, cmax, d)這里它由八個參數定義。它與函數IMPACT類似。可以這么說：BISTOP是雙側碰撞函數，而IMPACT是單側碰撞函數。
BISTOP的觸發是由兩個邊界條件確定的，即x1和x2，當x值大于或等于x1且小于或等于x2時，函數值為0，當x值大于x2或小于x1時，它的值是不同的。
當x小于x1時，返回值是：k(x1-x)^e-cmax*dx*step(x,x1-d,1,x1,0)，當x大于x2時，返回值是：k(x-x2)^e-cmax*dx*step(x,x2,1,x2+d,0)。
各種參數表示意義可以從IMPACT里推出來，它只是多了一個x2。
展開 出口模汽車寶馬兩款產品互換！
兩款寶馬產品前模面的差異
2. 兩款寶馬產品后模面的差異
后模換款步驟：
第1步:頂針板頂到底
第2步:擰開斜頂螺絲取出斜頂頭$ y4 i, w h% O' x7 g+ |5 b; p
第3步:擰開滑塊螺絲取出滑塊鑲件' D- m, D7 ~8 t: M5 }) w9 F7 _. {
第4步:擰開3個擠緊塊螺絲取出擠緊塊
第5步:擰開后模仁螺絲取出后模仁及墊板
第6步:擰開墊板螺絲取出此墊板
第7步:取下后模此2換款鑲件
換款之后再按拆的步驟裝回去
前模換款步驟：( x' E2 R4 C8 p0 J! A5 }
第1步:擰開3個擠緊塊螺絲取出擠緊塊
第2步:取下后模仁換款鑲件
換款之后再按拆的步驟裝回去
（文章轉載于網絡，僅供學習分享，如侵權，請聯系刪除）
現在很多學習UG編程 UG模具設計的小伙伴越來越多，很多人問我有沒有資料
第一本書看什么比較好，根據你們的需求，我將一些資料進行了分類管理，希望你們能前途無量。看下面！
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資料領取vx：mujusheji888
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群內福利：
群管理將在微信學習交流群中不定期共享眾多免費學習視頻教程。
展開 Isight混合優化策略方法與實踐 附iSIGHT工程優化實例分析下載
基于Pointer-2智能算法的策略
Pointer-2算法只能讓Isight軟件自動選擇最佳優化算法進行組合優化設計。
算法適用于多數線性及非線性設計空間，以及連續與不連續設計空間。同時也適用于解決單次計算耗時較長的問題。
下面用DOE抽樣與梯度優化混合策略為例簡述這一優化方法
輸入文件及模型放在同一目錄下：
Isight優化模型如下：
求min z=20+x.^2+y.^2-10*(cos(0.4*pi*x)+cos(0.4*pi*y))
其中：-5≤x≤5；-5≤y≤5
這是一個多峰多谷問題，理論最優解為：x=0，y=0，z=0.
導入Excel文件，設置輸入、輸出：
設置任務為混合優化策略，DOE和Optimization：
設置DOE抽樣方法、樣本數、變量、響應：
設置Optimization算法、變量、目標：
數據流如下：
混合策略流程結構如下：
運行計算任務，DOE抽樣計算結果如下：
Optimization將DOE的最優解作為優化的初始位置點：
最終求解的最優解為：
x=2.41E-6，y=6.33E-6，z=4.1E-10.
與理論最優解x=0，y=0，z=0一致。
x，y，z 解算歷程如下：
結果表明混合策略是成功的，達到了預期的效果。
下載地址：iSIGHT工程優化實例分析
展開 Isight混合優化策略方法與實踐
基于Pointer-2智能算法的策略
Pointer-2算法只能讓Isight軟件自動選擇最佳優化算法進行組合優化設計。
算法適用于多數線性及非線性設計空間，以及連續與不連續設計空間。同時也適用于解決單次計算耗時較長的問題。
下面用DOE抽樣與梯度優化混合策略為例簡述這一優化方法
輸入文件及模型放在同一目錄下：
Isight優化模型如下：
求min z=20+x.^2+y.^2-10*(cos(0.4*pi*x)+cos(0.4*pi*y))
其中：-5≤x≤5；-5≤y≤5
這是一個多峰多谷問題，理論最優解為：x=0，y=0，z=0.
導入Excel文件，設置輸入、輸出：
設置任務為混合優化策略，DOE和Optimization：
設置DOE抽樣方法、樣本數、變量、響應：
設置Optimization算法、變量、目標：
數據流如下：
混合策略流程結構如下：
運行計算任務，DOE抽樣計算結果如下：
Optimization將DOE的最優解作為優化的初始位置點：
最終求解的最優解為：
x=2.41E-6，y=6.33E-6，z=4.1E-10.
與理論最優解x=0，y=0，z=0一致。
x，y，z 解算歷程如下：
結果表明混合策略是成功的，達到了預期的效果。
來源： 二層樓實驗室
展開 
缺芯重壓下Mate斷更？華為未來路在何方
華為6月在官網推出了四款手機，分別是Mate40 Pro、Mate X2、Mate40E、nova 8 Pro，都采用了麒麟芯片，但由于5G射頻斷供原因此次4款手機均是純4G手機，華為已經開始試水高端4G手機的模式。
數據來源：晚點
對于平板產品還好說，但是消費者會不會在這個節點買賬華為的4G手機新機？一方面要看5G網絡未來的演進速度與是否有殺手級應用的推出，另一方面還是要看消費者對于華為品牌的忠誠度。僅就當前階段來看，如果手機性能足夠強，確實可以抵消掉不支持5G網絡的影響。
2、2B線條：缺芯或倒逼轉型。
無論是5G通信設備還是服務器，目前華為想獲得自研芯片生產許可概率都很低，相比2C市場，華為更難。
尤其在5G通信設備方面，這是“禁區”中的“禁區”。
因此，華為如果想繼續開展服務器業務，可能只能使用美國公司的產品。而且，美國其實已經批準了英特爾與AMD對華為的供貨許可，但這樣的話華為將成為集成商，失去對于核心技術的掌握，華為是不是想這樣做要畫個問號。
前幾天，華為的政企大客戶中國電信和中國移動分別公布了自己的服務器采購中標公司名單，華為均落選，其中中國電信更是把前期已經中標的華為替換成了烽火。
數據來源：C114
而據業內專家稱，此舉或是華為主動退出自產服務器而轉向后方服務支撐領域的表現。
而對于5G通信設備尤其是基站領域，雖然需求數量比較穩定，華為也提前預測了生產規模，但一旦后續運營商出現需求增加的情況，華為的市場則很有可能會讓給完全沒有缺芯苦惱的同行們。
因此，在2B領域，華為轉型已經是勢在必行，而且，華為已經體現出了轉型的趨勢。
展開 市場 | 缺芯重壓下Mate斷更？華為未來路在何方
華為6月在官網推出了四款手機，分別是Mate40 Pro、Mate X2、Mate40E、nova 8 Pro，都采用了麒麟芯片，但由于5G射頻斷供原因此次4款手機均是純4G手機，華為已經開始試水高端4G手機的模式。
數據來源：晚點
對于平板產品還好說，但是消費者會不會在這個節點買賬華為的4G手機新機？一方面要看5G網絡未來的演進速度與是否有殺手級應用的推出，另一方面還是要看消費者對于華為品牌的忠誠度。僅就當前階段來看，如果手機性能足夠強，確實可以抵消掉不支持5G網絡的影響。
2、2B線條：缺芯或倒逼轉型。
無論是5G通信設備還是服務器，目前華為想獲得自研芯片生產許可概率都很低，相比2C市場，華為更難。
尤其在5G通信設備方面，這是“禁區”中的“禁區”。
因此，華為如果想繼續開展服務器業務，可能只能使用美國公司的產品。而且，美國其實已經批準了英特爾與AMD對華為的供貨許可，但這樣的話華為將成為集成商，失去對于核心技術的掌握，華為是不是想這樣做要畫個問號。
前幾天，華為的政企大客戶中國電信和中國移動分別公布了自己的服務器采購中標公司名單，華為均落選，其中中國電信更是把前期已經中標的華為替換成了烽火。
展開 固態硬盤接口詳解：SATA、mSATA、M.2、M.2(NVMe)、PCIE
PCI-E接口
在傳統SATA硬盤中，當我們進行數據操作時，數據會先從硬盤讀取到內存，再將數據提取至CPU內部進行計算，計算后寫入內存，存儲至硬盤中；而PCI-E就不一樣了，數據直接通過總線與CPU直連，省去了內存調用硬盤的過程，傳輸效率與速度都成倍提升。簡單的說，我們可以把兩種通道理解成兩輛相同的汽車，PCI-E通道的汽車就像是在高速上行駛，而SATA通道的汽車就像是在崎嶇山路上行駛。很顯然，PCI-E SSD傳輸速度遠遠大于SATA SSD。
目前PCI-E接口通道有PCI-E 2.0 x2及PCI-E 3.0 x4兩種，最大速度達到32Gbps，可以滿足未來一段時間的使用，而且早期PCI-E硬盤不能做啟動盤的問題早解決，現在旗艦級SSD大多會選擇PCI-E接口。
雖然PCI-E SSD有諸多好處，但也不是每個人都適合。PCI-E SSD由于閃存顆粒和主控品質問題，總體成本較高，相比傳統SATA固態硬盤價格貴一些。另外，由于PCI-E會占用總線通道，入門以及中端平臺CPU通道數較少，都不太適合添加PCI-E SSD，只有Z170，或者是X79、X99這樣頂級平臺，才可以完全發揮PCI-E SSD的性能。總的來說，如果你是一個不差錢的土豪，那么就 PCI-E SSD吧！
好了，帶客官看過這么多固態硬盤的接口，相信這篇文章也一定能讓你學到不少的知識。對于固態硬盤又多了更多的了解，希望可以幫助到大家。
本文為CSDN博主「shuai0845」的原創文章
原文：https://blog.csdn.net/shuai0845/article/details/98330290
-END-
展開 智芯研報 | 汽車電動化驅動SiC市場規模增長
高擊穿電場(V/cm)：
4H-SiC: 2.2x10e6
6H-SiC: 2.4x10e6
GaAs: 3x10e5
Si: 2.5x10e5
碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。
高熱傳導率(W/cm?K@RT)：
4H-SiC: 3.0-3.8
6H-SiC: 3.0-3.8
GaAs: 0.5
Si: 1.5
碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。
事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導率高于任何其它金屬，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。
高飽和電子遷移速度(cm/sec @E 2x105V/cm)：
4H-SiC: 2.0x107
6H-SiC: 2.0x107
GaAs: 1.0x10
Si: 1.0x107
由于這一特性, 碳化硅可制成各種高頻器件(射頻及微波)。
多年來，主流的功率半導體技術一直（現在仍然）是硅基，即功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
功率MOSFET被認為是最便宜、最流行的器件，用于適配器、電源和其他產品。它們用于高達900伏的應用中。
▲SiC電源組件在電動汽車中有許多用途
最主要的中端功率半導體器件是IGBT，它結合了MOSFET和雙極晶體管的特性。IGBT用于400伏~10千伏的應用。
展開 