在第一部分文章：《Ansys Zemax | 在 OpticStudio 中將干涉儀數(shù)據(jù)附加到光學(xué)表面 – 第一部分中》，我們演示了如何根據(jù)表面形狀和方向?qū)⒏缮鏈y量數(shù)據(jù)導(dǎo)入 OpticStudio，本部分文章我們將引入更多的實例演示。

為了進(jìn)一步提高電容值，MIM電容器通常由三塊板構(gòu)成，其中兩層是標(biāo)準(zhǔn)制造工藝的金屬層（通常是最上層），中間是一個特殊金屬層。這種獨(dú)特的布局使MIM電容器能夠?qū)崿F(xiàn)更高的電容密度，同時保持絕緣介電材料的穩(wěn)定性能和低漏電優(yōu)勢。

過程中，工程師會使用結(jié)構(gòu)、運(yùn)動學(xué)、計算流體力學(xué)（CFD）和熱仿真軟件包，例如Ansys Mechanical結(jié)構(gòu)有限元分析軟件，該軟件利用有限元分析（FEA）方法對機(jī)械設(shè)計的各個方面進(jìn)行仿真。他們施加力、加速度、沖擊、振動和溫度變化等環(huán)境載荷，并計算裝配體的響應(yīng)情況。

本文原刊登于Ansys.com：《The Difference Between MOM, MIM, and MOS Capacitors》 作者： Akanksha Soni | Ansys產(chǎn)品營銷經(jīng)理 編輯整理：Rodger Luo | Ansys 首席應(yīng)用工程師 從最基本的層面講，所有電容器都是通過由介電（絕緣）材料隔開的電導(dǎo)體（極板）來儲存能量的。

摘要： 本文針對300mm鎂合金溫軋機(jī)支承輥開展有限元分析，采用ANSYS軟件（經(jīng)典界面）。對支承輥進(jìn)行靜強(qiáng)度分析，結(jié)果表明：支承輥最大變形量為0.467×10^-4mm，滿足板形誤差要求；最大Von Mises應(yīng)力為67.6MPa，低于材料許用應(yīng)力（140~150MPa）。分析發(fā)現(xiàn)支承輥中間位置變形最大，軸頸與輥身接觸處應(yīng)力集中明顯。

在設(shè)計的中間階段和signoff階段，可以對整個IC系統(tǒng)進(jìn)行電源完整性分析，以確保PDN設(shè)計滿足目標(biāo)阻抗要求。

大田韓國科學(xué)技術(shù)院和Ansys正在制定計算流體力學(xué)（CFD）方法和最佳實踐，以利用大渦模擬仿真（LES）預(yù)測氫甲烷混合火焰的火焰結(jié)構(gòu)。 韓國科學(xué)技術(shù)院燃燒動力學(xué)與診斷實驗室開展的研究 KAIST CDDL正在研究重型燃?xì)廨啓C(jī)燃燒室、飛行器發(fā)動機(jī)加力燃燒室及雙推進(jìn)劑液體火箭發(fā)動機(jī)的低頻及高頻燃燒不穩(wěn)定性。

在此案例中，由流動波前時間可以看出熔膠充填產(chǎn)品上半部時會由左右兩側(cè)向中間匯集。流動行為影響表層纖維配向，使得中間波前交接處的纖維主要沿Z方向排列，兩側(cè)纖維則沿Y方向排列。而一般而言，因為含纖材料的非等向性，容易導(dǎo)致此處的強(qiáng)度衰減。 步驟2 切換至FEA接口頁簽，并點選FEA接口開啟精靈。指定應(yīng)力求解器與輸出網(wǎng)格擋。

圖2：微環(huán)調(diào)制器結(jié)構(gòu)示意圖 圖3：在Lumerical CHARGE中進(jìn)行電學(xué)仿真 如圖2、3為一個一個基于p-i-n結(jié)的硅基微環(huán)電光調(diào)制器，微環(huán)部分由p-i-n脊形波導(dǎo)構(gòu)成，中間部分由本征硅作為波導(dǎo)，兩邊分別為p型和n型重?fù)诫s區(qū)域，通過載流子注入機(jī)制實現(xiàn)電壓對載流子濃度的調(diào)制。

在十字結(jié)構(gòu)中，上層1根和中間3根波導(dǎo)都為 波導(dǎo)，底層1根波導(dǎo)為Si波導(dǎo)。此異質(zhì)多芯波導(dǎo)端面耦合器得益于底層為硅波導(dǎo)的設(shè)計方式，簡化了制造流程，降低了制造成本。從左到右看，光場先通過 絕熱劈尖，從Si波導(dǎo)耦合到單根 波導(dǎo)，再由 -十字波導(dǎo)劈尖轉(zhuǎn)移至十字型波導(dǎo)端面 ，并與光纖耦合，圖1（c）展示了十字型異質(zhì)多芯波導(dǎo)的模場分布。