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關注創建者:王靖雯 創建時間:2023-03-07
ansys仿真化學沉積的視頻教程
Ansys Fluent從零基礎到熟練掌握系列課(十四)組分傳輸及化學反應
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Ansys Fluent從零基礎到熟練掌握系列課(六)Fluent參數化
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ansys仿真化學沉積的實例教程
作者:鄧瑞英,上海安世亞太流體工程師
本文為上海安世亞太原創內容,若要轉載請標明出處
研究背景
化學氣相沉積技術主要是利用含有薄膜元素的氣相物質在襯底表面進行化學反應生成薄膜的方法。該技術廣泛應用于生產晶體、晶體薄膜,晶須,多晶/非晶材料膜。化學氣相沉積技術在半導體工業中有著比較廣泛的應用,例如,非晶硅薄膜太陽能電池中非晶硅材料的制備采用的就是等離子增強型化學氣相沉積技術(PECVD),等離子技術可以促進化學反應的發生,使得沉積過程能夠在較低的溫度下進行。
圖1 薄膜太陽能電池
研究目的
在制備薄膜太陽能電池的過程中,非晶硅表面上沉積的薄膜往往存在厚度不均勻的問題。非均勻薄膜對太陽能電池的性能產生極大的影響,因此需要深入探究非晶硅薄膜的沉積過程,解決沉積薄膜的非均勻性問題。而在晶硅薄膜的制備過程中很難通過現場實驗測量的方法獲得薄膜的生長規律、氣流流動特性、復雜的氣相和表面化學反應過程,因此需要借助CFD軟件模擬和預測非晶硅薄膜的沉積過程,獲得薄膜生長規律,從而解決薄膜的均勻性問題。
案例分析
等離子體化學氣相沉積(PECVD-- plasma-enhanced chemical vapor deposition)反應器主要由宏觀和微觀兩部分組成,如圖2、3所示。宏觀部分:反應氣體硅烷(SiH4)和氫氣(H2)進入反應器,反應器中加有電離場,反應氣體在電離的作用下形成SiH3和H。微觀部分:一部分SiH3和H經過物理吸附過程重新形成SiH4和H2。一部分SiH3經過化學吸附過程,SiH3、H吸附在帶懸掛鍵Si表面。
圖2 PECVD反應器示意圖
圖3 PECVD反應器原理圖
為減少計算量,采用反應器對稱的一半區域做計算。
展開 鄧瑞英
上海安世亞太公司
化學氣相沉積技術(CVD)主要是利用含有薄膜元素的氣相物質在襯底表面進行化學反應生成薄膜的方法,該技術廣泛應用于生產晶體、晶體薄膜,晶須,多晶/非晶材料膜。化學氣相沉積技術在半導體工業中有著比較廣泛的應用,例如,非晶硅薄膜太陽能電池中非晶硅材料的制備采用的就是等離子增強型化學氣相沉積技術(PECVD),等離子技術可以促進化學反應的發生,使得沉積過程能夠在較低的溫度下進行。
在制備薄膜太陽能電池的過程中,非晶硅表面上沉積的薄膜往往存在厚度不均勻的問題。非均勻薄膜對太陽能電池的性能產生極大的影響,因此需要深入探究非晶硅薄膜的沉積過程,解決沉積薄膜的非均勻性問題。而在晶硅薄膜的制備過程中很難通過現場實驗測量的方法獲得薄膜的生長規律、氣流流動特性、復雜的氣相和表面化學反應過程,因此需要借助CFD軟件模擬和預測非晶硅薄膜的沉積過程,獲得薄膜生長規律,從而解決薄膜的均勻性問題。
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等離子體化學氣相沉積(PECVD-- plasma-enhanced chemical vapor deposition)反應器主要由宏觀和微觀兩部分組成,如圖2、3所示。宏觀部分:反應氣體硅烷(SiH4)和氫氣(H2)進入反應器,反應器中加有電離場,反應氣體在電離的作用下形成SiH3和H。微觀部分:一部分SiH3和H經過物理吸附過程重新形成SiH4和H2。
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等離子體蝕刻
反應離子蝕刻(RIE)
化學氣相沉積(CVD)
金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)
物理氣相沉積(PVD)
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