氮化鎵外延片
關注創建者：匿名 創建時間：2021-08-24
氮化鎵外延片的實例教程
近日，耐威科技發布公告稱，其控股子公司聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚能晶源也因此成為截至目前公司已知全球范圍內領先的可提供具備長時可靠性的8英寸GaN外延晶圓的生產企業，但當期尚未實現量產。
耐威科技發力第三代半導體有成效
2018年，為布局并把握寬禁帶化合物半導體材料（即第三代半導體材料）產業的發展機遇，耐威科技先后投資設立了控股子公司聚能創芯和聚能晶源。其中，耐威科技持有聚能創芯35%的股權，持有聚能晶源40%的股權。
資料顯示，聚能晶源主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產，主要聚焦相關材料在航空電子、5G通信、物聯網等領域的應用，完善并豐富公司產業鏈。
自成立以來，聚能晶源先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長等技術難關，成功研制了達到全球業界領先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。
據了解，該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業界中高壓功率電子器件的應用需求。
耐威科技表示，在采用國際業界嚴苛判據標準的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優勢，能夠保障相關材料與技術在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。
公告稱，本次“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，短期內不會對公司的生產經營產生重大影響，但有利于公司加快在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備，有利于增強公司核心競爭力并把握市場機遇。
第三代半導體材料有何優勢？
展開 摘 要
：隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產化問題日益凸顯。分析了國產片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數和技術指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質量硅襯底研制指明了一定的方向。
氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環境下運行的高溫、高頻和大功率電子器件(FET，HEMT)，應用于無線通訊(wireless station)、衛星通信等領域[1-2]。特別是近十年來，以GaN為代表的寬禁帶半導體材料與器件的發展十分迅猛，并對信息科學技術的發展和應用起到了巨大的推動作用。因此，GaN外延材料與器件的制備成了目前炙手可熱的研究課題，國內各研究機構和大學都把主要精力集中在外延技術研究，提升器件性能。作為最有前途的硅基氮化鎵外延技術已經取得突破并應用于生產，而作為專用材料的硅襯底尤其是15.24 cm硅襯底材料，目前多依賴于進口。國內各大硅片廠商多專注于分立器件硅片和硅外延襯底片的研究，對氮化鎵外延技術的特殊性認識不足，使得出現外延后表面滑移線嚴重、外延過程裂片和表面不成晶等多種問題。開展氮化鎵外延專用硅襯底研究，形成統一的技術規范和加工要求，對于促進硅基氮化鎵襯底國產化和產業化具有十分重要的意義。
中國電科46所致力于硅基氮化鎵外延用特種硅襯底研制，與三安光電、晶能光電、蘇州能訊和彩虹藍光等國內知名氮化鎵器件研發企業有深入合作，在LED專用襯底、RF HEMT硅襯底國產化及批產化方面進行了探索與研制，形成了一定的規范標準。
展開 最近，江西又新增了一個氮化鎵項目，目前已有3個氮化鎵項目落戶江西，相關企業包括康佳集團和大連芯冠等。
據《贛南日報》報道，8月17日，贛州經開區舉行了一場線上簽約活動，共有6個項目集中簽約落戶，其中包括總投資2億元的深圳市中科半導體科技有限公司“氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料的研發生產項目”。
深圳中科半導體
成立于2021年5月27日，創辦于廣東深圳市龍華區。
據企查查顯示，半導體、新材料、節能技術等研發是公司的一般經營項目，且其投資股東海南九五科技、中科招商、?？谑懈邩丝萍级际莿偝闪⒉痪玫墓?。
此外，江西還有2個
氮化鎵
項目，且都與
康佳集團
有關系。
2020年11月11日，康佳集團與江西簽約建設“第三代化合物半導體產業園項目”，總投資
300億元
，一期項目投資達50億元。
今年5月17日，這個第三代半導體產業園迎來了首批入駐企業，其中就包括
江西芯創半導體
有限公司。
根據江西政府披露的《硅基氮化鎵外延和電子元器件研發與產業化項目》，該項目實施主體為芯創半導體。
芯創半導體是
大連芯冠
科技有限公司全資子公司，而3月30日，
康佳集團
的子公司康芯威半導體投資了大連芯冠。
展開 據“三代半風向”了解，本輪融資主要用于打造安徽池州的氮化鎵生產線。而該生產線在同一天正式開工建設，預計今年四季度實現投產，設計產能為20萬片襯底和1萬片UVA芯片。
據悉，2020年11月20日，芯元基第三代半導體氮化鎵項目正式簽約，總投資6億元，分兩期建設：其中一期投資2億元，打造一條GaN基DPSS襯底生產線，一條UVA365nm芯片生產線，并建設配套設施等；二期投資4億元，建設行政、生產一體化廠房及配套。
芯元基成立于2014年，在上海臨港建設了中試生產線，4月9日，入選了上海市2021年第一批入庫科技型中小企業。
除了LED外，2020年3月，芯元基宣布，該公司開發出了低位錯密度的高阻GaN材料，可用于電子功率器件和微波射頻器件等的制備。
據悉，該材料（測試厚度為2-2.5微米的GaN樣品），002面搖擺曲線的半高寬小于70arcsec，102面搖擺曲線的半高寬小于200arcsec，材料的面電阻大于109Ω，在該材料上制作二維電子氣，方塊電阻小于350 Ω，面載流子濃度接近9 *10 12 cm－２，遷移率大于2000cm2 /(V·s)，接近SiC基GaN。
截止目前，芯元基已完成6輪融資。這輪融資由張江浩成領投，上海自貿區基金、浦東新產投等跟投，老股東杭州創徒繼續追加投資。
其A+輪融資發生在2020年6月，當時完成870萬元融資，投資方為中微半導體、創徒叢林-創徒投資。
2018年11月，芯元基完成A輪數千萬元融資，主要用于工藝升級和量產，由中微半導體設備（上海）有限公司領投，杭州創徒和甲湛投資跟投。
相關閱讀：
參編單位集結號！2021第三代半導體白皮書調研啟動
GaN新突破：8英寸、1200V！
展開 最近，氮化鎵投資繼續在增加——四川新增一個總投資12.4億元的氮化鎵射頻線，同時一氮化鎵代工廠將新建月產能1萬片的新工廠。
據不完全統計，2021年1-8月，全國新增了25個氮化鎵項目，數量達到2020年全年的90%左右。9月9日，“三代半風向”將在深圳公布氮化鎵全國地圖，同時英飛凌、PI公司和英諾賽科等眾多企業也將帶來重磅演講。
四川：
新增氮化鎵射頻項目
氮化鎵企業獲千萬級融資
▲ 據川觀新聞報道，8月28日，四川成都金牛區舉行了集中開工儀式，共有9大項目，總投資68.9億元，其中包含北京航天微電芯片的氮化鎵項目。
加入碳化硅大佬群，請加VX：hangjiashuo666
據介紹，北京航天微電芯片孵化產業園項目總投資約12.4億元，計劃于2023年6月竣工。該項目將建成一條6英寸0.15μm全制程GaN/GaAs射頻芯片研制線，打造以微聲芯片、氮化鎵芯片、SIP模組、毫米波砷化鎵芯片等產品為代表的高端芯片產業孵化平臺。
▲ 8月30日，成都氮矽科技有限公司完成了千萬級Pre-A輪融資，本輪資金主要用于產品研發以及產品銷售等方面。
據介紹，氮矽科技成立于2019年，2020年6月完成千萬級天使輪融資。目前，該公司的營收在每月十幾萬左右，8月底將發布氮化鎵晶體管與驅動芯片的合封產品，Q3發布100V功率氮化鎵半橋驅動芯片。
此外，氮矽科技表示，為使得產能更有保障，氮矽科技的代工廠即將建設一個月產能6000-10000片的工廠。
展開 
氮化鎵外延片的最新內容
摘 要
：隨著硅基氮化鎵外延技術的不斷突破，其專用的硅襯底材料的國產化問題日益凸顯。分析了國產片外延后邊緣滑移線密集和裂片問題，提出了硅片邊緣控制和機械強度控制參數和技術指標，為滿足功率器件級氮化鎵外延需求的高質量硅襯底研制指明了一定的方向。
氮化鎵具有高飽和電子速率和擊穿電壓及耐高溫等特性，可用于制作極其惡劣環境下運行的高溫
CINNO Research產業資訊，由日本電子零部件企業田村製作所和AGC等出資成立的Novell Crystal Technology，與佐賀大學合作成功開發出第三代氧化鎵100mm外延片。這次研發屬于NEDO（日本國立產業技術綜合開發機構）戰略節能技術創新計劃中, "β-Ga2O3肖特基勢壘二極管商業化開發 "項目的一部分。在本次研發中，外延片制造技術得到了改進，將抑制大電流氧化鎵功率器件發
據廣西颶芯CEO宗華介紹了，廣西颶芯承擔了北京颶芯氮化鎵藍綠激光器的生產任務并進行生產性研發，目前已完成氮化鎵外延片產線建設。
徐州致能：氮化鎵產值達5.4億
據徐州日報2月17日報道，徐州致能半導體有限公司交出了一份漂亮的“成績單”——氮化鎵芯片項目年產值達到5.4億元。
（2）碳化硅襯底分類
碳化硅襯底可分為半絕緣型與導電性兩種，其中，半絕緣型碳化硅襯底是具有高電阻率（電阻率≥105Ω·cm），半絕緣型襯底加之異質氮化鎵外延片可以作為射頻器件的材料，主要應用與上述所述場景的5G通訊、國防軍工等領域；另一類是低電阻率（電阻率區間為 15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底，導電性碳化硅襯底配之碳化硅的同質外延可以用來做功率器件的材料，主要的應用場景為電動汽車
隨著碳化硅、氮化鎵襯底、外延片質量持續提升，上游材料產能不斷擴張，碳化硅、氮化鎵器件與傳統器件價差持續縮小、性能日益穩定及提高，進一步獲得下游認可。
盡管碳化硅被更多地作為襯底材料，但國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等；從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華等；從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。
盡管碳化硅被更多地作為襯底材料，但國內仍有從事氮化鎵單晶生長的企業，主要有蘇州納維、東莞中鎵、上海鎵特和芯元基等；從事氮化鎵外延片的國內廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶湛半導體、江蘇能華等；從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽微電子、聚燦光電、乾照光電等。
江蘇能華微電子采用在大型半導體廠商中推廣應用的IDM（垂直整合）模式，2013年建立了國內首條氮化鎵研發中試線后，江蘇能華微電子迅速實現產品研發、生產和迭代，運行兩年即成功研制和生產出了基于硅基、藍寶石基以及碳化硅基的氮化鎵外延片。
最近，氮化鎵投資繼續在增加——四川新增一個總投資12.4億元的氮化鎵射頻線，同時一氮化鎵代工廠將新建月產能1萬片的新工廠。
據不完全統計，2021年1-8月，全國新增了25個氮化鎵項目，數量達到2020年全年的90%左右。9月9日，“三代半風向”將在深圳公布氮化鎵全國地圖，同時英飛凌、PI公司和英諾賽科等眾多企業也將帶來重磅演講。
四川：
據《贛南日報》報道，8月17日，贛州經開區舉行了一場線上簽約活動，共有6個項目集中簽約落戶，其中包括總投資2億元的深圳市中科半導體科技有限公司“氮化鎵外延片材料和氮化鎵單晶襯底材料的研發生產項目”。
深圳中科半導體
成立于2021年5月27日，創辦于廣東深圳市龍華區。
