Wolfspeed創始人當選院士；英飛凌換運營官；韓國70億支持碳化硅……
2022年2月24日 13:49瀏覽：2238 評論：1
2月21日，
碳化硅、氮化鎵產業最熱新聞都在這里啦！
據韓媒2月16日報道，韓國半導體芯片行業準備在 2022 年投資 56.7 萬億韓元（合計3000億人民幣），以創造就業機會并加強供應鏈。
今年韓國的投資總額中，1.3萬億韓元（合計約69億人民幣）將用于專注于芯片設計和碳化硅化合物半導體的中小企業。另外1.8萬億韓元（合計95.3億人民幣）將用于專注于原材料、零部件、設備和半導體后處理的中小企業。
日前，中國汽車工程學會“節能與新能源汽車技術路線圖系列年度研究成果”發布，對2021年度節能與新能源汽車標志性技術進展以及2022年最受關注的十大技術趨勢進行了詳細研判。
入選2021年度電驅動總成標志性進展的技術中，中國科學院電工研究所的高功率密度碳化硅電機控制器，功率密度達到47.8kW/L，最高效率為99.8％，工作環境水溫105℃。“高功率密度碳化硅電機控制器”的參與企業包括：精進電動、中國科學院電工研究所、陽光電源、宇通客車、上海電驅動、中車時代電動。
2月16日，Wolfspeed官網宣布，他們的聯合創始人兼首席技術官 John Palmour（約翰·帕爾穆爾）博士當選為美國國家工程院院士。
據悉，美國國家工程院院士資格是為了表彰那些對工程研究和實踐做出杰出貢獻的人，包括開拓新興和發展中的技術領域以及在工程方面取得重大進展。
Palmour 在碳化硅和氮化鎵電子器件的制造和器件設計領域共發表了386篇科學作品，并擁有 81 項美國專利。
2月18日，英飛凌表示要更換首席運營官——Rutger Wijburg 將于4月1日接替 Jochen Hanebeck， 出任英飛凌首席運營官。
據了解，Wijburg 自 2018 年以來一直在公司工作。作為英飛凌德累斯頓的董事總經理，他負責提升高度自動化的 300 毫米生產線。在 2021 年初接任前端負責人之后，Wijburg 一直專注于擴大寬帶隙容量，并在建立 300 毫米“一個虛擬 Fab”集群的概念方面發揮了重要作用。他將在半導體行業 30 多年的國際經驗帶到他的新職位。
據日媒《亞洲經濟》2月16日報道，韓國SK Siltron正在擴建韓國龜尾市的兩家工廠，以生產碳化硅晶圓。
據介紹，日本龜尾二廠將從美國子公司SK Siltron CSS獲得部分碳化硅晶圓，并負責后半程的生產，于今年下半年開始量產。
若龜尾的兩個工廠的擴建和良率（合格品無缺陷率）穩定下來，生產規模將較去年大幅擴大。
2019年9月以5億美元（合計28.5億人民幣）收購了杜邦SiC晶圓事業部。
2021年1月28日以268億韓元（合計42億人民幣）收購了韓國es Power Technix的33.6％股權。
2月17日，山西省科技廳發布重大專項計劃“揭榜掛帥”項目的中榜名單，合計27項。
其中，在21項重大技術攻關類項目中，包含2個碳化硅項目，分別是大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產業化技術研發和8英寸碳化硅單晶生長設備研發，以滿足山西省企業的生產需求。
2月11日，II-VI宣布 已從英國Element Six獲得單晶金剛石技術的許可，以提高其功率和射頻設備的性能。
這將使金剛石層能夠作為散熱器添加到電源和射頻設備中，例如通過在碳化硅晶片的背面生長單晶層。這可以通過改善與 SiC 的熱界面來顯著提高功率器件的性能。
1月18日，廣東省科學院半導體所宣布，其先進材料平臺制備了位錯密度低至2.7×108cm-2且方塊電阻高達2.43×1011Ω/R的高質量GaN外延層模板。
據悉，該平臺針對因基板氧元素擴散導致GaN/藍寶石模板呈現n型導電特性的問題開展深入研究，通過單步磁控濺射工藝引入超薄（10nm）AlN緩沖層對外延界面調控實現了新突破。
2月10日，羅姆宣布將于2022 年春天展開氮化鎵功率元件的量產。
羅姆將于濱松工廠等日本國內外的生產據點，量產150V GaN HEMT。
該產品適用于數據中心和5G基站。
2月11日，廣投集團一行赴柳州市調研，拜訪了廣西颶芯科技有限責任公司。
據廣西颶芯CEO宗華介紹了，廣西颶芯承擔了北京颶芯氮化鎵藍綠激光器的生產任務并進行生產性研發，目前已完成氮化鎵外延片產線建設。
據徐州日報2月17日報道，徐州致能半導體有限公司交出了一份漂亮的“成績單”——氮化鎵芯片項目年產值達到5.4億元。
據悉，致能半導體有限公司是入駐高新區電子信息產業園的第一家企業，2020年11月雙方簽約；2021年1月正式開始施工；3月份設備陸續進場安裝調試；6月底整個項目全線通線。
2月17日，據杭州市西湖區人民政府下達的《2021年第四批杭州市工業和信息化發展財政專項資金的通知》顯示，杰華特微電子股份有限公司獲市資金及區配套補貼合計374.2萬元，用于氮化鎵器件的高頻有源鉗位反激控制芯片的研發及應用。
近日，中國人民大學物理學系陳珊珊教授團隊采用等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD）合成了大面積超薄、寬帶隙的二維氮化鎵。
相比于傳統使用的氨氣，該工作采用對環境友好的氮氣作為氮源，對預先沉積在硅片上的氧化鎵模板進行了氮化，通過平衡同時發生的氮等離子體的氮化和刻蝕，實現了雙層氮化鎵的可控制備。
日本京都大學的研究小組使用碳化硅霍爾棒結構研究了在不同溫度和施主濃度下垂直和沿 c 軸的電子遷移率。
在C軸上實現了有史以來最高的碳化硅電子遷移率——1160 cm2 V-1s-1。
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