氧化鋁、石墨負極材料、硅碳負極、碳納米管、碳納米管纖維、碳纖維及碳纖維復合材料、炭/炭復合材料、活性炭、超級電容炭、多孔碳、碳氣凝膠、碳分子篩、碳化硅半導體材料、富勒烯、立方氮化硼及其微粉、PDC、PCD、PCBN、CVD 金剛石、超硬材料磨削、切割、鉆進、拋光等各類工具制品，培育鉆石等； 2、工業鉆石材料端：金剛石、超硬材料及普通磨料制造所需原材料、高純石墨、高純氫氣、甲烷、氮氣等輔助氣體、晶種

12 高導熱石墨烯復合碳纖維 浙江大學高超教授（共同通訊）、許震研究員（共同通訊）、劉英軍副研究員（共同通訊）團隊和上海交通大學國鳳林教授團隊（共同通訊）合作提出了一種創新的“二維拓撲晶種石墨化”策略，取得了高導熱石墨烯復合碳纖維的新突破。通過實驗和分子動力學模擬共同揭示了二維拓撲晶種石墨化的分子機理。

母材和焊接材料中含有害雜質，特別是硫，硫在鋼中與鐵化合形成硫化亞鐵(FeS)，硫化亞鐵與鐵發生反應形成一種共晶物質，凝固溫度為988℃，遠低于鋼鐵的凝固溫度。所以硫是引起鋼材焊縫金屬中發生凝固裂紋的最主要的元素。另外，鋼材中含碳量較高時，有利于硫在晶界處富集,因而也是促進形成凝固裂紋的原因，所以采用含碳量低的焊接材料有利于防止凝固裂紋的產生。

未添加晶種的樣品具有包含異常長大的 β-Si3N4 晶粒和小的等軸狀基質晶粒的雙峰狀微結構，熱導率為 140 W·m-1K-1；而添加 24%晶種的樣品雖然也保持了雙峰狀微結構，但晶粒尺寸相對較小， 并且熱導率提升至 143 W·m-1K-1。 對比結果表明， β-Si3N4的熱導率受再沉積的大晶粒的量所影響， 而不被 β-Si3N4 的晶粒尺寸所控制。

這種能量勢壘可以通過誘導二次成核(例如，通過觸摸晶種或異物)來克服。一旦能壘被克服，過冷的相變材料釋放所有儲存的能量，并過渡到穩定的晶體狀態，這不滿足間歇性放熱相變材料的要求。 圖 1 a）勢能隨反應途徑的示意圖；每次結晶開始時都必須克服一個能壘。舉例說明了三次間歇放熱過程。b）相變材料間歇結晶過程示意圖。

在外部荷載及內力效應的作用下，晶體材料將發生斷裂破壞，按晶體材料斷裂時裂紋擴展路徑的差異，可將晶體的斷裂分為穿晶斷裂及沿晶斷裂兩種斷裂形式。 穿晶斷裂中裂紋穿過晶體的晶粒內部，斷裂面較為粗糙；沿晶斷裂中裂紋沿晶界擴展，可以清楚地看到一個個晶粒，晶粒面比較光滑。

本研究提出采用無壓燒結納米銀膏，以提升大功率發光二極管散熱性能．金屬銀本身具有優異的導電導熱性能，同時該納米銀膏可實現無壓低溫燒結，既保護芯片又可獲得耐高溫互連接頭．將納米銀膏作為大功率發光二極管貼片材料，可顯著提高發光二極管產生熱量的耗散速率．本研究分析了納米銀膏燒結溫度對電學、界面孔隙率和發光二極管結溫及熱阻的影響，此外對比分析了該納米銀膏與幾種傳統固晶材料對發光二極管散熱性能及光學性能的影響．

（2）長晶 當硅熔漿的溫度穩定后，將晶種慢慢下降進入硅熔融體中（晶種在硅熔融體內也會被熔化），隨后將具有一定轉速的晶種按照一定的速度向上提升，最后生產出合格的硅晶柱。 硅晶柱質量的關鍵在于硅的純度和硅的單晶性。硅晶柱直徑越大，則硅的單晶性越難掌控，質量也越難保證，因此直徑越大的硅晶柱制程的技術門檻也越高。

IGCT），1998年開發出注入增強門極晶體管（Injection Enhancement Gate Transistor.IEGT），等等從混合到器件開發的歷程可以看出.半導體電子開關的控制模式題向于采用MOS結構的電壓控制模式;導通模式有晶體管和晶閘管兩種模式。晶體管模式的通態壓降比晶閘管的高，但開通和關斷時對電流電壓的變化率的承受能力要比晶閘管優越得多。

此外，該技術不需要使用晶種，從而簡化了增材制造工藝。除了鎳，這種激光增材制造技術，還可用于將其他金屬和合金加工成單晶物體。