物理氣相沉積(PVD)的案例
先進高強鋼鍍層技術發展方向
03 物理氣相沉積（PVD）技術
物理氣相沉積（PVD）技術，作為一種生態兼容性好和功能強大的沉積技術，可以靈活地進行鍍層設計，而且靶材及基材多樣化。PVD技術沉積的膜可以是單質金屬、化合物以及合成膜，也可以是復合膜、梯度膜或多層膜。其可用來制備單晶、多晶、非晶以及納米材料，也可研制用于光學材料、磁性材料和耐蝕材料等的功能膜。與電鍍、熱鍍以及有機涂層工藝相比，PVD技術更加綠色環保。
雖然鋅合金（鋅鎂和鋅鋁等）鍍層鋼板性能優異，但是采用常規的鍍覆方法存在一些問題，如熱鍍時，鎂和鋁在空氣中極易氧化，鍍鍋內面渣嚴重；電鍍時產生工業三廢，污染環境。另外，先進高強鋼熱鍍鋅時存在合金元素在退火爐內產生外氧化進而導致漏鍍等問題。PVD技術為鎂和鋁鍍層沉積及先進高強鋼鍍鋅提供了良好的解決思路，即真空環境沉積極大地減輕了鍍層的氧化，使沉積元素比例可控，所制備的鋅合金鍍層能夠以更薄的鍍層和更小的用鋅量，更好地滿足用戶對合金鍍層鋼板耐蝕、焊接、成形及涂裝的要求，有效地規避了熱（電）鍍鋅鋼板在應用中所暴露出的不足，符合未來鍍層產品的發展理念。因此，近年來國內外各大鋼鐵公司以及科研機構如蒂森克虜伯、安賽樂米塔爾、POSCO、Tata、中國鋼研（新冶集團）等紛紛開展PVD技術制備鋅合金鍍層的研究。連續PVD技術開發已成為韓國國家戰略科技計劃之一，由韓國POSCO牽頭執行。該公司于2012年3月建成全寬度PVD中試線，該生產線可加工最大1550mm寬鋼帶，最高速度為140m/min。這條中試線的特點之一是連接到現有的生產線上，從而降低鋼帶處理的入口和出口段建設成本。最近，POSCO采用PVD技術開發出名為PosPVD的第二代高耐腐蝕性表面處理鋼板產品，該產品可以應用于汽車、家電和建筑等行業。由于PosPVD鋼板在涂裝后不會形成氣泡，因而成形后的耐腐蝕性提高。
展開 一組圖看懂金屬表面處理工藝
四、表面覆層強化
表面覆層強化
表面覆層強化是通過物理或化學的方法在金屬表面涂覆一層或多層其他金屬或非金屬的表面強化工藝。
目的：提高鋼件的耐磨性、耐蝕性、耐熱性或進行表面裝飾。
金屬噴涂技術
將金屬粉末加熱至熔化或半熔化狀態，用高壓氣流使其霧化并噴射于工件表面形成涂層的工藝稱為熱噴涂。
利用熱噴涂技術可改善材料的耐磨性、耐蝕性、耐熱性及絕緣性等。
廣泛用于包括航空航天、原子能、電子等尖端技術在內的幾乎所有領域。
金屬鍍層
在基體材料的表面覆上一層或多層金屬鍍層，可以顯著改善其耐磨性、耐蝕性和耐熱性，或獲得其他特殊性能。有電鍍、化學鍍、復合鍍、滲鍍、熱浸鍍、真空蒸鍍、噴鍍、離子鍍、濺射等方法。
金屬碳化物覆層～氣相沉積法
氣相沉積技術是指將含有沉積元素的氣相物質，通過物理或化學的方法沉積在材料表面形成薄膜的一種新型鍍膜技術。
根據沉積過程的原理不同，氣相沉積技術可分為物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)兩大類。
物理氣相沉積（PVD）
物理氣相沉積是指在真空條件下，用物理的方法，使材料汽化成原子、分子或電離成離子，并通過氣相過程，在材料表面沉積一層薄膜的技術。
物理沉積技術主要包括真空蒸鍍、濺射鍍、離子鍍三種基本方法。
物理氣相沉積具有適用的基體材料和膜層材料廣泛；工藝簡單、省材料、無污染；獲得的膜層膜基附著力強、膜層厚度均勻、致密、針孔少等優點。
廣泛用于機械、航空航天、電子、光學和輕工業等領域制備耐磨、耐蝕、耐熱、導電、絕緣、光學、磁性、壓電、滑潤、超導等薄膜。
展開 提升閥在精密機械中有哪些典型應用實例？
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一、半導體制造設備：潔凈與精準的雙重保障
在半導體晶圓加工過程中，對氣體純度、壓力穩定性和控制精度的要求極高，任何微小的顆粒污染或壓力波動都可能導致整片晶圓報廢，諾冠提升閥采用全金屬密封或高分子復合材料密封結構，具備超低內泄漏（通常小于0.01 L/min），且無滑動摩擦副，極大減少了顆粒生成風險，例如在化學氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）設備中，提升閥用于精確控制反應氣體的通斷與流量調節，確保工藝一致性與良品率。
二、醫療自動化設備：安全可靠的氣路控制
在呼吸機、麻醉機、體外診斷（IVD）設備等醫療儀器中，氣動系統需滿足嚴格的生物兼容性與可靠性標準，諾冠專為醫療領域開發的微型提升閥，不僅體積小巧（部分型號直徑小于10mm），還通過ISO 13485認證，支持環氧乙烷（EtO）或伽馬射線滅菌，快速啟閉特性（響應時間可短至5ms）能精準匹配患者呼吸節律，保障治療安全，此外在樣本處理機器人中，提升閥用于控制試劑輸送氣路，避免交叉污染。
三、高精度裝配與測試平臺：重復定位的關鍵
在汽車電子、消費電子等行業的自動化裝配線上，常需對微小部件進行高速、高重復性的抓取與放置操作，此時，由提升閥驅動的真空發生器或氣缸必須具備毫秒級響應和長期穩定性，諾冠的高頻提升閥設計壽命可達數億次循環，配合低功耗線圈，顯著降低能耗與發熱，適用于7×24小時連續運行的智能制造環境，例如在手機攝像頭模組組裝中，提升閥控制微型吸盤的真空建立與釋放，確保0.01mm級的定位精度。
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半導體制造：潔凈與精準的極致追求
在半導體晶圓加工過程中，任何微小的顆粒污染或氣體壓力波動都可能導致整批產品報廢，諾冠提升閥以超低內泄漏（通常小于0.01L/min）和無滑動摩擦副的設計，極大降低了顆粒生成風險，成為化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD）等關鍵工藝設備中的核心控制元件。
例如在某國際領先的芯片制造廠中，諾冠提升閥被用于精確控制高純度反應氣體的通斷與流量調節，快速響應能力（切換時間短至5ms）確保了工藝過程的穩定性，顯著提升了良品率。
醫療自動化設備：安全與可靠的守護
在呼吸機、麻醉機、體外診斷（IVD）設備等醫療儀器中，氣動系統必須滿足嚴格的生物兼容性與可靠性標準，諾冠專為醫療領域開發的微型提升閥，體積小巧（部分型號直徑小于10mm），通過ISO13485認證，支持環氧乙烷（EtO）或伽馬射線滅菌。
在某知名呼吸機制造商的產品中，諾冠提升閥被用于精準匹配患者呼吸節律，毫秒級響應特性保障了治療過程的安全性與舒適性，此外在樣本處理機器人中，該閥還用于控制試劑輸送氣路，有效避免交叉污染。
自動化裝配線：高速與高精度的協同
在汽車電子、消費電子等行業的自動化裝配線上，微小部件的高速抓取與放置對氣動元件提出了極高要求，諾冠高頻提升閥設計壽命可達數億次循環，配合低功耗線圈，顯著降低能耗與發熱，適用于7×24小時連續運行的智能制造環境。
以某手機攝像頭模組組裝線為例，諾冠提升閥控制微型吸盤的真空建立與釋放，確保0.01mm級的定位精度，大幅提升了生產效率與產品一致性。
展開 
氣動提升閥主要用在哪些場合？
諾冠（IMI Norgren）的提升閥產品，專為應對此類難題而生，在化學氣相沉積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）設備中，提升閥利用獨特的“無滑動摩擦”密封結構，極大減少了顆粒生成的風險，超低內泄漏率（通常小于0.01L/min）確保了反應氣體的純度與工藝的一致性，無論是高純度的氮氣、氬氣，還是具有腐蝕性的特種氣體，諾冠提升閥都能通過全金屬密封或高性能復合材料，實現精準控制，為芯片制造的良率保駕護航。
醫療自動化：生命支持的“呼吸節拍”
隨著醫療科技的進步，從高端呼吸機、麻醉機到體外診斷（IVD）設備，氣動控制系統已成為醫療儀器的核心，在這些設備中，提升閥不僅要體積小巧，更要具備極高的可靠性與生物兼容性。
諾冠專為醫療領域開發的微型提升閥，部分型號直徑小于10mm，卻能實現短至5ms的快速啟閉，這種極速響應能力，使能夠精準匹配患者的呼吸節律，確保治療過程的安全與舒適，此外在樣本處理機器人中，諾冠提升閥通過精確控制試劑輸送氣路，有效避免了交叉污染，產品通過ISO13485認證，支持環氧乙烷（EtO）或伽馬射線滅菌，完全符合醫療器械的嚴苛標準。
高速自動化裝配：效率提升的“加速器”
在汽車電子、消費電子等行業的自動化裝配線上，生產節拍直接決定了產能，這就要求氣動元件必須具備極高的響應頻率和長期穩定性。
諾冠的高頻提升閥設計壽命可達數億次循環，配合低功耗線圈，顯著降低了能耗與發熱，完美適配7×24小時連續運行的智能制造環境，例如在手機攝像頭模組的組裝過程中，由提升閥驅動的真空發生器必須具備毫秒級的響應速度，控制微型吸盤快速建立與釋放真空，從而確保0.01mm級的定位精度，諾冠ExcelonPlus系列（如VP55/VP56）更是憑借高達1000萬次以上的使用壽命，成為高速包裝、機器人抓取等場景的理想選擇。
展開 流量控制器在半導體加工工藝化學氣相沉積（CVD）的應用
薄膜沉積是在半導體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導體多晶硅、金屬銅等。用來鍍膜的這個設備就叫薄膜沉積設備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設備占比更高。
化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物的過程。
化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發生化學反應形成固態沉積物及產生的氣相副產物脫離基體表面。最常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。
在半導體CVD工藝中，通常會使用一種或多種前體氣體，這些氣體在反應室中通過化學反應產生固態薄膜材料，然后沉積在半導體晶片表面。CVD工藝可以通過熱CVD、等離子CVD、金屬有機CVD等不同的方式來實現。
其中常見的氣體包括：二氧化硅前體氣體（如二氧化硅醚、氯硅烷）、氮氣、氨氣、硅源氣體（如三甲基硅烷、三氯硅烷）、氫氣等。對于不同的前體氣體，需要能夠精確地控制其流量，以確保反應的準確性和穩定性。
比如：在典型的 MOCVD 設置中，位于單獨溶液室中的液態金屬有機前驅體根據需要進行溫和加熱，噴射或鼓泡以溶解前驅體氣體，并通過高純度載氣（通常是氮氣或氫氣）通過流量控制器輸送到 MOCVD 反應器中。受控閃蒸器。該輸送管線的溫度受到精確控制，以避免前體在引入 MOCVD 反應器之前發生冷凝或過早反應。
展開 芯片制造環節，我們到底還缺啥？
薄膜沉積環節主要是PVD、CVD設備，基本滿足要求。
絕緣薄膜（如SiO2）、半導體薄膜（如多晶硅）、導電薄膜（如金屬）是芯片中的重要物質，薄膜沉積是各類薄膜形成的最主要方式。
薄膜沉積工藝分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）和外延三大類。PVD多應用于金屬薄膜的沉積，CVD可應用于絕緣薄膜、半導體薄膜和導電膜層的沉積，外延是在硅片表面生長單晶薄膜的工藝。另外，ALD屬于CVD的一種，是目前最先進的薄膜沉積技術。
北方華創的PVD設備已經用于28nm生產線中，14nm工藝設備也已實現重大進展。沈陽拓荊的PECVD設備已在中芯國際40-28nm產線使用，ALD設備也在14nm工藝產線通過驗證。
7. 化學機械拋光環節設備主要是拋光機，目前仍受限制。
晶圓制造需要對硅片表面進行平坦化處理，不然會嚴重影響芯片的結構及良率。化學機械拋光（CMP）結合了化學作用與機械作用，使硅片表面材料與研磨液發生化學反應的同時，在研磨頭的壓力作用下進行拋光，最終使硅片表面實現平坦化。
華海清科和中電科45所均參與02專項項目——“28-14nm拋光設備及工藝、配套材料產業化”，研發300mm晶圓28-14nm“干進干出”CMP整機設備及結合配套材料的成套工藝。
目前華海清科的拋光機已進入中芯國際生產線，同時中電科45所8英寸設備正在被中芯國際驗證。
8. 清洗設備已經基本滿足要求。
展開 SABIC推出ULTEM?DT1820EV樹脂 以高性價比打造炫目金屬化效果，提升消費電子產品設計感
全新ULTEM DT1820EV樹脂具有高光澤度的特點，可實現免噴涂和使用物理氣相沉積(PVD)的金屬化等不同裝飾美學效果。為了進一步改善外觀，這種聚醚酰亞胺(PEI)材料具有出色的表面硬度，有助于減少劃痕，其高模量特性也可避免PVD層開裂。此外，它還具有高流動性，可實現復雜的薄壁設計，助力電子產品外觀部件的小型化和輕量化設計。這款新材料的潛在應用包括智能手機攝像頭裝飾圈和前框，以及智能手表邊框等。
SABIC ULTEM樹脂和添加劑業務總監Scott Fisher表示：「瞬息萬變的消費電子市場以設計風格多變和競爭激烈而聞名。客戶始終在尋找能夠以合理成本實現與眾不同的高質量外觀的新材料。為了滿足這一需求，我們開發了ULTEM DT1820EV樹脂。它不僅能提高電子產品外觀部件的設計水平，同時也不像金屬等傳統材料那樣成本高昂。此款ULTEM材料在通過使用PVD的二次裝飾工藝后，可以實現奪人眼球的美學效果，同時客戶也能受益于熱塑性塑料在設計和制造方面的諸多優勢。」
借助PVD工藝實現多彩的金屬化
SABIC的ULTEM DT1820EV樹脂非常適用于濺射PVD金屬化工藝。在濺射過程中，該材料憑借高耐熱性和良好的PVD層結合力，能夠有效提高產率。此外，其高硬度和低熱膨脹系數(CTE)有助于避免PVD層的開裂問題。使用ULTEM DT1820EV樹脂進行PVD加工可以打造出與金屬相媲美的多彩、高光澤的表面，同時降低整體生產成本。
此外，PVD的工藝流程比不導電真空金屬化(NCVM)更簡單，后者通常用于玻纖填充的聚碳酸酯(PC)樹脂部件的表面裝飾。例如，和NCVM相比，PVD工藝可以省去三道噴涂步驟。而使用NCVM工藝的部件易產生積油和肥邊，不利于實現高質量的金屬化效果。
展開 芯片大浪潮下，濺射靶材行業迎來發展機遇
濺射靶材，特別是高純度濺射靶材應用于電子元器件制造的物理氣相沉積（PVD）工藝，是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。真空狀態下，用加速的離子轟擊固體表面，離子和固體表面原子交換動量，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面形成所需要的薄膜，這一過程稱為濺射。被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的源材料，通常稱為靶材。
濺射靶材的行業特征
1、市場規模
2013-2020年，全球濺射靶材市場規模從76億美元上升196億美元，復合增速為14%。中國市場規模在30億美元。2020年全球半導體用靶材市場規模約20億美元，中國市場規模55億元，靶材占晶圓制造及封裝材料比逾3%。
濺射靶材的下游應用領域包括半導體芯片10%，平板顯示器34%，信息存儲29%，太陽能電池21%和智能玻璃6%。半導體領域用濺射靶材對性能要求極高。
2、濺射靶材主要應用分析：
1>半導體濺射靶材.半導體濺射靶材占比10%，半導體芯片按照硅片尺寸的不同靶材類別也有差異，8英寸晶圓生產中用到的鋁靶和鈦靶較多，而12英寸晶圓生產中對于鉭和銅靶材的需求較大。
2>平板顯示。平板顯示占比34%，鍍膜用濺射靶材主要品種有：鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫（ITO）靶材等。
3>太陽能光伏。太陽能光伏行業中，濺射靶材占比21%，常用的濺射靶材包括：鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶。
3、濺射靶材產業鏈
靶材產業鏈：濺射靶材產業鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應用等環節。
展開 淺談精沖齒圈壓板的分析與改進
除氮碳共滲、離子氮化、滲硼、滲鈮、滲釩、表面鍍硬鉻和電火花強化外，化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）已逐步采用，良好的表面強化可提高壽命幾倍到幾十倍。
——摘自《鍛造與沖壓》2019年第4期
靶材 | 被先導收購的三星康寧靶材事業部正式更名為KV Materials
SCG的陶瓷靶材業務將并入先導薄膜材料事業部（先導集團四大事業部之一），該業務部門致力于濺射靶材和物理氣相沉積（PVD）蒸發材料的研發、生產、銷售和回收利用。先導薄膜材料副總裁Olivier Bracher表示：“此次收購所產生的協同效應將為全球性客戶形成一個更強大、更可靠的合作伙伴。”
未來，三星康寧靶材將忠實于發揮三星顯示和美國康寧生產基地的作用。公司股份由三星顯示和康寧各持有一半。三星顯示是康寧的第二大股東(9%)。三星顯示從2014年開始對康寧進行投資，并在今年4月將長期合同延長到2028年，延長了7年。2014年康寧收購了三星康寧精密材料。三星康寧精密材料公司也是三星顯示和康寧合作公司，生產LCD基板玻璃。
三星康寧靶材已經出售了龜尾工廠，目前只剩下生產OLED基板玻璃的牙山工廠。
此次三星康寧靶材轉讓給KV Materials的專利中，還包括三星顯示與前任常務(樸前常務)從2017年開始持續進行4年的職務發明訴訟專利。
樸前常務在要求對自己的氧化物(oxide)專利支付職務發明補償后，三星顯示于去年4月放棄了同三星康寧靶材公司共同擁有的專利。而后，該專利一直被三星康寧靶材持有。本次，持有方被變更為KV Materials。
推測，樸前常務未來除了要求單純的權力金外，還會主張三星顯示在事業領域持續在使用其專利。樸前常務主張此項專利用于三星顯示開發中的QD-OLED TFT。但三星顯示澄清不再使用其專利。去年11月首爾中央地方法院曾判決三星顯示向樸前常務支付職務發明補償金5717萬韓元和利息。裁判部認為，三星顯示向蘋果公司提供的LCD面板使用了相關專利。雙方都提出了上訴。
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8種常見金屬材料，及金屬表面處理工藝介紹
根據沉積過程的原理不同，氣相沉積技術可分為物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD)兩大類。
物理氣相沉積（PVD）
物理氣相沉積是指在真空條件下，用物理的方法，使材料汽化成原子、分子或電離成離子，并通過氣相過程，在材料表面沉積一層薄膜的技術。
物理沉積技術主要包括真空蒸鍍、濺射鍍、離子鍍三種基本方法。
物理氣相沉積具有適用的基體材料和膜層材料廣泛；工藝簡單、省材料、無污染；獲得的膜層膜基附著力強、膜層厚度均勻、致密、針孔少等優點。
廣泛用于機械、航空航天、電子、光學和輕工業等領域制備耐磨、耐蝕、耐熱、導電、絕緣、光學、磁性、壓電、滑潤、超導等薄膜。
化學氣相沉積（CVD）
化學氣相沉積是指在一定溫度下，混合氣體與基體表面相互作用而在基體表面形成金屬或化合物薄膜的方法。
由于化學氣相沉積膜層具有良好的耐磨性、耐蝕性、耐熱性及電學、光學等特殊性能，已被廣泛用于機械制造、航空航天、交通運輸、煤化工等工業領域。
展開 天天為＂芯＂而鬧，一文看晶圓制造主要設備一覽
2017年全球營收前十大半導體設備公司
幾乎壟斷了高端光刻市場份額高達80%的ASML，在CVD設備和PVD設備領域都保持領先的美國應用材料（AMAT）以及刻蝕機設備領域龍頭Lam Research穩坐前三。下面將就沉積、刻蝕、光刻這三大領域及代表公司進行詳解。
1. 沉積設備
沉積是半導體制程工藝中的一個非常重要的技術，分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）。
PVD是英文Physical Vapor Deposition的縮寫，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術。
PVD鍍膜技術主要分為三類，真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應于PVD技術的三個分類，相應的真空鍍膜設備也就有真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機這三種。
CVD是英文Chemical Vapor Deposition的縮寫，中文意思為“化學氣相沉積”，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，其可用于沉積大范圍的絕緣材料、大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，化學氣相沉積法時將兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。
在集成電路制成中，經常使用的CVD技術有：大氣壓化學氣相沉積（APCVD）、低氣壓化學氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）以及新型氣相外延生長技術金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCVD）等。相應的設備也就有APCVD設備，LPCVD設備，PECVD設備以及MOCVD設備。
2.
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2017年全球營收前十大半導體設備公司
幾乎壟斷了高端光刻市場份額高達80%的ASML，在CVD設備和PVD設備領域都保持領先的美國應用材料（AMAT）以及刻蝕機設備領域龍頭Lam Research穩坐前三。下面將就沉積、刻蝕、光刻這三大領域及代表公司進行詳解。
1. 沉積設備
沉積是半導體制程工藝中的一個非常重要的技術，分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）。
PVD是英文Physical Vapor Deposition的縮寫，中文意思是“物理氣相沉積”，是指在真空條件下，用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術。
PVD鍍膜技術主要分為三類，真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應于PVD技術的三個分類，相應的真空鍍膜設備也就有真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機這三種。
CVD是英文Chemical Vapor Deposition的縮寫，中文意思為“化學氣相沉積”，是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，其可用于沉積大范圍的絕緣材料、大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，化學氣相沉積法時將兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然后他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。
在集成電路制成中，經常使用的CVD技術有：大氣壓化學氣相沉積（APCVD）、低氣壓化學氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）以及新型氣相外延生長技術金屬有機化合物化學氣相沉積（MOCVD）等。相應的設備也就有APCVD設備，LPCVD設備，PECVD設備以及MOCVD設備。
2.
展開 聚焦 | 國產薄膜沉積設備龍頭的新突破
如果說北方華創和中微半導體是國內設備界的“南北雙雄”，這兩家公司在PVD，清洗，擴撒熱處理，CMP拋光，以及刻蝕方面占據龍頭地位，那拓荊則是CVD領域的“絕世高手”！
薄膜沉積設備芯片制造的關鍵設備之一
芯片制造工藝包括光刻，刻蝕，薄膜沉積，清洗，退火，CMP，離子注入等數十道工藝。其中光刻，刻蝕，和薄膜沉積是最核心的三種工藝。
許多薄膜的特性與晶粒尺寸密切相關。膜硬度，電導率和膜應力演化等均與晶粒尺寸相關，工藝難度非常大。因此薄膜沉積是最核心的工藝之一。
而薄膜工藝從實現原理包括，物理氣相沉積（PVD），化學氣相沉積（CVD），熱氧化法等，甚至45nm制程以下還需要用到更先進的原子層沉積（ALD）設備。
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