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例如，北方華創(chuàng)eVictor AX30主要用于后道Al pad，為芯片中各器件提供電子信號(hào)、微連線等作用，主要用于Bond pad（焊盤）和Al interconnect工藝（Al內(nèi)連線）工藝。

2) 北方華創(chuàng) PVD 優(yōu)勢(shì)顯著：北方華創(chuàng)薄膜沉積產(chǎn)品線較為全面，具備 PVD、CVD、ALD 產(chǎn)品 供應(yīng)能力，在 PVD 設(shè)備領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)顯著，國(guó)內(nèi)產(chǎn)線導(dǎo)入的國(guó)產(chǎn) PVD 設(shè)備基本均出自北方華創(chuàng)。拓荊科技、中微公司尚不具備 PVD 產(chǎn)品供應(yīng)能力。

3、PVD北方華創(chuàng)磁控濺射技術(shù)屬于PVD（物理氣相沉積）技術(shù)的一種，是制備薄膜材料的重要方法之一。它是利用帶電荷的粒子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向被濺射的物質(zhì)制成的靶電極（陰極），并將靶材原子濺射出來使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到襯底并在襯底上沉積成膜的方法。磁控濺射設(shè)備使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的薄膜致密性好、粘結(jié)力強(qiáng)及純凈度高。

氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝，其生長(zhǎng)薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對(duì)應(yīng)的關(guān)系。

碳化硅單晶主要有物理氣相傳輸法(PVT)、高溫化學(xué) 氣相沉積(HTCVD)法和液相外延法(LPE)法，目前 PVT 法由于設(shè)備易于制造、長(zhǎng)晶過 程更好控制以及成本較低等優(yōu)點(diǎn)，是業(yè)內(nèi)最成熟的工藝。其原理是通過將處于 2000°C以上的 SiC 原料升華分解成氣相物質(zhì)，這些氣相物質(zhì)輸運(yùn)到溫度較低的籽晶 處，結(jié)晶生成 SiC 單晶。

目前主流采用化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備，國(guó)內(nèi)外企業(yè)已推出相關(guān)產(chǎn)品。研報(bào)認(rèn)為，同時(shí)，金剛石的物理和化學(xué)性質(zhì)研究也取得了進(jìn)展，推動(dòng)了新材料和新應(yīng)用的開發(fā)。2026大灣區(qū)工業(yè)鉆石展覽會(huì)（亞鉆展）將于2026年6月10日-12日深圳國(guó)際會(huì)展中心召開。屆時(shí)，熱忱歡迎國(guó)內(nèi)外的工業(yè)鉆石企業(yè)及其相關(guān)行業(yè)人士前來參觀與交流！

目前，中電科48所、北方華創(chuàng)等國(guó)內(nèi)企業(yè)已量產(chǎn)了相關(guān)設(shè)備。 制備SiC器件的柵極氧化層需要高溫氧化爐。國(guó)外主要設(shè)備廠商包括昇先創(chuàng)Centrotherm、東橫化學(xué)等，當(dāng)前中電科48所、北方華創(chuàng)等國(guó)內(nèi)企業(yè)的設(shè)備也能夠用于生產(chǎn)碳化硅器件。

對(duì)于陸上地質(zhì)封存潛力有限、毗鄰海域沉積盆地的地區(qū)，可建立和應(yīng)用以 CO2離岸地質(zhì)封存為核心的CCUS技術(shù)匹配模式，如英國(guó)北海北方耐力合作伙伴（Northern Endurance Partnership，簡(jiǎn)稱 NET）ZERO Teesside項(xiàng)目。中國(guó)在南海珠江口盆地也開展了有益的探索。