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氧化物半導體

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創建者：匿名 創建時間：2022-06-22

氧化物半導體的視頻教程

基于Fluent的固體氧化物燃料電池(SOFC)建模
基于Fluent的固體氧化物燃料電池(SOFC)建模

采用Fluent SOFC模塊進行固體氧化物燃料電池建模 采用ANSYS meshing 網格劃分并定義邊界 采用fluent 和sofc模塊完成燃料電池單流道仿真計算

￥60 52分鐘 616播放
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半導體功能安全分析
半導體功能安全分析

會議簡介： Ansys medini半導體安全分析解決方案，除了可以無縫導入IP設計數據，自動進行故障率及其分布的確定，派生FMEDA，支持FMEDA數據交換和重用，還包含所有medini通用解決方案的所有功能，比如安全需求的派生和追溯管理、架構設計、FMEA、FTA、DFA等。

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半導體器件的功率循環及熱可靠性測試
半導體器件的功率循環及熱可靠性測試

本視頻介紹了半導體器件的功率循環及熱可靠性測試流程。 第一步：將待測器件與POWERTESTER連接，輸入相關參數，校準K系數（溫度敏感因子） 第二步：通過測試平臺內置的觸摸屏電腦，設置待測器件的循環策略，啟動設備，進行全自動熱瞬態及功率循環測試 第三步：數據分析（支持數據導出，進行結構函數分析、生成熱模型等）

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氧化物半導體圖1

氧化物半導體的實例教程

借助具有不同官能團（如硫醇、羧基、氨基等）的小分子配體作為“橋梁”，不僅能夠降低金屬氧化物的水解速率，而且能夠通過氫鍵和配位鍵提高親水PEO嵌段與金屬前驅體之間的相互作用。 圖2 配體輔助組裝策略合成介孔晶化金屬氧化物 除了借助小分子配體作為“橋梁”輔助嵌段共聚物與金屬前驅體的共組裝，低聚合度的可溶性酚醛樹脂（resol）能夠同時與sp2雜化碳嵌段共聚物的親水嵌段、金屬前驅體相互作用。為此，課題組提出策略三：Resol-輔助的共組裝策略，借助resol的交聯作用和強相互作用，實現resol、sp2雜化碳嵌段共聚物和金屬前驅體的三元共組裝。特別地，除去酚醛樹脂形成碳骨架后，可以在原有的介孔孔道中產生豐富的二級介孔結構，顯著提高材料的孔隙率。 以富含sp2雜化碳嵌段共聚物為基礎，通過巧妙的調控界面組裝環境、合成策略等能夠實現多種有序介孔金屬氧化物的合成，特別是介孔過渡金屬氧化物半導體。這類材料在氣體傳感領域展現出非常優異的傳感性能，課題組針對常見的環境有毒有害氣氛和重要待測組分進行了深入研究，并對其傳感作用機制進行了探討。 圖 3 sp2 雜化 碳嵌段共聚物 導向 合成的介孔金屬氧化物半導體傳感機制 （a）n-型介孔WO3半導體材料檢測3-羥基-2-丁酮的傳感機理； （b）n-型介孔SnO2半導體材料檢測H2S氣體的傳感機理； （c）p-型介孔CoOx/C半導體材料檢測H2的傳感機理； （d）p-n型Pt/WO3異質結半導體材料檢測CO的傳感機理。 【展望】 文末，作者還展望了未來有序介孔金屬氧化物半導體材料的合成、設計及應用的潛在方向。
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CINNO Research產業資訊，據JDI（日本顯示器公司）3月30日官網發布消息稱，其位于千葉縣茂原的G6工廠，成功開發出全球首個背板革新技術，從根本上改善了目前傳統氧化物半導體薄膜晶體管 (OS-TFT) 的性能。進一步將立即開始推進該技術的商業化。 １． 新技術概要 新技術的可生成場效應遷移率，是傳統 OS-TFT 技術2 倍以上的高遷移率氧化物半導體 (HMO，High Mobility Oxide)技術，以及傳統 OS-TFT 技術4 倍以上的超高遷移率氧化物半導體 (UHMO，Ultra High Mobility Oxide)技術。UHMO在JDI G6量產線上的場效應遷移率為52cm2/Vs，氧化物半導體TFT在量產生產線上實現了非常高速的特性。可以說，該技術可實現與 LTPS 相同水平的導通電流，同時保持低截止漏電流。 另一個優勢是，雖然傳統的高遷移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技術，這將玻璃基板尺寸限制在 G6，但該技術可用于 G8 或更大的生產線。
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CINNO Research產業資訊，POSTECH(浦項工業大學)化學工業專業盧勇英教授、Liu Ao博士、Zhu Huihui博士(均為浦項工業大學博士后研究員)研究團隊，以及韓國標準科學研究院金勇成博士，通過與浦項加速器研究所金敏奎博士的聯合研究，研發出碲硒(Tellurium-Selenium)復合氧化物半導體材料，成功實現了高性能、高穩定性p型薄膜晶體管(以下簡稱TFT)。 這項研究于當地時間10日刊登在科學領域世界頂尖學術期刊《Nature(自然)》線上版上。 人們日常使用的各類電子設備中，無論是手機、電腦還是汽車，半導體都是不可或缺的核心部件。半導體主要可以分為晶質(crystalline)和非晶質(amorphous)半導體兩大類。晶質半導體擁有原子或分子規律排列的結構，而非晶質半導體則不具備這一特性。 盡管非晶質半導體在制作工藝和成本方面擁有顯著優勢，但與晶質半導體相比，其電性能卻有所降低。尤其是在p型非晶態半導體的研究上，進展相對緩慢。 N型非晶質半導體基于鎵鋅氧化物(以下簡稱IGZO)，廣泛應用于OLED顯示領域和存儲器領域，但p型材料還有很多內在缺陷，因此造成電子設備和集成電路的核心—n-p型互補雙極性半導體(CMOS4))發展受阻。 學術界已長達二十年未能取得突破，因此，開發高性能的非晶性p型半導體元件一度被視為幾乎無法攻克的難題。然而，面對這一挑戰，POSTECH的盧勇英教授研究團隊卻迎難而上，成功將這一“不可能”轉變為“可能”。 在此次研究中，研究團隊深入探討了缺氧環境下稀土金屬鎵氧化物電荷量升高的現象。他們發現，在特定缺氧條件下，這種物質能夠形成接受電子的受主能級(acceptor level)，進而可作為p型半導體運作。
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國產半導體廠商正在一步步追趕國際先進水平，日前華虹半導體宣布，該公司推出的90nm BCD工藝已經在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。 華虹指出，90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優勢，擁有更佳的電性參數，并且得益于12英寸制程的穩定性，良率優異，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競爭力的制造方案。 我們知道，目前臺積電的3納米都快試產了，一說到90納米，就認為是20年的工藝了，早已落后了。不過今天說的是90nm BCD工藝，這可不是常規工藝。這個工藝的重點是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS，是ST意法半導體在80年代發明的功率芯片技術。能做到90納米已經可以擠進屬于世界先進行列了！ BCD是一種復雜的硅芯片制造工藝，每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術的優點，包括用于高精度處理模擬信號的雙極晶體管，用于設計數字控制電路的CMOS（互補金屬氧化物半導體）和用于開發電源和高壓開關器件的DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）。 ST意法目前依然是全球領先的BCD工藝制造商，35年來生產了500萬片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，工藝發展了十代了，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量產的十代工藝也是90nm BCD。 從這一點上來看，華虹的90nm BCD工藝確實是該領域的先進工藝，技術優勢明顯，而中芯國際等國內其他代工廠也在開發90nm BCD工藝，華虹的進度也是領先的。 什么是BCD？ (以下內容轉載自：芯思想） BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技術是一種單片集成工藝技術，能夠在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，1985年由意法半導體率先研制成功。
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國產半導體廠商正在一步步追趕國際先進水平，日前華虹半導體宣布，該公司推出的90nm BCD工藝已經在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。 華虹指出，90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優勢，擁有更佳的電性參數，并且得益于12英寸制程的穩定性，良率優異，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競爭力的制造方案。 我們知道，目前臺積電的3納米都快試產了，一說到90納米，就認為是20年的工藝了，早已落后了。不過今天說的是90nm BCD工藝，這可不是常規工藝。這個工藝的重點是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS，是ST意法半導體在80年代發明的功率芯片技術。能做到90納米已經可以擠進屬于世界先進行列了！ BCD是一種復雜的硅芯片制造工藝，每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術的優點，包括用于高精度處理模擬信號的雙極晶體管，用于設計數字控制電路的CMOS（互補金屬氧化物半導體）和用于開發電源和高壓開關器件的DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）。 ST意法目前依然是全球領先的BCD工藝制造商，35年來生產了500萬片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，工藝發展了十代了，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量產的十代工藝也是90nm BCD。 從這一點上來看，華虹的90nm BCD工藝確實是該領域的先進工藝，技術優勢明顯，而中芯國際等國內其他代工廠也在開發90nm BCD工藝，華虹的進度也是領先的。 什么是BCD？
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氧化物半導體圖2

氧化物半導體的相關專題、標簽、搜索

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氧化物半導體的最新內容

普通功率MOS管（通常指?功率MOSFET?，即金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種?電壓控制型?半導體器件，廣泛用于開關電源、電機驅動、電源管理等大電流、高效率場景。其核心工作原理基于?柵極電壓對導電溝道的調控?。 工采網代理的普通功率MOS管 - ?MOT10N65F?是一款 ?N溝道增強型功率 MOSFET?，專為高壓、高頻開關應用設計。
2026年越南國際半導體、光電及智能電子科技展 SEMICON VIETNAM 2026 開展時間：2026年8月26日-28日 展會地址：越南河內VEC國際會展中心 主辦單位：越南科技院技術發展中心、越南河內高新技術開發區管委會 組展公司：廣州勵智穎展覽服務有限公司 隨著科技的不斷發展和人類對電子產品性能要求的提高
金屬-氧化物-半導體電容器的優勢 與MIM電容器相比，單位面積電容更高 柵極絕緣體（SiO2）更薄 金屬-氧化物-半導體電容器的缺點 電容變化顯著，限制了其工作電壓范圍 下極板的寄生電阻會影響性能 金屬-氧化物-半導體電容器的應用 IC 模擬電路 電壓參考電路 可調濾波器
在這里工采網推薦一款非常適合的H2傳感器TGS2616-C00 日本Figaro 氫氣傳感器 氣體傳感器 TGS2616-C00 描述: 敏感素子由集成加熱器以及在氧化鋁基板上的金屬氧化物半導體構成，外殼采用標準 TO-5 封裝。當空氣中存在被檢測氣體時，該氣體的濃度越高傳感器的電導率也會越高。使用簡單的電路，就可以將電導率的變化轉換成與該氣體濃度相對應的信號輸出。
本文原刊登于Ansys.com：《Simulation Enables SiC Module Designs at STMicroelectronics》 作者： Christophe Bianchi | Ansys首席技術專家 編輯整理：張偉偉 | Ansys 高級應用工程師 “我們在Mechanical中完成了這一分析，它是一款值得信賴的求解器，對于我們在開發過程中了解SiC MOSFET
汽車傳感器 許多傳感器正在被集成到依賴光電組件的車輛中，其中包括： 互補金屬氧化物半導體（CMOS）傳感器：用于感知自動駕駛汽車和高級駕駛輔助系統（ADAS）中的局部環境 電荷耦合器件（CCD）攝像頭：用于自動駕駛操作的另一種成像攝像頭，但尤其適用于弱光條件 激光雷達：跟蹤障礙物和車輛，創建車輛周圍局部環境的3D地圖——廣泛應用于自動駕駛汽車和ADAS
金屬-氧化物-半導體電容器的優勢 與MIM電容器相比，單位面積電容更高 柵極絕緣體（SiO2）更薄 金屬-氧化物-半導體電容器的缺點 電容變化顯著，限制了其工作電壓范圍 下極板的寄生電阻會影響性能 金屬-氧化物-半導體電容器的應用 IC 模擬電路 電壓參考電路 可調濾波器 MOM、MIM和MOS
功能框架圖： ?馬達驅動芯片 - SS6811H的特性： 雙通道H橋電機驅動器 –單個或兩個有刷直流電機 –一個步進電機 PWM控制接口 低導通阻抗的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET) – 24V，Ta = 25°C時可實現 1.6A較大驅動電流 – 24V，Ta= 25°C時RDS(on)為720mΩ（典型值HS + LS）
引腳配置和功能： 馬達驅動芯片 - SS8837T的特性： H橋電機驅動器 - 驅動一個直流電機或其他負載 - 低金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 導通電阻：高側 + 低側 (HS +LS) 260mΩ 1.8A較大驅動電流 獨立的電機和邏輯電源引腳： - 電機VM：0至12V - 邏輯VCC：1.8至12V 脈寬調制(PWM
? CMOS圖像傳感器是一種采用互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術的半導體器件，旨在將入射光轉換為數字圖像。與大多數數字攝像頭一樣，其通過半導體芯片表面的數千個光子探測器來檢測入射光。每個探測器通過將光子的能量轉換為電流來測量吸收的光子的頻率（顏色）和數量（亮度）。然后，連接在每個探測器上的晶體管將電流放大。這種類型的圖像傳感器被稱為有源像素傳感器（APS）。