氧化物半導體的案例
富含sp2-雜化碳的嵌段共聚物導向合成介孔金屬氧化物半導體傳感器材料
借助具有不同官能團（如硫醇、羧基、氨基等）的小分子配體作為“橋梁”，不僅能夠降低金屬氧化物的水解速率，而且能夠通過氫鍵和配位鍵提高親水PEO嵌段與金屬前驅體之間的相互作用。
圖2 配體輔助組裝策略合成介孔晶化金屬氧化物
除了借助小分子配體作為“橋梁”輔助嵌段共聚物與金屬前驅體的共組裝，低聚合度的可溶性酚醛樹脂（resol）能夠同時與sp2雜化碳嵌段共聚物的親水嵌段、金屬前驅體相互作用。為此，課題組提出策略三：Resol-輔助的共組裝策略，借助resol的交聯作用和強相互作用，實現resol、sp2雜化碳嵌段共聚物和金屬前驅體的三元共組裝。特別地，除去酚醛樹脂形成碳骨架后，可以在原有的介孔孔道中產生豐富的二級介孔結構，顯著提高材料的孔隙率。
以富含sp2雜化碳嵌段共聚物為基礎，通過巧妙的調控界面組裝環境、合成策略等能夠實現多種有序介孔金屬氧化物的合成，特別是介孔過渡金屬氧化物半導體。這類材料在氣體傳感領域展現出非常優異的傳感性能，課題組針對常見的環境有毒有害氣氛和重要待測組分進行了深入研究，并對其傳感作用機制進行了探討。
圖
3
sp2
雜化
碳嵌段共聚物
導向
合成的介孔金屬氧化物半導體傳感機制
（a）n-型介孔WO3半導體材料檢測3-羥基-2-丁酮的傳感機理；
（b）n-型介孔SnO2半導體材料檢測H2S氣體的傳感機理；
（c）p-型介孔CoOx/C半導體材料檢測H2的傳感機理；
（d）p-n型Pt/WO3異質結半導體材料檢測CO的傳感機理。
【展望】
文末，作者還展望了未來有序介孔金屬氧化物半導體材料的合成、設計及應用的潛在方向。
展開 JDI 在6代線開發出新一代氧化物半導體TFT背板技術
CINNO Research產業資訊，據JDI（日本顯示器公司）3月30日官網發布消息稱，其位于千葉縣茂原的G6工廠，成功開發出全球首個背板革新技術，從根本上改善了目前傳統氧化物半導體薄膜晶體管 (OS-TFT) 的性能。進一步將立即開始推進該技術的商業化。
１． 新技術概要
新技術的可生成場效應遷移率，是傳統 OS-TFT 技術2 倍以上的高遷移率氧化物半導體 (HMO，High Mobility Oxide)技術，以及傳統 OS-TFT 技術4 倍以上的超高遷移率氧化物半導體 (UHMO，Ultra High Mobility Oxide)技術。UHMO在JDI G6量產線上的場效應遷移率為52cm2/Vs，氧化物半導體TFT在量產生產線上實現了非常高速的特性。可以說，該技術可實現與 LTPS 相同水平的導通電流，同時保持低截止漏電流。
另一個優勢是，雖然傳統的高遷移率 AMOLED 背板需要 LTPS 技術，這將玻璃基板尺寸限制在 G6，但該技術可用于 G8 或更大的生產線。
展開 POSTECH團隊開發出碲硒復合氧化物半導體材料，成功實現高性能高穩定性的p型薄膜TFT
CINNO Research產業資訊，POSTECH(浦項工業大學)化學工業專業盧勇英教授、Liu Ao博士、Zhu Huihui博士(均為浦項工業大學博士后研究員)研究團隊，以及韓國標準科學研究院金勇成博士，通過與浦項加速器研究所金敏奎博士的聯合研究，研發出碲硒(Tellurium-Selenium)復合氧化物半導體材料，成功實現了高性能、高穩定性p型薄膜晶體管(以下簡稱TFT)。
這項研究于當地時間10日刊登在科學領域世界頂尖學術期刊《Nature(自然)》線上版上。
人們日常使用的各類電子設備中，無論是手機、電腦還是汽車，半導體都是不可或缺的核心部件。半導體主要可以分為晶質(crystalline)和非晶質(amorphous)半導體兩大類。晶質半導體擁有原子或分子規律排列的結構，而非晶質半導體則不具備這一特性。
盡管非晶質半導體在制作工藝和成本方面擁有顯著優勢，但與晶質半導體相比，其電性能卻有所降低。尤其是在p型非晶態半導體的研究上，進展相對緩慢。
N型非晶質半導體基于鎵鋅氧化物(以下簡稱IGZO)，廣泛應用于OLED顯示領域和存儲器領域，但p型材料還有很多內在缺陷，因此造成電子設備和集成電路的核心—n-p型互補雙極性半導體(CMOS4))發展受阻。
學術界已長達二十年未能取得突破，因此，開發高性能的非晶性p型半導體元件一度被視為幾乎無法攻克的難題。然而，面對這一挑戰，POSTECH的盧勇英教授研究團隊卻迎難而上，成功將這一“不可能”轉變為“可能”。
在此次研究中，研究團隊深入探討了缺氧環境下稀土金屬鎵氧化物電荷量升高的現象。他們發現，在特定缺氧條件下，這種物質能夠形成接受電子的受主能級(acceptor level)，進而可作為p型半導體運作。
展開 華虹半導體90nm BCD工藝實現規模量產！
國產半導體廠商正在一步步追趕國際先進水平，日前華虹半導體宣布，該公司推出的90nm BCD工藝已經在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。
華虹指出，90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優勢，擁有更佳的電性參數，并且得益于12英寸制程的穩定性，良率優異，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競爭力的制造方案。
我們知道，目前臺積電的3納米都快試產了，一說到90納米，就認為是20年的工藝了，早已落后了。不過今天說的是90nm BCD工藝，這可不是常規工藝。這個工藝的重點是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS，是ST意法半導體在80年代發明的功率芯片技術。能做到90納米已經可以擠進屬于世界先進行列了！
BCD是一種復雜的硅芯片制造工藝，每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術的優點，包括用于高精度處理模擬信號的雙極晶體管，用于設計數字控制電路的CMOS（互補金屬氧化物半導體）和用于開發電源和高壓開關器件的DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）。
ST意法目前依然是全球領先的BCD工藝制造商，35年來生產了500萬片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，工藝發展了十代了，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量產的十代工藝也是90nm BCD。
從這一點上來看，華虹的90nm BCD工藝確實是該領域的先進工藝，技術優勢明顯，而中芯國際等國內其他代工廠也在開發90nm BCD工藝，華虹的進度也是領先的。
什么是BCD？
展開 
華虹半導體90nm BCD工藝實現規模量產！
國產半導體廠商正在一步步追趕國際先進水平，日前華虹半導體宣布，該公司推出的90nm BCD工藝已經在華虹無錫12英寸生產線已實現規模量產。
華虹指出，90nm BCD工藝具備性能高、核心面積較小等優勢，擁有更佳的電性參數，并且得益于12英寸制程的穩定性，良率優異，為數字電源、數字音頻功放等芯片應用提供了更具競爭力的制造方案。
我們知道，目前臺積電的3納米都快試產了，一說到90納米，就認為是20年的工藝了，早已落后了。不過今天說的是90nm BCD工藝，這可不是常規工藝。這個工藝的重點是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS，是ST意法半導體在80年代發明的功率芯片技術。能做到90納米已經可以擠進屬于世界先進行列了！
BCD是一種復雜的硅芯片制造工藝，每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種不同制造技術的優點，包括用于高精度處理模擬信號的雙極晶體管，用于設計數字控制電路的CMOS（互補金屬氧化物半導體）和用于開發電源和高壓開關器件的DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）。
ST意法目前依然是全球領先的BCD工藝制造商，35年來生產了500萬片晶圓，售出400億顆芯片，僅2020年就售出近30億顆芯片，工藝發展了十代了，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量產的十代工藝也是90nm BCD。
從這一點上來看，華虹的90nm BCD工藝確實是該領域的先進工藝，技術優勢明顯，而中芯國際等國內其他代工廠也在開發90nm BCD工藝，華虹的進度也是領先的。
什么是BCD？ (以下內容轉載自：芯思想）
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技術是一種單片集成工藝技術，能夠在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，1985年由意法半導體率先研制成功。
展開 新型柔性薄膜晶體管：有望帶來高性能柔性可穿戴設備！
相比于中英兩國科研團隊開發的氧化物半導體晶體管來說，它們不透明、剛硬且昂貴。氧化物TFT不僅可以改善LCD顯示器的圖像顯示效果，而且讓人印象更深刻的是柔性。
曼徹斯特大學電氣與電子工程學院納米電子專業教授 Aimin Song 解釋道：“現在電視已經能夠做到極度的薄和亮。而我們的研究將使得電視更具機械柔性且更易制造。”
相比于日益遭遇一些基本瓶頸的硅技術來說，基于氧化物的技術正高速發展。Song 教授表示，近些年來，氧化物半導體領域的進展迅猛，一系列研究都旨在改善基于氧化物半導體的TFT。
目前，一些基于氧化物的技術已經開始在某些產品中替代非晶硅。Song 教授認為，這些最新的開發會進一步推進它們的商業化。
價值
Song 教授稱，這種GHz晶體管將帶來中等或者更高性能的柔性電子電路，例如真正的可穿戴電子產品。可穿戴電子產品需要柔性，并且很多情況下還需要透明。所以，它將是這項研究的一個完美的應用領域。
此外，氧化物半導體TFT還將在智能家居、智慧醫院和智慧城市等領域扮演重要角色。這項研究將帶來比之前更快、更亮、更柔性的新一代電子產品。
未來
他補充道：“為了促進這些基于氧化物的電子產品進一步商業化，還需要在材料、光刻、設備設計和測試方面進行一系列研發，最后但并非最不重要的是，大面積制造技術。硅技術發展到這一步經歷了幾十年，而氧化物技術正以更快的速度發展。”
“制造一個類似我們的GHz IGZO 晶體管的高性能設備極具挑戰性，因為不僅材料需要優化，還有設備設計、制造和測試方面的一系列問題有待解決。2015年，我們采用氧化物半導體演示了最快速的柔性二極管，達到6.4GHz，它目前仍然保持著世界記錄。所以我們對基于氧化物半導體的技術充滿信心。”
展開 半導體 | 華虹半導體12吋90納米BCD實現規模量產
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技術是一種單片集成工藝技術，能夠在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，1985年由意法半導體率先研制成功。隨著集成電路工藝的進一步發展，BCD工藝已經成為PIC的主流制造技術。
圖片來源：ST官網
1950年代出現了適合生產模擬功能器件的雙極（Bipolar）工藝，雙極器件一般用于功率稍大的電路中，具有截止頻率高、驅動能力大、速度快、噪聲低等優點，但其集成度低、體積大、功耗大。1960年代，出現了適合生產數字功能電路的CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝，CMOS器件具有集成度高、功耗低、輸入阻抗高等優點，驅動邏輯門能力比其他器件強很多，也彌補了雙極器件的缺點。1970年代，出現了適合生產功率器件的DMOS（雙擴散金屬氧化物半導體）工藝，DMOS功率器件具有高壓、大電流的特點。
BCD工藝把Bipolar器件、CMOS器件、DMOS功率器件同時制作在同一芯片上，綜合了雙極器件高跨導、強負載驅動能力和CMOS集成度高、低功耗的優點，使其互相取長補短，發揮各自的優點；同時DMOS可以在開關模式下工作，功耗極低。不需要昂貴的封裝和冷卻系統就可以將大功率傳遞給負載。低功耗是BCD工藝的一個主要優點之一。BCD工藝可大幅降低功率耗損，提高系統性能，節省電路的封裝費用，并具有更好的可靠性。
經過35年的發展，BCD工藝已經從第一代的4微米發展到了第九代的0.11微米，線寬尺寸不斷減小的同時，也采用了更加先進的多層金屬布線系統，使得BCD工藝與純CMOS工藝發展差距縮小，目前的BCD工藝中的CMOS與純CMOS可完全兼容。
展開 MEMS氣體傳感器類型以及優勢
其中，具有代表性的基于金屬氧化物半導體敏感材料的氣體傳感器已廣泛應用于安全、環境、樓宇控制等領域的氣體檢測。
MEMS技術的進步，為氣體傳感器的集成化提供了堅實的基礎，毋庸置疑，基于MEMS的設計方案將成為未來氣體傳感器的主要發展方向之一。
目前，市場上以單晶硅材料為襯底，非硅材料為敏感層的MEMS氣體傳感器最為常見，今天工采網小編就給大家介紹一下市場上常見的MEMS氣體傳感器類型。
1、MEMS電導型氣敏傳感器
MEMS電導型氣敏傳感器的敏感材料是金屬氧化物半導體或導電聚合物，使用最多的金屬氧化物半導體是二氧化錫，其次是二氧化鈦、氧化鋅等。為提高氣敏傳感器靈敏度和選擇性，往往會向金屬氧化物中加入催化劑，如鉑、鈀等貴金屬或合適的金屬氧化物。
當敏感材料暴露于被測氣體中，氣體會與它們發生反應，引起電導率或電阻率的變化，產生的電信號經過信號處理后，輸出為可識別氣體成分或氣體濃度的信號。
MEMS金屬氧化物半導體氣敏傳感器采用微電子技術的成膜工藝在硅襯底上淀積金屬氧化物敏感層，利用敏感層下的電阻做加熱器，利用二極管做測溫元件，必要的信號電路和讀出電路也可以集成在同一硅芯片上。
MEMS微氣體傳感器的制作工藝如圖所示，其特點在于將加熱電極、絕緣層和測試電極一層一層依次堆積疊加在一起。
2、MEMS固體電解質氣敏傳感器
固體電解質氣敏傳感器有電流型和電壓型兩種，電流型的靈敏度高，測量范圍大，溫漂小。但它的輸出電流和敏感性能與電極尺寸關系密切。傳統的燒結體型器件難于控制電極尺寸，因而輸出的電流和敏感性能也難于控制。由于MEMS技術制作的器件電機尺寸精度高，因而MEMS固體電解質電流型氣敏傳感器性能優異。
展開 “第三代半導體”助力新能源汽車彎道超車
而在新能源汽車及直流充電樁技術快速發展的背后，是以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的應用在發揮巨大作用。
第三代半導體指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化物半導體（如氧化鋅ZnO）、III族氮化物（如氮化鋁AlN）、金剛石半導體等寬禁帶半導體材料。相較于第一代半導體材料（硅、鍺）與第二代半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代半導體的內部結構穩定，具有許多非常優異的特性，如高擊穿電場、高熱導率、高溫穩定性、高功率、抗高壓、高電子飽和速率以及抗強輻射能力等優勢，能夠滿足5G通信、快充、新能源汽車主控電路等新興領域的需求。
第三代半導體材料已經在基站射頻、功放等通信領域嶄露頭角，2021年，隨著“十四五”規劃的提出，中國將加速推動第三代半導體新材料新技術產業化進程，受益于功率轉換的極大應用潛力，第三代半導體開始進入新一輪的增長周期。
其中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是第三代半導體中發展最為成熟的兩個品類。碳化硅（SiC）具有工作溫度更高、開關和導通損耗更低的特性，適合太陽能逆變器、工業電源以及新能源汽車主控電路。
具體來說，碳化硅（SiC）可作為襯底主要應用在功率半導體與射頻半導體領域，而由導電型碳化硅襯底制成的功率半導體器件包括：結勢壘肖特基功率二極管（JBS）、PiN功率二極管和混合PiN肖特基二極管（MPS）；金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、雙極型晶體管（BJT）、結型場效應晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和門極可關斷晶閘管（GTO）等，能夠應用于電子電氣領域中新能源汽車、光伏發電等方面。眾多新能源車企已經開始將SiC應用于其新能源汽車的主控電路中。
展開 第三代半導體技術競爭白熱化！碳化硅(SiC)的前世今生！
碳化硅氮化鎵主導，第三代半導體技術競爭白熱化！
2021年，隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體 GaN 及 SiC 元件及模組需求強勁。根據CASA數據，2020年，我國第三代半導體整體產值超過7100億。從年初開始，多重利好消息也在刺激著人們對于第三代半導體業的關注。8月14日，工信部正式宣布將碳化硅（SiC）復合材料、碳基復合材料等納入“十四五”產業科技創新相關發展規劃，以全面突破關鍵核心技術，攻克“卡脖子”品種。行業投資水漲船高、新玩家入場、需求不斷涌現，第三代半導體市場也揚起了浪。
碳化硅、氮化鎵已趨于成熟
第三代半導體是5G時代高頻化、輕薄化應用的優選。5G、新能源汽車等新興領域要求硬件擁有更好的性能，半導體產品的效率要求也會隨之提高，半導體材料的代際劃分顯現。第三代半導體指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化物半導體（如氧化鋅ZnO）、III族氮化物（如氮化鋁AlN）、金剛石半導體等寬禁帶半導體材料。相較于第一代半導體材料（硅、鍺）與第二代半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，在5G、毫米波通信、新能源汽車、光伏發電、航空航天等戰略新興產業的應用需求呈現激增。
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）已是第三代半導體中發展最成熟的兩個品種。碳化硅（SiC）具有工作溫度更高、開關和導通損耗更低的特性，適合太陽能逆變器、工業電源以及新能源汽車主控電路。
展開 電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別
金屬-絕緣體-金屬電容器結構
金屬-絕緣體-金屬電容器的優勢
穩定的電容
單位面積電容高
良好的品質因數
良好的線性特性
金屬-絕緣體-金屬電容器的缺點
需要特殊工藝來創建掩膜層
成本更高
金屬-絕緣體-金屬電容器的應用
集成電路（IC）
存儲器模塊
RF和微波器件
光電探測器
什么是金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器？
金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器本質上是一種用作電容器的晶體管，其中柵極是電容器的上極板，漏極和源極連接構成下極板，而柵極的薄氧化層是絕緣層。MOS電容器本身并不是一種廣泛使用的器件，不過，它是MOS晶體管（金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱MOSFET）的組成部分。
MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會改變柵極的耗盡區，從而改變介電屬性，進而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應用中尤其有用，在這種應用中，直流電壓保持恒定。
展開 
“雙碳”目標下三代半導體的發展分析
Akhan半導體公司采用CMOS金剛石半導體工藝制造出的首個器件是金剛石PIN二極管，厚度打破記錄地薄至500 nm，性能比硅高100萬倍，還比硅薄100倍，原因在于金剛石的帶隙比碳化硅和氮化鎵還要寬。在熱分析結果顯示，該PIN二極管中沒有熱點，因此沒有硅PIN二極管中的寄生損失。金剛石具有超低阻值，減少了散熱需求，還可淀積在硅、玻璃、藍寶石和金屬襯底上，有望重新激發微處理器運算速度的演進。
Ga2O3是金屬鎵的氧化物，同時也是一種半導體化合物[4]。研究人員曾試制了金屬半導體場效應晶體管，盡管屬于未形成保護膜鈍化膜的簡單結構，但是樣品已經顯示出耐壓高、泄漏電流小的特性。在使用碳化硅和氮化鎵制造相同結構的元件時，通常難以達到這些樣品的指標。
圍繞新一代的半導體材料的研究目前大多處于摸索過程中，但關鍵指標還是在功耗更低、功率更高、成本更低和制備更易這幾個方面展開，充分發揮功率類化合物半導體的優勢，為實現“雙碳”目標、產業升級而不斷努力！
來源：電子工藝技術 第43卷第1期
作者：中國電子科技集團公司第十三研究所 許景通，王二超，常青松，徐達，袁彪，史光華
展開 電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別
金屬-絕緣體-金屬電容器的優勢
穩定的電容
單位面積電容高
良好的品質因數
良好的線性特性
金屬-絕緣體-金屬電容器的缺點
需要特殊工藝來創建掩膜層
成本更高
金屬-絕緣體-金屬電容器的應用
集成電路（IC）
存儲器模塊
RF和微波器件
光電探測器
什么是金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器？
金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器本質上是一種用作電容器的晶體管，其中柵極是電容器的上極板，漏極和源極連接構成下極板，而柵極的薄氧化層是絕緣層。MOS電容器本身并不是一種廣泛使用的器件，不過，它是MOS晶體管（金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱MOSFET）的組成部分。
MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會改變柵極的耗盡區，從而改變介電屬性，進而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應用中尤其有用，在這種應用中，直流電壓保持恒定。
金屬-氧化物-半導體電容器的優勢
與MIM電容器相比，單位面積電容更高
柵極絕緣體（SiO2）更薄
金屬-氧化物-半導體電容器的缺點
電容變化顯著，限制了其工作電壓范圍
下極板的寄生電阻會影響性能
金屬-氧化物-半導體電容器的應用
IC
模擬電路
電壓參考電路
可調濾波器
MOM、MIM和MOS比較
利用仿真提取電容
MOM電容器是一種復雜的結構，其體積相當大，由許多超薄 “手指” 結構組成。這些電容器極易受到布局相關效應（LDE）的影響而變形。因此，必須對LDE進行精確建模，以確保計算出MOM電容器的準確模型。
展開 《廣西壯族自治區燃氣管理條例》5月1日起實施，燃氣安全需要防患于未然
工采網工采網推薦一款天然氣傳感器TGS2619，這是進口的一款半導體原理天然氣傳感器，它具有使用壽命長、長期性能穩定，響應迅速、體積小、功耗低等特點，同時對丙烷、丁烷、酒精等可燃性氣體也有較好的靈敏度，不僅能檢測天然氣、也能檢測液化氣、打火機氣體等燃氣，非常適合用于燃氣報警器。
同時，工采網推薦可燃氣體傳感器/天然氣傳感器TGS2611-E00，自帶酒精過濾，且不受乙酸氣體影響。抗硅酸二乙mi測試，符合歐盟標準及GB 15322.1-2019可燃氣新國標。 TGS2611-E00是專門為廚房等復雜環境燃氣泄漏檢測而研制的，不僅可以過濾酒精等有機溶劑，就連丙烷、丁烷也可以過濾，實現了對CH4很好的選擇性.如果涉及廚房液化氣泄漏檢測，建議采用液化石油氣傳感器TGS2610，該傳感器是帶有機溶劑過濾的液化氣專用傳感器.
型號
TGS2611
TGS2610
TGS2619
檢測原理
氧化物半導體式
氧化物半導體式
氧化物半導體式
標準封裝
TO-5 金屬
TO-5 金屬
TO-5 金屬
對象氣體
甲烷，天然氣
丁烷，LP氣體
甲烷，天然氣,丙烷、丁烷,液化氣
檢測范圍
500 ~ 10,000ppm
500 ~ 10,000ppm
500 ~ 10,000ppm
想了解更多燃氣報警器傳感器選型請上工采網，請在線咨詢工采網技術工程師。
燃氣報警器在廚房的安裝示意圖：
天然氣和液化氣密度不同，燃氣報警器的安裝位置也不同。
展開 Sapien半導體與美國BigTech公司簽訂AR用硅基MicroLED DDI芯片訂單
CINNO Research產業資訊，8月26日，Sapien半導體宣布，與美國Big Tech公司簽訂了用于增強現實（AR）眼鏡的LEDoS(LED on Silicon）驅動芯片共同開發供應合同。合同規模為48億韓元（約2578萬人民幣），合同期限至2025年10月。
Sapien半導體的LEDoS互補金屬氧化物半導體（CMOS）背板產品（來源：Sapien半導體）
Sapien半導體在今年6月曾與LEDoS公司簽訂了44億韓元（約2363萬人民幣）的合同。同年7月，又與一家Micro Display模組公司簽訂了39億韓元（約2094萬人民幣）規模的CMOS背板開發合同。
Sapien半導體表示，“此次與位于美國硅谷的五大科技巨頭之一簽訂了合同，雙方將共同開發用于AR眼鏡的LEDoS顯示驅動芯片”。AR眼鏡用LEDoS的像素密度超過1萬PPI（每英寸像素數），而屏幕大小首選為0.1~0.2吋。
在開發過程中，將采用Sapien半導體的原創技術MiP（Memory Inside Pixel）驅動技術等。MiP是一種內置了存儲像素圖像信息的存儲器的數字驅動技術。
Sapien半導體稱，“在顯示產品供應體系中，我們繞過了顯示引擎制造企業的中間環節，實現了直接簽約。通常，顯示產品的開發供應體系是驅動芯片企業（Tier 2）通過引擎制造商（Tier 1）向科技巨頭企業供應的模式”，并稱“此次合同采取的是科技巨頭公司與Sapien半導體共同開發所需的規格，并直接連接至引擎制造企業的結構。”
Sapien半導體開發的LEDoS驅動芯片將應用于一般型AR眼鏡，預計將于明年上半年送樣。自6月以來，Sapien半導體已簽訂了3個供貨合同，并即將簽訂2個額外的供應合同。
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