電力電子元器件已經(jīng)成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中重要的組成部件，同時(shí)，元器件的熱性能將大大影響整體設(shè)備的可靠性。庭田科技提供的POWERTESTER測(cè)試平臺(tái)，在不破壞待測(cè)器件的前提下，僅需三步，即可高效安全的測(cè)試IGBT、硅和碳化硅MOSFET、二極管等半導(dǎo)體器件的使用壽命及熱可靠性。

第一步：將待測(cè)器件與POWERTESTER連接，輸入相關(guān)參數(shù)，校準(zhǔn)K系數(shù)（溫度敏感因子）

第二步：通過測(cè)試平臺(tái)內(nèi)置的觸摸屏電腦，設(shè)置待測(cè)器件的循環(huán)策略，啟動(dòng)設(shè)備，進(jìn)行全自動(dòng)熱瞬態(tài)及功率循環(huán)測(cè)試

第三步：數(shù)據(jù)分析（支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出，進(jìn)行結(jié)構(gòu)函數(shù)分析、生成熱模型等）

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【視頻介紹】

本視頻介紹了Simcenter POWERTESTER 1800A 12C 12V 產(chǎn)品的操作流程。產(chǎn)品用于功率半導(dǎo)體熱可靠性和壽命測(cè)試。在功率循環(huán)期間，基于熱瞬態(tài)測(cè)量的結(jié)構(gòu)函數(shù)進(jìn)行采樣，以識(shí)別封裝熱結(jié)構(gòu)的退化和故障根源。

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