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關注創建者:ljl_4994 創建時間:2021-02-21
左側的視頻教程
028 – FDTD超材料Fano共振(含演示,66元)
右側納米棒的長寬分別為 128 nm 和 50 nm;左側兩個納米棒的長寬分別為 100 nm 和 30 nm;左側兩個納米棒的間距為 30 nm;納米棒的厚度均為 20 nm;圖中 d = 40~100 nm。圖中的紅色箭頭是電場探針。 在波長為 300 ~ 600 nm 的平面光正入射下,不同的 d 對應不同的法諾線形。
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fluent專家-組分輸運-案例1-甲烷、硫化氫在空氣中的泄露擴散分布
fluent-組分輸運-案例1-甲烷、硫化氫在空氣中的泄露擴散分布 本案例研究天然氣中硫化氫(H2S)在如下模型中的泄露擴散情況,泄露口采用2維孔口模型,口徑為0.06m,左側水平向右的風速為2.5m/s,幾何模型如下所示:通過對其進行fluent模擬,可以得到甲烷安全區。 知識點:組分輸運模型設置、多相流、歐拉模型等
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fluent專家-多相流-案例3-節流閥空化數值模擬
fluent-多相流-案例3-節流閥空化數值模擬 案例簡介 平面節流閥如下圖所示,水由左側入口流入,經過節流閥時,流速上升壓力下降,壓力低于水的飽和蒸汽壓時發生空化,節流閥計算區域為節流前50mm和后端180mm管段,管道口徑30mm,節流口處直徑5mm,長度為10mm。 空化: 液體內局部壓力降低時,液體內部或液固交界面上蒸氣或氣體的空穴(空泡)的形成、發展和潰滅的過程。
¥50 15分鐘 75播放
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左側的實例教程
在使用CAD進行塊編輯(Block Editor)時,許多用戶可能會遇到一個常見問題:退出塊編輯后,左側的工具條(如屬性面板、工具欄或選項板)位置發生錯位,甚至可能遮擋繪圖區域,影響操作效率。本文將深入分析該問題的成因,并提供多種有效的解決方案,幫助您快速恢復正常的CAD工作界面,提升設計流暢度。
這是因為進入CAD官網塊編輯后,會生成一個塊編輯的專用工具條,而這個工具條會影響原本的工具條排布。
我們可以將塊編輯的專用工具條移動到繪圖空間靈活放置,或者移動到其他工具條下方,這樣則可以避免塊編輯后影響其他工具條的位置排布。
以上就是本文的全部內容,希望可以對你有所幫助,更多CAD資訊可以關注我們官網~
展開 如下面的局部放大圖所示,右側長方體的左側面與左側長方體存在1mm的干涉,即右側長方體存在初始幾何尺寸偏差。
在模型中,手工定義一個frictionless接觸區域,Part1(右側體)的左端面為接觸面,Part2(左側體)的右端面為目標面,其余選項采用缺省設置,如下圖所示。注意這里不進行Interface Treatment的設置。
位移約束與前面兩種方法一致,即固定左右兩個端面。隨后直接用一個載荷步求解上述配合接觸問題。
求解結束后得到計算結果如下。左側長方體的Z向變形分布如下圖所示,其右端為受壓的Z向位移,其數值為0.49073mm。
左側長方體軸向應力(Z向正應力)的分布如下圖所示,其數值為-196.29MPa(壓應力)。
右側長方體的Z向變形分布如下圖所示,其左端也為受壓的Z向位移,其數值為-0.49171mm。細心的讀者可能發現,此處最大變形與左側長方體右端面變形的絕對值有略微的差別,具體原因請讀者自行思考。
右側長方體的軸向應力(Z向正應力)分布如下圖所示,其數值也為-196.29MPa(壓應力),與左側長方體的軸向應力相等。
在本算例中,右側長方體的左端面與左側長方體發生1.0mm的干涉,直接定義兩個表面的接觸并計算,也可以得到裝配應力(過盈配合應力)。正確的計算結果在前兩種方法中已經給出,即:左側長方體右端面的Z向位移為0.5mm且處于受壓狀態,右側長方體左端面的Z向位移則為-0.5mm,也處于受壓的狀態,軸向應力理論值均約為-200MPa,因此可知直接通過接觸求解的結果也是正確的。
展開 如下面的局部放大圖所示,右側長方體的左側面與左側長方體存在1mm的干涉,即右側長方體存在初始幾何尺寸偏差。
在模型中,手工定義一個frictionless接觸區域,Part1(右側體)的左端面為接觸面,Part2(左側體)的右端面為目標面,其余選項采用缺省設置,如下圖所示。注意這里不進行Interface Treatment的設置。
位移約束與前面兩種方法一致,即固定左右兩個端面。隨后直接用一個載荷步求解上述配合接觸問題。
求解結束后得到計算結果如下。左側長方體的Z向變形分布如下圖所示,其右端為受壓的Z向位移,其數值為0.49073mm。
左側長方體軸向應力(Z向正應力)的分布如下圖所示,其數值為-196.29MPa(壓應力)。
右側長方體的Z向變形分布如下圖所示,其左端也為受壓的Z向位移,其數值為-0.49171mm。細心的讀者可能發現,此處最大變形與左側長方體右端面變形的絕對值有略微的差別,具體原因請讀者自行思考。
右側長方體的軸向應力(Z向正應力)分布如下圖所示,其數值也為-196.29MPa(壓應力),與左側長方體的軸向應力相等。
在本算例中,右側長方體的左端面與左側長方體發生1.0mm的干涉,直接定義兩個表面的接觸并計算,也可以得到裝配應力(過盈配合應力)。正確的計算結果在前兩種方法中已經給出,即:左側長方體右端面的Z向位移為0.5mm且處于受壓狀態,右側長方體左端面的Z向位移則為-0.5mm,也處于受壓的狀態,軸向應力理論值均約為-200MPa,因此可知直接通過接觸求解的結果也是正確的。
展開 在這里與前面一種方法有一處細微差別,如下面的局部放大圖所示,右側長方體的左側面與左側長方體發生了1mm的幾何干涉。
在模型中,基于左側長方體的右端面建立一個遠程點Remote Point;基于右側長方體的左端面建立一個遠程點Remote Point 2。左側體右端Remote Point的Details設置如下圖所示。
右側體左端面處Remote Point 2的Details設置如下圖所示。
在以上的兩個遠程點Remote Point以及Remote Point 2之間,創建如下圖所示的約束方程,即UZ1-UZ2=1mm。
位移約束與前面一種方法相同,固定左右兩個端面。為了能夠計算,可以在任一固定位置施加一個Z向力(不會引起結構的變形和應力)。隨后計算得到左側長方體的軸向變形如下圖所示,最大位移為0.4995mm。
左側長方體的軸向應力如下圖所示,基本上為一常數,大約為-199.8MPa。
右側長方體的軸向變形最小值為-0.5005mm,其位移分布等值線如下圖所示。
展開 圖3 目標面設置
(6)Contact接觸面選擇左側零件的接觸面,如圖4所示。
圖4 接觸面設置
(7)單擊模型樹節點Mesh,在Details of Mesh中確定模型單元長度為4mm。
(8)右鍵單擊模型樹節點Mesh,單擊彈出菜單項Generate Mesh生成模型網格,如圖5所示。
圖5 模型網格劃分
(9)右鍵單擊模型樹節點Static Structural,使用Insert→Fixed Support添加一個固定約束,選擇左側零件的外部端面,如圖6所示。
圖6 左側固定約束
(10)右鍵單擊模型樹節點Static Structural,使用Insert→Fixed Support再添加一個固定約束,選擇右側零件的外部端面,如圖7所示。
圖7 右側固定約束
(11)右鍵點擊模型樹節點Static Structural下的Solution,點擊Solve進行計算。
(12)使用Solution→Insert→Deformation→Directional,需要去查看左側零件沿Z方向的變形,在Details of Directional Deformation中選擇左側零件作為Geometry對象,設定其方向為Z方向,如圖8示。
圖8 左側零件后處理設置
(13)同樣的方法,使用Solution→Insert→Deformation→Directional,在Details of Directional Deformation中選擇右側零件作為Geometry對象,也設定其方向為Z方向,如圖9所示。
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左側這邊鋁液主要是從上方經過,模擬結果顯示該區域的含氣量和氣壓都不算高,所以沒有再疊加排氣結構,而是保留渣包。<u>一方面用于收集前端冷料,另一方面也有一定保溫作用,對提升產品外觀質量更有幫助。
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初始模型如下:
在step中使用熱力耦合分析步,在子程序中引入溫度相關的變形梯度
邊界條件設置:初始溫度場293K,同時設定Y+方向為393K,所有熱相關參數均使用文章的相關參數,左側固定,右側施加位移邊界條件,并使用C3D8T單元進行網格離散。
實時可視化預覽: 網頁右側提供 3D 實時渲染,調整左側參數后,模型形態即刻更新,真正實現“所見即所得”。
多格式導出: 生成的模型支持導出為坐標數據、拓撲連接信息等,方便后續導入 ABAQUS、ANSYS 或自編的有限元/晶體塑性(CPFEM)程序中。
【操作流程:三步搞定】
第一步:設定全局參數。 在左側面板選擇晶粒總數及 RVE 尺寸。
第二步:精修幾何特征。
問題如下:我們是否可以在 OpticStudio 中將相同的干涉儀數據附加到鏡頭模型的左側和右側以模擬其測量性能?答案是否定的,我們需要調整數據方向,我們將在后面的討論中看到。
干涉儀文件格式
Zygo 使用原生 XXX.DAT 文件格式作為其內部定義格式,但它將測量結果導出為廣泛使用的 XXX.INT 干涉文件格式,其他干涉儀制造商也共享該格式。
如果需要調整圖紙橫排或豎排的形式,只要在窗體左側的數據框內的“橫排”或“豎排”的選擇框內點擊就可以自動變換,如圖1。
準直系統中的鬼像1個月前
這是通過VirtualLab Fusion所謂的 “Channel Concept(通道概念)”實現的,其中對于每個單獨的表面,相應通道的“input-output pair” (來自左側和右側的透射和反射,總共四個通道)可以隨意打開或關閉。然后,軟件可以自動確定光在系統中的傳播路徑,并相應地追跡電磁場。
圖中左側為各組元產生像面偏移的獨立貢獻,右側圖為各組元依次對想偏移綜合累計補償效果。
圖中左側為各組元產生像面偏移的獨立貢獻,右側圖為各組元依次對想偏移綜合累計補償效果。
從以上所列圖表即可容易分析各種不同結構補償方式的補償原理以及各自特點供設計參考選擇。
可編程光源添加參數
圖9左側紅框區域寫入對應的源碼。保存之后再次打開可編程光源,可以看到在下方出現了設定的參數,可以設置x和y方向的偏移、TEM00模的束寬和階數。
圖9. 可編程光源代碼編輯以及參數設置
運行之可以看到最后得到和原點對稱分布的渦旋光束,如圖10所示。
圖10.