基于介觀模型對(duì)輥壓機(jī)理進(jìn)行分析，從模型仿真的角度探究輥壓工藝對(duì)電極介構(gòu)的影響也是目前研究的熱點(diǎn)之一，如Tan等［61］利用離散元法（DEM）模擬輥壓壓力及速度對(duì)電極微觀結(jié)構(gòu)的影響，將 AM 顆粒和 CBD顆粒作為模型輸入。仿真得出仿真輥壓工藝前后的涂層厚度、電導(dǎo)率等參數(shù)，并與石墨、鈷酸鋰、NCM極片的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比，具有較好的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

受Nepenthes的可逆可切換潤(rùn)濕性的啟發(fā)，Chen和同事通過(guò)將石蠟注入嵌入銀納米線薄膜加熱器的超疏水微柱陣列膜中，報(bào)道了焦耳熱響應(yīng)智能窗口(圖18a,b)。根據(jù)焦耳加熱作用下石蠟的相變，在施加6V電壓時(shí)，器件的表面潤(rùn)濕性由超疏水性變?yōu)槌H水性(圖18d)。同時(shí)，光學(xué)可見(jiàn)性在不透明和透明狀態(tài)之間可逆切換(圖18c)。因此，智能窗戶的概念得到了驗(yàn)證，并在建筑熱管理中取得了成功。

（1）陶瓷粉體是流延漿料的主相，是坯片的主要成分， 影響著流延成品的導(dǎo)熱性、電阻率、介電常數(shù)、化學(xué)穩(wěn)定 性以及機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷粉體的顆粒尺寸、粒度分布以及粉體的結(jié)晶形貌都對(duì)流延工藝以及流延膜的質(zhì)量有較大影響， 因此在選擇粉體的時(shí)候需要考慮以下特征：化學(xué)純度、顆粒尺寸、粉體形貌； （2）粘結(jié)劑作為流延漿料體系的唯一連續(xù)相，它能包裹住粉料顆粒，并固化形成三維立體結(jié)構(gòu)，增加流延膜的強(qiáng)度。

受Nepenthes的可逆可切換潤(rùn)濕性的啟發(fā)，Chen和同事通過(guò)將石蠟注入嵌入銀納米線薄膜加熱器的超疏水微柱陣列膜中，報(bào)道了焦耳熱響應(yīng)智能窗口(圖18a,b)。根據(jù)焦耳加熱作用下石蠟的相變，在施加6V電壓時(shí)，器件的表面潤(rùn)濕性由超疏水性變?yōu)槌H水性(圖18d)。同時(shí)，光學(xué)可見(jiàn)性在不透明和透明狀態(tài)之間可逆切換(圖18c)。因此，智能窗戶的概念得到了驗(yàn)證，并在建筑熱管理中取得了成功。

（1）ORION導(dǎo)體的物理化學(xué)性質(zhì) 為了創(chuàng)造超分子ORION導(dǎo)體，假設(shè)通過(guò)引入多官能兩性離子小分子，可以將鋰鹽構(gòu)建成粘彈性固態(tài)，通過(guò)其高介電常數(shù)和與Li+的可逆配位，應(yīng)該為網(wǎng)絡(luò)提供足夠的性能。允許SSB進(jìn)行熱處理的動(dòng)態(tài)特性。進(jìn)一步推斷，由于這些材料僅包含分子物質(zhì)，因此將保留使用溶劑回收它們的能力，從而促進(jìn)電池在使用壽命結(jié)束時(shí)的回收。

Xu等人以NH4HCO3作為犧牲材料，構(gòu)建了具有三維結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱骨架，然后在骨架中注入環(huán)氧樹(shù)脂，得到了具有6.11 W/mK的高導(dǎo)熱系數(shù)的3D-BN/環(huán)氧樹(shù)脂，同時(shí)具有低介電常數(shù)和優(yōu)異的電絕緣性能(圖19e-f)。 圖19.三維傳熱網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建。

（1）陶瓷粉體是流延漿料的主相，是坯片的主要成分， 影響著流延成品的導(dǎo)熱性、電阻率、介電常數(shù)、化學(xué)穩(wěn)定 性以及機(jī)械強(qiáng)度。陶瓷粉體的顆粒尺寸、粒度分布以及粉體的結(jié)晶形貌都對(duì)流延工藝以及流延膜的質(zhì)量有較大影響， 因此在選擇粉體的時(shí)候需要考慮以下特征：化學(xué)純度、顆粒尺寸、粉體形貌； （2）粘結(jié)劑作為流延漿料體系的唯一連續(xù)相，它能包裹住粉料顆粒，并固化形成三維立體結(jié)構(gòu)，增加流延膜的強(qiáng)度。

氮化硅基板綜合性能優(yōu)異可靠，主要采用活性金屬釬焊覆銅AMB工藝，氮化硅基板在高導(dǎo)熱性、高機(jī)械強(qiáng)度、低膨脹系數(shù)、抗氧化性能、熱腐蝕性能、低介電損耗、低摩擦系數(shù)等方面具有優(yōu)異的性能。

采用Si3N4-AMB工藝氮化硅陶瓷覆銅基板則是利用包括鈦Ti、鋯Zr、鉭Ta、鈮Nb、釩V、鉿Hf等活性金屬元素可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4氮化硅陶瓷基板上。

目前基板多采用有機(jī)系材料，也就是統(tǒng)稱的BT樹(shù)脂，改材料可分為CCL-H810、CCl-H870、CCL-HL870、CCL-HL950，介電常數(shù)在3.5 ~4.5（1MHz）之間，介電損耗為0.001~0.005（1MHz），玻璃轉(zhuǎn)化溫度為180~230℃。