東芝/西數(shù)新晶圓廠啟用 量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash

日本存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器與西數(shù)于19日宣布,共同在日本三重縣四日市的6號(hào)晶圓廠(Fab 6)舉行開幕儀式。該廠為新設(shè)先進(jìn)半導(dǎo)體制造廠區(qū),并設(shè)有存儲(chǔ)器研發(fā)中心。

東芝存儲(chǔ)器自2017年2月開始興建6號(hào)晶圓廠,是3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的專用生產(chǎn)廠區(qū)。東芝存儲(chǔ)器與西數(shù)已針對(duì)沉積(deposition)與蝕刻(etching)等關(guān)鍵生產(chǎn)制程開始部署先進(jìn)制造設(shè)備,新廠已經(jīng)在9月初開始量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash。

鑒于3D NAND Flash在企業(yè)服務(wù)器、資料中心及智能手機(jī)的需求不斷成長,未來幾年這些需求將持續(xù)擴(kuò)大的情況下,為因應(yīng)市場(chǎng)趨勢(shì),未來可望進(jìn)一步投資擴(kuò)大產(chǎn)能。

此外,與6號(hào)晶圓廠相毗鄰的存儲(chǔ)器研發(fā)中心,也已經(jīng)于2018年3月開始營運(yùn),主要負(fù)責(zé)研發(fā)及推動(dòng)3D NAND Flash的發(fā)展工作。

東芝存儲(chǔ)器進(jìn)一步指出,將與西數(shù)持續(xù)推動(dòng)并擴(kuò)展雙方在存儲(chǔ)器事業(yè)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位,積極開發(fā)各項(xiàng)計(jì)劃以強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力,推動(dòng)3D NAND Flash的共同開發(fā),并根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì)規(guī)劃資本的投入。

對(duì)此,東芝存儲(chǔ)器社長暨執(zhí)行長成毛康雄表示,東芝存儲(chǔ)器很高興有這個(gè)機(jī)會(huì)能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場(chǎng)。而6號(hào)晶圓廠和存儲(chǔ)器研發(fā)中心能讓東芝存儲(chǔ)器在3D NAND Flash市場(chǎng)中維持領(lǐng)先地位,而且相信與西數(shù)的合資事業(yè),將能協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)市場(chǎng)上最先進(jìn)的存儲(chǔ)器。

西數(shù)的執(zhí)行長Steve Milligan也同時(shí)指出,很榮幸能與西數(shù)的重要合作伙伴──東芝存儲(chǔ)器一起為6號(hào)晶圓廠和存儲(chǔ)器研發(fā)中心揭開序幕。

近20年來,兩家公司合作無間,帶動(dòng)了NAND Flash技術(shù)的成長和創(chuàng)新。此外,雙方也正積極提升96層3D NAND Flash的產(chǎn)能,以因應(yīng)從消費(fèi)性、移動(dòng)應(yīng)用到云端資料中心等終端市場(chǎng)的各式商機(jī),且6號(hào)晶圓廠具備先進(jìn)技術(shù)設(shè)備,將進(jìn)一步提升東芝存儲(chǔ)與西數(shù)在業(yè)界技術(shù)領(lǐng)先和成本領(lǐng)導(dǎo)的地位。

已開始準(zhǔn)備IPO事宜 最快2年內(nèi)上市

東芝存儲(chǔ)器(Toshiba Memory)20日表示,公司已經(jīng)在準(zhǔn)備IPO(首次公開招股)事宜,最快將在2年內(nèi)上市。

成毛康雄(Yasuo Naruke)19日表示,他并不擔(dān)心近期的存儲(chǔ)器芯片價(jià)格下滑,并重申公司計(jì)劃在兩三年內(nèi)上市。

成毛康雄說:“短期內(nèi)的價(jià)格波動(dòng)是供需平衡的體現(xiàn),但東芝關(guān)注的是市場(chǎng)長期需求,這些需求將受到智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心所帶來的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量增長的推動(dòng)。”

去年9月,東芝同意以2萬億日元(約合180億美元)的價(jià)格將旗下芯片業(yè)務(wù)部門(即東芝存儲(chǔ)器)出售給貝恩資本財(cái)團(tuán)。貝恩資本財(cái)團(tuán)成員還包括蘋果、戴爾和其他幾家公司。

根據(jù)協(xié)議,東芝將持有約東芝存儲(chǔ)器40%的股份。其他貝恩聯(lián)盟的成員包括蘋果公司、韓國芯片制造商SK海力士、戴爾科技、希捷科技、以及金士頓科技等。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)數(shù)據(jù)顯示,今年第二季度由于NAND Flash仍是供過于求,平均價(jià)格跌幅達(dá)15-20%。基于營收,今年第二季度東芝和西數(shù)總計(jì)占據(jù)全球NAND閃存市場(chǎng)33.8%的份額,而三星電子為36.4%。

東芝/西數(shù)新晶圓廠啟用 量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash的圖1

此外,成毛康雄還表示,東芝存儲(chǔ)器仍堅(jiān)持“盡快上市”的計(jì)劃。而且,公司目前已開始了IPO(首次公開招股)的初步籌備工作。成毛康雄說:“我們的計(jì)劃沒變,希望在兩三年內(nèi)上市。”

本文根據(jù)TechNews科技新報(bào)和新浪科技相關(guān)文章整理。

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