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Optris PI 1M專為解決這一痛點而生。它工作在0.85μm至1.1μm的短波紅外光譜范圍內。在這一波段下，金屬材料的發射率顯著高于長波范圍，且根據普朗克輻射定律，短波范圍內的輻射能量隨溫度升高呈指數級增長。這意味著，PI 1M不僅能捕捉到更強的信號，還能大幅降低因發射率設置誤差對測量結果的影響。

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Optris Xi 1M采用0.85–1.1 μm的短波紅外光譜設計，完美解決了這一痛點： 匹配金屬發射率：短波范圍與大多數金屬材料的高發射率區域相匹配，顯著提高了測量的準確性和重復性。 高輻射強度：根據普朗克輻射定律，高溫物體在短波段發射的紅外輻射顯著增加，這使得Xi 1M在測量450°C以上的高溫時，比長波設備更具優勢。

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同時求解得到約束扭轉和自由扭轉2種約束條件下1+6鋼絲繩的中間截面各向位移分布和接觸線的周向、軸向相對位移沿軸向的變化，自由扭轉時周向、軸向相對位移在數值上明顯大于約束扭轉。參考文獻[1] 王新敏.ANSYS工程結構數值分析[M].北京：人民交通出版社，2007.

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圖 2.1.4–1 未變形網格單元圖 2.1.4–2 在1.5微秒時的變形情況圖 2.1.4–3 在3微秒時的變形情況 圖 2.1.4–4 在4.5微秒時的變形情況 圖 2.1.4–5 在6微秒時的變形情況 圖 2.1.4–6 動能隨時間的變化.

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-1 個 UART，可分配到 2 組端口 -1 個 USB OTG 2.0 Full Speed 全速接口 -8 段 LCD 驅動接口MVSILICON -1 個紅外（IR）接收和發射接口 射頻： -工作頻段 500M~980MHz，采用數字調制 -集成 AGC 音頻： -1 組 I2S 音頻接口 支持在線調試和代碼升級 ESD：2KV

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