今天我們聊一聊超寬禁帶半導(dǎo)體材料金剛石。金剛石材料具備載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大等特性,是制造大功率、高溫、高頻器件的理想材料,由于它的帶隙寬、熱導(dǎo)率高、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)、極高的電荷遷移率(CVD金剛石的電子遷移率>3000cm2/V.s),使得金剛石半導(dǎo)體器件能夠在高頻、高功率、高電壓以及強(qiáng)輻射等十分惡劣的環(huán)境中運(yùn)行,被稱為“終極半導(dǎo)體材料”。
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第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新孵化中心 ??? 3年前