提高金剛石/石墨烯異質結構界面的熱輸運
來源 | International Journal of Heat and Mass Transfer
原文 | https://doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2023.124123
背景介紹
隨著人工智能和高端芯片、微納米器件的快速發展,芯片的高功率密度導致芯片內產生大量的積熱,導致芯片性能和可靠性下降,甚至導致芯片損壞和整個系統損壞。因此,熱管理和溫度控制顯著影響微電子器件的性能和發展。該領域的微觀尺度換熱備受關注,其中界面熱輸運占據了主導地位。
近期,北京科技大學馮妍卉教授關于石墨烯與襯底之間界面熱阻問題的研究取得一定進展。該團隊基于非平衡分子動力學(NEMD)模擬,研究了金剛石/石墨烯異質結構界面熱輸運的影響因素,以及石墨烯層數和溫度對金剛石/石墨烯異質結構導熱系數的影響。結果表明,金剛石/單層石墨烯異質結構的界面導熱系數至少是金剛石/多層石墨烯異質結構的兩倍。此外,高溫也有利于金剛石/石墨烯異質結構的熱輸運。由于石墨烯的各向異性,團隊分析了面內和面外聲子態密度,面外聲子態密度重疊能量的趨勢與界面熱導率一致,這表明面外聲子對界面傳熱的影響較大。溫度的升高激發了更多的高頻聲子,從而促進了金剛石和石墨烯的聲子耦合。該研究成果較好解釋了在較高溫度下界面熱導率增加的原因。該團隊通過分析聲子態密度(PDOS)、重疊能和聲子參與比(PPR)等關鍵因素對界面熱導的影響,為改善微納米器件的散熱性能提供指導。研究成果以“Enhancing thermal transport across diamond/graphene heterostructure interface”為題發表于《International Journal of Heat and Mass Transfer》。
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圖文導讀
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