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DC-Link 薄膜電容是電動(dòng)汽車電驅(qū)系統(tǒng)中的一個(gè)重要組成部分，在反復(fù)充放電的過程中會(huì)導(dǎo)致電容發(fā)熱，影響其使用壽命。 本文基于ANSYS 仿真軟件對(duì)某型號(hào)DC-Link 薄膜電容器進(jìn)行溫度場分析，結(jié)果表明，在 高溫環(huán)境中，電容器芯子中心處為溫度最高點(diǎn)，而配備散熱器后，最高溫度點(diǎn)轉(zhuǎn)移至遠(yuǎn)離散熱器的外殼處，散熱器能顯著降低芯子溫度。

本文原刊登于Ansys.com：《The Difference Between MOM, MIM, and MOS Capacitors》作者： Akanksha Soni | Ansys產(chǎn)品營銷經(jīng)理編輯整理：Rodger Luo | Ansys 首席應(yīng)用工程師從最基本的層面講，所有電容器都是通過由介電（絕緣）材料隔開的電導(dǎo)體（極板）來儲(chǔ)存能量的。

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Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局（無論是成熟設(shè)計(jì)還是正在開發(fā)中的布局）的電磁模型。這些組件可以是平面（實(shí)心的或者帶孔的）、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器，它們可以與高速/高頻布線一起提取，以計(jì)算全耦合電磁模型。此外，憑借自動(dòng)化的額外優(yōu)勢(shì)，使電磁提取任務(wù)的設(shè)置變得非常簡單且快速。

4) 限制因素：采用耗盡型的調(diào)制器電容相對(duì)有限，因此調(diào)制效率受限，解決辦法通常為縮小模式尺寸或減小耗盡區(qū)的寬度（更高的過渡電容）來增加電容，但前者由波導(dǎo)的幾何形狀決定，后者需要更高的摻雜濃度，但自由載流子的吸收損耗更大。

Interposer層狀態(tài)空間模型基于Ansys HFSS進(jìn)行3D電磁仿真計(jì)算出的電S參數(shù)生成。環(huán)形調(diào)制器等效電路由兩個(gè)電阻和一個(gè)電容組成，分別代表調(diào)制器PN結(jié)的電阻和電容。等效電路中結(jié)電容兩端的電壓保存在一個(gè)文本文件中，并在下一步中用作環(huán)形調(diào)制器光學(xué)模型的輸入。

（圖片來源Ansys網(wǎng)站） --------熱力結(jié)合仿真工具--------◆ 作為Ansys的核心產(chǎn)品之一，Ansys Mechanical是使用最廣泛的的通用結(jié)構(gòu)力學(xué)仿真分析系統(tǒng)。

3、基于HFSS仿真建模及結(jié)果圖3.1 HFSS仿真模型基于ANSYS HFSS設(shè)計(jì)仿真模型如圖3.1所示，介質(zhì)為玻璃，分別對(duì)三維集成電感的電感值、品質(zhì)因數(shù)、電容值以及電阻值進(jìn)行仿真計(jì)算。其中電感計(jì)算公式為；Q因子計(jì)算公式為；電容計(jì)算公式為；電阻計(jì)算公式為。

Ansys全新推出【Simulation Topics】系列專題，邀您一起探索仿真世界。本專題將以“一期一會(huì)”的形式，攜手各領(lǐng)域?qū)＜遥瑖@Ansys全產(chǎn)品線的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，帶您深入解析流體、結(jié)構(gòu)、電子設(shè)計(jì)及電磁仿真、光學(xué)、光子學(xué)、半導(dǎo)體、自動(dòng)駕駛、汽車、聲學(xué)、航空航天、材料等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，讓復(fù)雜的專業(yè)知識(shí)觸手可及。

Ansys Nuhertz FilterSolutions 演示 通過優(yōu)化和關(guān)鍵洞察，這三款工具可顯著加快由分立式電阻、電感和電容（RLC）組件組成的高頻集總元件濾波器的設(shè)計(jì)進(jìn)程。 Ansys HFSS仿真對(duì)發(fā)夾諧振器微帶濾波器（一種帶通濾波器）進(jìn)行了建模。

01 說明 本文旨在介紹Ansys Lumerical針對(duì)有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過FDE和CHARGE求解器模擬并計(jì)算移相器的性能指標(biāo)（如電容、有效折射率擾動(dòng)和損耗等），并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型，然后將其表征到INTERCONNECT的測試電路中實(shí)現(xiàn)，模擬反向偏置電壓對(duì)電路中信號(hào)相移的影響。

來源于：ANSYS

為防止這種情況的出現(xiàn)僅僅依靠芯片內(nèi)部的電容是不足夠的，還必須審慎選擇interposer、封裝和PCB板上的去耦電容，以協(xié)同設(shè)計(jì)的方式來保證供電網(wǎng)絡(luò)（PDN）滿足瞬態(tài)電流消耗需求。其次是HBM設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)。HBM相對(duì)于傳統(tǒng)DDRx設(shè)計(jì)來說有更高的帶寬和功耗效率，時(shí)延很低，占用面積小的特點(diǎn)。

MEMS器件通常分為四大類：電容式、陀螺儀式、壓電式和激光式MEMS。許多MEMS器件通常屬于一個(gè)或多個(gè)類別，因此很難將器件單獨(dú)歸為一類。不過，其可分為以下主要類別： 電容式MEMS：電容式MEMS用于導(dǎo)電應(yīng)用，MEMS中的內(nèi)部元件會(huì)檢測電容變化。 陀螺儀式MEMS：陀螺儀式MEMS通過將物體上的慣性力與參考值進(jìn)行比較來測量系統(tǒng)的角速率。

Ansys Maxwell-低頻二維/三維電磁場仿真軟件 Ansys Maxwell 2D/3D 是用于電機(jī)、作動(dòng)器、電感、變壓器、磁性元器件等各種機(jī)電產(chǎn)品開發(fā)的電磁場仿真工具。求解對(duì)象的電磁場分布可以直觀地顯示出來，具有自動(dòng)計(jì)算電磁力、力矩、電感、電容等設(shè)計(jì)參數(shù)的功能，仿真結(jié)果可以方便地與實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對(duì)比。

Ansys SimAI軟件是一款先進(jìn)的多物理場仿真軟件，可利用這些技術(shù)進(jìn)行電磁場訓(xùn)練和預(yù)測。與Ansys Maxwell軟件和Ansys HFSS軟件結(jié)合使用時(shí)，它能夠?qū)鲱A(yù)測速度加快數(shù)十倍到數(shù)百倍，從而推動(dòng)電磁組件設(shè)計(jì)和分析的轉(zhuǎn)型。

2021 R2版本對(duì)A-Phi求解器功能也進(jìn)行了增強(qiáng)，主要包含電容矩陣增強(qiáng) (DC+Static)、支持端口輸出電流/電壓、支持用戶控制程序用于電壓/電流激勵(lì)、支持基于部件或單元（表面和體積）的諧波力計(jì)算，包含第三方工具鏈接接口、支持多物理域仿真時(shí)基于時(shí)間平均的場量（損耗密度）、支持矢量磁位A用于后處理等等。

利用Ansys Maxwell進(jìn)行三相母線上的電流密度仿真如果應(yīng)用涉及多個(gè)電路（如在三相應(yīng)用中），工程師可以使用Ansys Q3D Extractor?寄生提取電磁仿真軟件對(duì)整個(gè)系統(tǒng)進(jìn)行快速建模，并計(jì)算與頻率相關(guān)的電阻、電感、電容和電導(dǎo)（RLCG）寄生參數(shù)。