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本文摘自微信公眾號：CST電磁兼容性仿真如果對CST電磁兼容性仿真感興趣的朋友可以關(guān)注或者掃描我的微信公眾號二維碼最近有同學(xué)問小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數(shù)。其實(shí)CST官方里面寫了好幾篇關(guān)于寄生參數(shù)提取的文章。而且CST的library里面也有相關(guān)案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。

那么我們的RLC局部寄生參數(shù)的提取，這一小部分的仿真工作就完成了，如果要把整個IGBT的模型的寄生參數(shù)提取出來，那這個工作量是真的不小。沒有辦法只能一個一個來。九層之臺，起于壘土。文章來源：CST電磁兼容性仿真

伴隨求導(dǎo)：對于多天線形態(tài)、多參數(shù)的需求，HFSS提供快速優(yōu)化功能伴隨求導(dǎo)，伴隨求導(dǎo)功能可以快速獲取敏感參數(shù)，以及最優(yōu)參數(shù)結(jié)果，支持對SYZ參數(shù)、遠(yuǎn)場方向圖、3D方向圖實(shí)時調(diào)諧。場路協(xié)同：場路協(xié)同將天線3D模型與2D電路原理圖動態(tài)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)天線與匹配網(wǎng)絡(luò)阻抗匹配，并且可導(dǎo)入廠商器件庫，實(shí)現(xiàn)精確化仿真。

Anand答復(fù)說： “RaptorH桌面對當(dāng)前RaptorX和HFSS用戶而言并不陌生，3D設(shè)計(jì)幾何結(jié)構(gòu)和電磁場可視化解決方案使用了現(xiàn)有的Ansys桌面界面。” Anand繼續(xù)說道： “S參數(shù)和電路網(wǎng)表模型都已提供。特別值得注意的是，該分析是在LVS之前開展的，而設(shè)計(jì)仍在進(jìn)行中。” 我問道：“對于一般電磁分析，HFSS通常需要掌握大量的控制專業(yè)知識。

◆ PowerSI可以為PCB和IC封裝提供快速準(zhǔn)確的通用頻域電磁場分析，如S參數(shù)、Z參數(shù)的模型提取，空間模式下的噪聲耦合分析，EMC/EMI分析，諧振模式分析，走線阻抗和耦合檢查等。

同時如點(diǎn)火系統(tǒng)這類強(qiáng)電磁干擾源，其在工作過程中所形成的高強(qiáng)度和寬頻帶的電磁騷擾以傳導(dǎo)和輻射耦合的方式嚴(yán)重影響著車內(nèi)電器設(shè)備的正常工作。 為解決這一難題，提出了—種基干寄生參數(shù)建模的整車系統(tǒng)級電磁兼容仿真分析技術(shù)，對點(diǎn)火系統(tǒng)等強(qiáng)干擾源進(jìn)行有效抑制。

PCB板級和組件級電磁建模 精確模擬整個PCB板和封裝，解決EMI問題 -S參數(shù)和寄生參數(shù)提取 -檢查PCB的EMI設(shè)計(jì)規(guī)則 -濾波元件的電路分析 天線設(shè)計(jì) 天線饋電結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 對包含功分器、環(huán)形器、隔離器、濾波器等器件在內(nèi)的饋電結(jié)構(gòu)進(jìn)行整體仿真設(shè)計(jì) 仿真屏蔽腔對饋電結(jié)構(gòu)的影響

通過低頻電磁場仿真可以分析得出電機(jī)的磁場分布、電磁力、轉(zhuǎn)矩、功率等性能指標(biāo)，從而優(yōu)化電機(jī)的設(shè)計(jì)方案，提升電機(jī)性能。不僅如此，仿真分析還可實(shí)現(xiàn)在電機(jī)打樣前多次調(diào)整設(shè)計(jì)參數(shù)，能夠有效降低電機(jī)廠家打樣成本，提高研發(fā)生產(chǎn)效率和樣機(jī)出廠質(zhì)量，逐漸成為電機(jī)設(shè)計(jì)制造過程中的重要環(huán)節(jié)。

具體流程總結(jié)如下: 對于四端口模型，S13/S31或S24/S42可用來表征耦合度/隔離度，因此分析S參數(shù)數(shù)值及其變化趨勢即可分析出信號與電源間的相對耦合度。所有電氣數(shù)據(jù)結(jié)果(S參數(shù))都是電磁場現(xiàn)象導(dǎo)致的，因此通過觀察電/磁場現(xiàn)象或電磁場的電氣結(jié)果電流/電壓特征便可以分析出具體的耦合機(jī)理。 5.

在仿真大功率AI芯片的高速電路時時，如何考慮溫度對信號S參數(shù)的影響？ 在仿真大功率 AI 芯片的高速電路時，溫度對信號 S 參數(shù)的影響需要通過電熱耦合仿真來考慮。這需要使用電子產(chǎn)品熱分析軟件（如 Icepak）來預(yù)測熱源的分布，并將熱效應(yīng)與電磁場仿真（如 HFSS）相結(jié)合。

在仿真大功率AI芯片的高速電路時時，如何考慮溫度對信號S參數(shù)的影響？ 在仿真大功率 AI 芯片的高速電路時，溫度對信號 S 參數(shù)的影響需要通過電熱耦合仿真來考慮。這需要使用電子產(chǎn)品熱分析軟件（如 Icepak）來預(yù)測熱源的分布，并將熱效應(yīng)與電磁場仿真（如 HFSS）相結(jié)合。

求解計(jì)算：選擇合適的求解器（如低頻交流磁場求解器）進(jìn)行計(jì)算，Maxwell 會根據(jù)設(shè)定的參數(shù)和模型進(jìn)行電磁場的數(shù)值求解。后處理分析：通過后處理功能，生成電機(jī)內(nèi)部磁場分布的云圖（如下圖所示），可以清晰地看到磁力線在定子和轉(zhuǎn)子之間的分布情況。提取電磁轉(zhuǎn)矩、損耗等關(guān)鍵性能參數(shù)，分析不同負(fù)載條件下電機(jī)的運(yùn)行特性。

IGBT應(yīng)用及封裝設(shè)計(jì)· IGBT特征化建模和開關(guān)特性測試· IGBT寄生參數(shù)提取及系統(tǒng)性能分析· IGBT電磁性能分析和傳導(dǎo)路徑優(yōu)化· IGBT多物理場耦合特性分析· IGBT熱模型提取及系統(tǒng)性能分析· IGBT輻射干擾分析2. 驅(qū)動/控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)3.

7.多物理場耦合功能提供多物理場耦合功能，能精確分析電磁-熱耦合問題。三、波導(dǎo)微波器件仿真APP作為仿真PaaS平臺，伏圖內(nèi)置的APP開發(fā)器支持用戶以無代碼化的方式便捷封裝參數(shù)化仿真模型及仿真流程，將仿真知識、專家經(jīng)驗(yàn)轉(zhuǎn)化為可復(fù)用的仿真APP。封裝好的仿真APP可通過工業(yè)仿真APP商店Simapps，實(shí)現(xiàn)云端部署與在線應(yīng)用，為用戶提供在線仿真工具。

具體計(jì)算模型和材料參數(shù)如圖2和3所示。圖2. 計(jì)算模型圖3. 材料參數(shù)設(shè)置3. 物理場邊界條件基于場路耦合數(shù)學(xué)模型對變壓器運(yùn)行在額定工況時的內(nèi)部電氣量變化和內(nèi)部磁場分布情況進(jìn)行仿真計(jì)算，分析變壓器內(nèi)部電磁性能規(guī)律。物理場邊界條件及場路耦合模型設(shè)置如圖4所示，網(wǎng)格剖分及質(zhì)量分布如圖5所示。圖4.

模型庫里不僅包含三維 CAD 信息，還包括材料參數(shù)、邊界條件、網(wǎng)格設(shè)置、變量列表等。 此外，模型庫使用密碼給模型信息加密，可以在保護(hù)知識產(chǎn)權(quán)的同時給第三方提供電磁場模型。因此，它支持整個企業(yè)中開展的協(xié)同設(shè)計(jì)。 耦合仿真 Ansys的電磁場、電路、系統(tǒng)仿真產(chǎn)品可以與Ansys的結(jié)構(gòu)仿真產(chǎn)品，熱流體仿真產(chǎn)品進(jìn)行耦合仿真。

結(jié)合芯片級無源寄生參數(shù)和有源電流信息，借助封裝/PCB級電磁提取技術(shù)，用戶可以更準(zhǔn)確地識別更真實(shí)的PDN時域噪聲。這也有利于更精確的信號完整性（SI）和電磁干擾（EMI）分析。芯片功耗模型（CPM）是一種SPICE網(wǎng)表格式，包括芯片C4bump的PDN寄生和晶體管級電流源，這些電流源為每個bump重新生成電流，這對于封裝和PCB的PDN時域分析至關(guān)重要。

IE3D可分為MGRID、MODUA和 PATTERNVIEW三部分;MGRID為IE3D的前處理套件，功能有建立電路結(jié)構(gòu)、設(shè)定基板與金屬材料的參數(shù)和設(shè)定模擬仿真參數(shù);MOODUA是 IE3D的核心執(zhí)行套件，可執(zhí)行電磁場的模擬仿真計(jì)算、性能參數(shù)(Smith園圖，S參數(shù)等)計(jì)算和執(zhí)行參數(shù)優(yōu)化計(jì)算;PATTERNVIEW是IE3D 的后處理套件，可以將仿真計(jì)算結(jié)果，電磁場的分布以等高線或向量場的形式顯示出來

金屬鍵合線的寄生電感越小，寄生振蕩越輕微，開關(guān)關(guān)斷過程中的電壓沖擊越小，開關(guān)速率越高，開關(guān)損耗越小；與此同時，鍵合線的寄生電容也應(yīng)盡可能小，以抑制電磁干擾的影響。

圖1 電磁爐有限元模型 圖2 電磁爐溫度場網(wǎng)格模型 材料參數(shù) 電磁爐的材料包括銅，錳鋅鐵氧體，陶瓷等各部件材料屬性如表1所示： 表1 各部件材料屬性