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</p><p><br></p><p>透射電鏡TEM用高能電子束穿透超薄樣品，電子與樣品發(fā)生散射，通過電磁透鏡聚焦形成透射電子圖像。成像依賴穿透電子的散射差異，可反映樣品內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)、原子排列、缺陷等。

超薄氧化鋁涂層UHMWPE纖維的掃描電鏡及其相應(yīng)的能量色散x射線光譜（EDS）。b.超薄氧化鋁涂層UHMWPE光纖的透射電鏡（TEM）圖像。c.二氧化硅涂層UHMWPE光纖的掃描電子顯微鏡及其相應(yīng)的能量色散x射線光譜（EDS）。d.二氧化硅涂層UHMWPE光纖的透射電鏡（TEM）圖像。e.UHMWPE/二氧化硅異相薄膜。插圖顯示了涂覆在UHMWPE纖維上的二氧化硅納米顆粒組裝。

提問：掃描電鏡和透射電鏡有什么區(qū)別？ 回答：掃描電鏡主要用于觀察樣品的表面形貌，電子束不穿透樣品，通過收集電子與樣品作用產(chǎn)生的表面信號來成像，圖像為立體的表面形態(tài)。透射電鏡則是讓電子束穿透樣品，利用電子的透射、散射等特性來成像，主要用于觀察樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，如晶體結(jié)構(gòu)、納米材料的內(nèi)部形態(tài)等，圖像反映的是樣品內(nèi)部的二維投影信息。

不像透射電鏡那樣需要對樣品進(jìn)行超薄切片等復(fù)雜的制備過程，這使得掃描電鏡能夠更方便地對各種類型的樣品進(jìn)行分析。 - 可進(jìn)行多種分析：除了觀察樣品的形貌外，掃描電鏡還可以與其他分析儀器相結(jié)合，如能譜儀（EDS）、波譜儀（WDS）等，實現(xiàn)對樣品的成分分析；還可以通過電子背散射衍射（EBSD）技術(shù)進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)和取向分析等。

【關(guān)于我們】▲ 場發(fā)射掃描電鏡國高材分析測試中心依托頂尖的精密儀器與資深的材料學(xué)專家團(tuán)隊，持續(xù)為電子制造、半導(dǎo)體封測及高分子材料領(lǐng)域提供權(quán)威的失效分析、可靠性評估與材質(zhì)鑒定服務(wù)，助力企業(yè)攻克技術(shù)瓶頸，提升產(chǎn)品品質(zhì)。推薦閱讀碳纖維復(fù)合材料浸漬成型工藝優(yōu)化、流變控制與性能表征方案透射電鏡TEM衍射斑點標(biāo)定方法分享材料卡片的作用與擬合過程解析

場發(fā)射掃描電鏡與SEM的比較及優(yōu)勢在微觀世界的研究中，掃描電鏡（SEM）一直是科學(xué)家們探索材料表面和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的重要工具。隨著技術(shù)的進(jìn)步，場發(fā)射掃描電鏡（FESEM）以其卓越的性能，成為了SEM家族中的佼佼者。本文將深入探討FESEM的工作原理、特點，并與傳統(tǒng)SEM進(jìn)行對比，揭示FESEM的獨特優(yōu)勢。FESEM的工作原理1.

該項工作的意義：1.該項工作用高分辨透射電鏡和球差電鏡在室溫下量化觀測了非晶金屬納米顆粒的類液行為，觀測到非晶顆粒進(jìn)入過冷液態(tài)臨界尺寸為3nm，用實驗展示了低維玻璃材料的內(nèi)稟流動特性。　　

上圖（從左至右）：InAs–Al納米線結(jié)構(gòu)示意圖、高階環(huán)形暗場透射電鏡圖像、EDS成分面掃圖及高分辨透射電鏡圖像。下圖（從左至右）：在InAs–Al納米線隧穿量子器件中觀察到硬超導(dǎo)能隙和由安德列夫束縛態(tài)誘導(dǎo)的零偏壓電導(dǎo)峰，在InAs–Al納米線庫侖島器件中實現(xiàn)雙電子周期的庫侖阻塞以及庫侖阻塞峰從雙電子到單電子的磁場演變。

蔣治海等[4]對炸藥爆炸驅(qū)動不同壁厚拋撒裝置的殼體變形、裂紋產(chǎn)生液體射流形成及其發(fā)展過程進(jìn)行了試驗研究，他們利用掃描電鏡對破片斷面進(jìn)行分析發(fā)現(xiàn)破片的形成主要由剪切斷裂造成。薛琨等[5-6]通過高速分幅照相技術(shù)研究了不同硅油含量的石英砂殼層在爆炸沖擊作用下的動態(tài)拋灑過程，探究了顆粒射流的形成條件和結(jié)構(gòu)特征，發(fā)現(xiàn)硅油含量對于固體顆粒射流的形成和發(fā)展有著重要的影響。

m-BN/PNF納米復(fù)合紙的制備示意圖(a)；PBO纖維的掃描電鏡和光學(xué)照片(b)；PNF分散液轉(zhuǎn)化為m-BN/PNF溶膠的過程以及PNF的透射電鏡照片(c, d)；m-BN/PNF凝膠及其截面掃描電鏡照片(e, f)；m-BN與PNF相互作用的機理圖(g)；m-BN/PNF納米復(fù)合紙展現(xiàn)出柔性和耐折疊性的照片及其截面掃描電鏡照片(h, i)。

大家對能夠進(jìn)行樣品的微區(qū)結(jié)構(gòu)與形貌分析的掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）都不陌生，而與之相關(guān)的利用特征X射線具有特征能量這一原理設(shè)計的用于成分分析的能量色散X射線譜儀（EDS），因為不常用，所以可能就沒那么熟悉了。而今天，小編就給大家講講，EDS的那些事兒！

電鏡測試： 1. 提供SEM （形貌、EDS點/線/面Mapping），加急當(dāng)日可測； 2. 提供TEM（形貌、EDS點/線/面Mapping、選區(qū)衍射、STEM）； 3. 提供AFM（形貌/粗糙度、厚度、相圖、特殊模式：力曲線、楊氏模量、KPFM、PFM、C-AFM、EFM、MFM、LFM等。 二．X射線分析： XRD、XPS，，加急當(dāng)日可測。

二、故障件斷口的微觀檢驗微觀檢驗也稱微觀斷譜或微觀斷口金相，可用光學(xué)顯微鏡、透射電鏡、掃描電鏡等裝置進(jìn)行分析。根據(jù)斷口譜形特征，可確定材料或構(gòu)件的失效機理。三、金相檢驗金相檢驗與電子金相觀察同樣是故障分析過程中一個不可缺少的手段，有時甚至比電鏡手段還重要，應(yīng)視為一種常規(guī)的分析手段。

(b) Co/CF-GA、(c) Fe/CF-GA、(d) ZrO2/CF-GA、(e) Si3N4/CF-GA 和 (f) TiO2/CF-GA 氣凝膠，包括 (i) 掃描電鏡圖像、(ii) 元素映射圖像和 (iii) XRD 圖。(g) 與主流石墨烯基材料相比，SiC/CF-GA 氣凝膠的總體評價雷達(dá)圖。 圖5.

動態(tài)拉伸實驗中，采用高強度粘膠將試件粘貼于入射桿和透射桿之間，氣室中的壓縮氣體推動炮管內(nèi)圓環(huán)管，圓環(huán)管撞擊入射桿端部的法蘭盤，在入射桿內(nèi)部產(chǎn)生拉伸應(yīng)力波。當(dāng)應(yīng)力波傳遞到試件時，部分應(yīng)力波通過試件標(biāo)距段后向透射桿傳遞，另一部分應(yīng)力波則以反射波形式沿入射桿傳回。通過粘貼于入射桿和透射桿上的電阻應(yīng)變片記錄入射波、反射波和透射波的應(yīng)變信號。

其次，在后處理中，我們會收到 S 參數(shù)以及設(shè)備的反射和透射系數(shù)。第三，我們可以為完美匹配層定義典型波長，或使用直接來自邊界模式分析的傳播常數(shù)在電磁波、波束包絡(luò) 物理場接口的波矢量 設(shè)置中指定相位。注意：對于微帶線或共面線等射頻設(shè)備，為了接收 TEM 或準(zhǔn) TEM 模式，數(shù)值端口有一些特殊設(shè)置。圖8. 帶有散射體的光波導(dǎo)頻域分析。這個模型中使用了 4 個數(shù)值端口。

檢驗與鑒別：鑄件內(nèi)部的氣孔采用超聲波檢驗與射線檢驗，鑄件表層的氣孔采用滲透液或磁粉檢驗各類氣孔的鑒別，除應(yīng)根據(jù)它的形狀、大小與分布特征外，有時還須根據(jù)他們的形成原因，輔以測定合金的化學(xué)成分及溶解在金屬液內(nèi)的各種氣體和雜質(zhì)的含量，型、芯、涂料的成分、水分和發(fā)氣性，以及檢查和分析鑄型的澆注系統(tǒng)與排氣條件，方能確定，必要時，還應(yīng)進(jìn)行金相、掃描電鏡和透射電鏡檢驗，以及X射線分析等，才能準(zhǔn)確鑒定氣孔的類別和成因

相應(yīng)的碳化硅纖維的 C、Si和O元素mapping；(l) SiC 纖維的高分辨TEM圖和 (m)相應(yīng)的選區(qū)電子衍射圖。

多尺度形貌與深度失效分析： 面對石化材料在應(yīng)用中常見的基體劣化、助劑析出及加工成型失效等難題，中心依托場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）及原子力顯微鏡（AFM）等尖端顯微成像技術(shù)，精準(zhǔn)觀測聚合物共混物的相形貌與晶體演變，結(jié)合理化測試從納米尺度追溯失效誘因。

試驗金相試樣切成10mm×10mm×20mm，通過光學(xué)顯微鏡（OM）、掃描電子顯微鏡（SEM）、能譜分析（EDS）、電子探針（EPMA）及透射（TEM）等對試樣表面的顯微組織、成分分布進(jìn)行分析。 車間正常生產(chǎn)工藝生產(chǎn)試樣及粘土砂型生產(chǎn)試樣的微觀組織如圖1及圖2。