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DigiTimes表示，如果3nm良率問題繼續(xù)存在，許多客戶可能會延長5nm工藝節(jié)點的使用范圍。此外，臺積電的困境可能會影響PC世界最受歡迎的公司（如AMD和Nvidia）的產(chǎn)品路線圖。 消息來源解釋說，臺積電“不斷修改”其3nm產(chǎn)品，代工廠似乎這樣做是為了找到良率的最佳點。臺積電最新推出的是N3E，它是臺積電3nm制造工藝的低成本版本，在N3之后一年問世，讓業(yè)界觀察家感到驚訝。

如果您查看圖 6 中的 TSMC 密度值，在 5nm 中，2-2 鰭式單元的密度比 2-2 單元高 1.39 倍，而 2-1 單元的密度提高了 1.56 倍。三星有兩個版本的 3nm，SF3E（3GAE）版本比 5nm 密度高 1.19 倍，SF3（3GAP）版本比 5nm 密度高 1.35 倍，進(jìn)一步落后于臺積電行業(yè)領(lǐng)先的密度。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，僅憑三星電子全球首次生產(chǎn)GAA 3nm工藝，就頗有意義。此前，三星電子一直被認(rèn)為因3nm工藝相關(guān)IP(知識產(chǎn)權(quán))不足、良品率不佳等原因，導(dǎo)致3nm工藝開發(fā)不順利。最近，也有觀察將推遲3nm工藝量產(chǎn)的日程表。對此，三星電子正面反駁稱：“3nm量產(chǎn)日程如期順利進(jìn)行，上半年將開始量產(chǎn)。”

然而，盡管三星和臺積電在先進(jìn)制程上爭的“你死我活”，但一個不可否認(rèn)的事實是，3nm等更先進(jìn)制程的用戶將越來越少，原因就是成本越來越高，性價比逐步降低，部分領(lǐng)域也用不到3nm等制程。 美國喬治敦大學(xué)沃爾什外交學(xué)院安全與新興技術(shù)中心（CSET）發(fā)布的信息顯示，臺積電一片采用3nm制程的12英寸晶圓，代工制造費用約為3萬美元，大約是5nm的1.75倍。

imec團隊也展示相關(guān)成果，把納米片的垂直間距從13nm縮短為7nm，結(jié)果AC效能提升了10%，可見微縮替代金屬閘極的重要性。

3.實體單元這里同樣分別實體單元的采用低階單元和高階單元，對比結(jié)果如下表：可見需要采用很細(xì)的網(wǎng)格尺寸才能達(dá)到收斂結(jié)果，但是仍然達(dá)不到梁單元的精度。

臺積電提到了從 N3E 節(jié)點派生的許多其他變體——N3P、N3X、N3S 和 N3RF。臺積電計劃推出 N3E 節(jié)點的更高密度變體，稱為 N3S。據(jù)說該節(jié)點通過庫優(yōu)化具有用于低功耗應(yīng)用的最高密度設(shè)備。據(jù)說 N3S 將在 N3E 之后的 2 個季度左右上升，大約在 2024 年中期。N3P 和 N3X 都以類似于 N5/N4P 和 N4X 的高性能應(yīng)用為目標(biāo)。

業(yè)內(nèi)人士指出，將英特爾的制程轉(zhuǎn)換為“等效節(jié)點”（EN），預(yù)計英特爾原規(guī)劃的7nm的EN值為4.1nm，介于三星、臺積電的5nm和3nm之間；英特爾原規(guī)劃的5nm的EN值為2.4nm，介于三星、臺積電的3nm和2nm之間。[23] Tom's Hardware指出，對于不了解內(nèi)情的人，英特爾的10nm Superfin架構(gòu)聽起來遠(yuǎn)不如AMD使用的臺積電7nm，這是具有欺騙性的。

研究成果以“Flexible Large?Area Graphene Films of 50–600 nm Thickness with High Carrier Mobility”為題發(fā)表于《Nano-Micro Letters》。 l 03圖文導(dǎo)讀 圖1. 超薄自支撐GO/PAN薄膜的制備。 圖2. 基于PAN原子氣體溢出通道。 圖3. nMAG的結(jié)構(gòu)和柔性。

簡單來說，今年試產(chǎn)N3工藝之后，2024年會有2nm工藝，2026年則是A14工藝——A代表的是埃米，是納米之后的尺度，A14工藝可以理解為1.4nm工藝，英特爾之前提出的A20、A18工藝就相當(dāng)于2nm、1.8nm工藝。 臺積電在3nm工藝完成研發(fā)之后會把團隊轉(zhuǎn)向未來的1.4nm工藝研發(fā)，預(yù)計今年6月份啟動。

該系列預(yù)計將預(yù)裝Harmony OS 3.0。華為不再位列全球智能手機廠商前五名。2019年，該公司交付了2.406億部手機。一份報告稱，由于美國的禁令和榮譽的出售，該公司去年僅出貨了 3500 萬部手機，同比下降 81%。華為能否卷土重來？

另一個方面，對工藝制程有了解的讀者應(yīng)該知道，今年下半年開戰(zhàn)的3nm工藝推進(jìn)到現(xiàn)在，其實基本面已經(jīng)定了。因為三大廠商（臺積電、英特爾和三星）的工藝進(jìn)度，甚至客戶在目前看來都初步確定，且短期有太大的變化的可能性比較小。 但在3nm后的技術(shù)節(jié)點，則又有新的不確定性。

此后三星的7nm/5nm工藝，臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)均高度依賴于0.55數(shù)值孔徑的EUV光刻機來進(jìn)行生產(chǎn)。 目前英特爾、臺積電、三星等頭部的晶圓制造廠商正大力投資更先進(jìn)的3nm、2nm技術(shù)，以滿足高性能計算等先進(jìn)芯片需求。

CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，業(yè)界常識，工作在200 nm至280 nm UVC波段的LED一直都受制于輸出功率的提升。不過，這一瓶頸限制有望被打破，這要歸功于北京大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的中國團隊，他們的研究成果為標(biāo)準(zhǔn)尺寸UVC芯片輸出功率的提升開辟了新天地。

同樣按照每個通路占用0.4 nm的波段范圍資源劃分，C+L波段常見傳輸方案有如下3種。C120+L80：Cpp波段（120個通路）+L波段（80個通路），實現(xiàn)200波系統(tǒng)。其中L波段實際為L+波段，波長范圍為1575.16nm ~ 1617.66nm。C120+L80傳輸方案的傳輸容量較C波段增加了1.5倍。

3核心功能升級：效率與靈活性提升3.1 多窗口聯(lián)動建模過去熟悉 HyperMesh 的用戶應(yīng)該知道，舊界面一個窗口里只能有一個 HyperMesh 頁面，其他頁面多用于 HyperView、HyperGraph 等后處理工具。但新版界面打破了這個限制，現(xiàn)在一個界面里可以同時打開多個 HyperMesh 窗口，而且這些窗口能實現(xiàn)建模聯(lián)動。

按照臺積電給出的2nm工藝指標(biāo)，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，比3nm減少23%。3nm在3nm制程產(chǎn)能建設(shè)方面，臺積電在臺南科學(xué)園區(qū)有3座晶圓廠，分別是14廠、18廠和6廠，其中前兩座是12英寸晶圓廠，后一座是8英寸晶圓廠。