CINNO Research產業資訊，三星電子最快將于本周開始進行3納米(nm)Foundry工藝“試生產”。據悉，首個客戶是中國的比特幣挖礦用半導體公司。據傳，已經從美國高通收到了預訂訂單，部分物量可以委托生產。雖然不是一般意義上的“量產”，但業界評價稱，作為采用GAA(Gate -All-Around)工藝試生產的全球第一個3nm工藝，這很有意義。

根據韓媒Thelec報道，據半導體行業6月28日消息，三星電子計劃最早在本周內投入采用GAA工藝的3nm產品試生產。

GAA是利用四面的新一代晶體管結構，與之前以電流流動的通道為三面的FinFET結構不同。與FinFET結構相比，具有更精細的電流調節能力和更高的功率效率，被認為是實現超微半導體線幅必不可少的技術。

據悉，3nm GAA工藝的首家客戶是中國比特幣挖礦用半導體(ASIC)Fabless廠商PanSemi。據了解，與三星Foundry的最大客戶高通已經達成了協議，隨時可以將利用3nm工藝的芯片委托給三星生產。

據分析，這是針對中國臺灣Foundry廠商TSMC的3nm制程出現問題，提前確保三星電子的3nm工藝物量的戰略。之前高通曾打算利用三星電子的3nm制程生產Mobile AP(應用程序處理器)，三星電子因不符合良率條件，曾將物量委托給TSMC。

三星電子在此前設立了將3nm GAA工藝在今年上半年全球首次量產應用的目標。上一季度業績公布后的電話會議中，也重申了這一立場。此次試生產將使三星電子的“3nm上半年量產”的承諾得以兌現。不過，據了解，此次生產并非一般意義上的大規模量產，而是更接近于產品測試的試生產。

業內人士認為，僅憑三星電子全球首次生產GAA 3nm工藝，就頗有意義。此前，三星電子一直被認為因3nm工藝相關IP(知識產權)不足、良品率不佳等原因，導致3nm工藝開發不順利。最近，也有觀察將推遲3nm工藝量產的日程表。對此，三星電子正面反駁稱：“3nm量產日程如期順利進行，上半年將開始量產。”

業界相關人士表示：“即使處于試生產階段，三星電子也能提高3nm GAA工藝的技術實力和良率，從而確保客戶”，“但是明年三星電子的新一代Mobile AP是否會應用3nm仍不明朗。”有分析稱，實際利用3nm工藝的大規模量產時間還有待觀察。也有部分人士認為，三星電子正式量產GAA 3nm的時間最早在今年年末，最晚在明年上半年。

同時，TSMC正在準備量產基于FinFlex的3nm工藝(N3)。PinFlex根據芯片設計人員希望的各種選項可定制提供FinPET的結構。例如，基于3N工藝，頻率最高的3-2 FIN，性能與效率之間均衡的2-2 FIN，重視功率效率的1-2FIN可以在同一Die上混合使用。基本的N3工藝將于今年下半年開始量產，改良工藝在此之后開始量產。

TSMC今年早些時候也曾被指出3nm工藝良品率低于預期的問題，但與三星電子一樣強調計劃沒有變動。TSMC董事長劉德音在本月6日舉行的股東說明會上表示：“今年下半年將開始量產3N工藝，改良工藝將在一年后投入量產。”

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