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（圖片出自：電波新聞）此外，“ULTiNA”模組還搭載了一種可控制高密度TiN薄膜壓力的新型技術(shù)，而利用以往的成膜技術(shù)，很難控制膜壓。利用該技術(shù)形成的TiN薄膜，可用做硬掩膜（Hard Mask）。硬掩膜可用作加工最尖端的5納米邏輯半導(dǎo)體的層間絕緣膜。此外，愛發(fā)科也計(jì)劃將其推廣應(yīng)用于3納米邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)。由于硬掩膜可提高蝕刻選擇比，所以高密度膜是理想選項(xiàng)。

(d) CNTs作為連接石墨烯片的熱通道示意圖，(e, f)復(fù)合薄膜的熱屏蔽性能和電磁干擾屏蔽性能，（g)在碳納米管紗線上噴涂氧化石墨烯涂層的示意圖，(h, i)氧化石墨烯/碳納米管復(fù)合膜的SEM和TEM圖像，(j)還原氧化石墨烯/碳納米管改善傳熱性能的示范，(k)不同氧化石墨烯負(fù)載下復(fù)合膜的導(dǎo)熱系數(shù)，(l)復(fù)合膜與銅片的紅外照片對(duì)比。

02 成果掠影 浙江大學(xué)高超課題組以氧化石墨烯(GO，28 μm，杭州高稀科技)/聚丙烯腈(PAN)薄膜為前驅(qū)體，利用基底替換和協(xié)同石墨化策略，制備了大尺寸和緊密堆疊的組裝石墨烯納米膜(nMAG，橫向尺寸20 cm，厚度范圍50-600 nm)。

近期，中科院化學(xué)所趙寧團(tuán)隊(duì)提出以PBO納米纖維為基元，通過溶膠-凝膠-膜轉(zhuǎn)化和退火法制備了PBO薄膜。通過優(yōu)化PBO納米纖維溶膠的凝膠化，減少凝膠的不規(guī)則收縮，可以有效地改善薄膜中三維互聯(lián)納米纖維網(wǎng)絡(luò)的取向。熱退火后，分子鏈的有序性和納米纖維之間的相互作用增強(qiáng)，進(jìn)一步促進(jìn)了聲子轉(zhuǎn)移。 因此，形成的PBO薄膜獲得了前所未有的導(dǎo)熱性、機(jī)械強(qiáng)度和抗紫外線性。

除石墨烯材料外，碳納米管（CNT）也是一種具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能的新型碳納米材料，其熱導(dǎo)率在室溫下為3000～3500 W/(m·K)，抗拉強(qiáng)度為 5×104～2×105 MPa。一些研究報(bào)告稱，引入少量碳納米管可以明顯改善復(fù)合材料的導(dǎo)熱性和機(jī)械性能。

三種取向 PZO 薄膜的雙磁滯回線（圖2B）顯示殘余極化（Pr+ 和 Pr-）接近零，表明 150 納米厚的薄膜幾乎是純粹的反鐵電性。為了揭示零磁場下的 AFE 特性，本研究進(jìn)一步分析了面向 (111) 的 PZO 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。

石墨烯納米片(GNPs)具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、優(yōu)異的導(dǎo)熱性，顯示出作為新材料的巨大潛力。但是由于GNP含量有限(<30 wt%)，石墨烯納米片/聚合物復(fù)合材料（GPCs）的電磁屏蔽性和熱導(dǎo)率保持在相對(duì)較低的水平，這限制了它們?cè)谙乱淮叨燃呻娮釉O(shè)備中的應(yīng)用。高GNP含量(≥50 wt%)的GPC材料有望通過形成致密的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生具有強(qiáng)電磁屏蔽能力和良好導(dǎo)熱性。

目前，采用無機(jī)鹽TiCl4為原料制備高活性的納米二氧化鈦JR05（5納米超催化活性納米二氧化鈦），已制備出無干涉色的光催化抗菌釉面磚，現(xiàn)在已經(jīng)在市場上得到推廣應(yīng)用。抗菌薄膜的制備方法：將5納米二氧化鈦粉按照一定比例溶于純凈水中制得穩(wěn)定的納米二氧化鈦水溶液，通過拉膜機(jī)，在潔凈的抗菌陶瓷釉面磚上鍍膜，濕膜經(jīng)100℃烘干10min后可重復(fù)鍍膜，一般可重復(fù)鍍膜3次可取得最佳效果。

氣象沉積法是在基板表面涂層固體材料薄膜的方法，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和太陽能電池等制造工藝。 研究團(tuán)隊(duì)采用所開發(fā)的新方式成功制造了高密度的量子點(diǎn)薄膜。不僅如此，在3μm厚度(用噴墨方法所制造的厚度的25%)的薄膜上，也完美實(shí)現(xiàn)了將藍(lán)色轉(zhuǎn)化為綠色和紅色。 此外，研究團(tuán)隊(duì)通過該研究還確認(rèn)到，通過混用低價(jià)的二氧化硅納米粒子，在綠色的情況下能達(dá)到7353cd/m2的高效率。

此外，雙曲型超晶格可以通過兼容的晶體結(jié)構(gòu) （如氮化鈦和氮化鋁鈧）組合形成。與金和銀不同，這些材料與現(xiàn)有CMOS組件兼容，并且在較高溫度下具有熱穩(wěn)定性。由于光子密度較高（相比于金或銀），這些材料也是有效的光吸收劑。雙曲超材料開辟了各種可能性，例如可提供先進(jìn)傳感功能的平面透鏡、無衍射成像、超靈敏光學(xué)顯微鏡、納米諧振器等。

此外，雙曲型超晶格可以通過兼容的晶體結(jié)構(gòu) （如氮化鈦和氮化鋁鈧）組合形成。與金和銀不同，這些材料與現(xiàn)有CMOS組件兼容，并且在較高溫度下具有熱穩(wěn)定性。由于光子密度較高（相比于金或銀），這些材料也是有效的光吸收劑。雙曲超材料開辟了各種可能性，例如可提供先進(jìn)傳感功能的平面透鏡、無衍射成像、超靈敏光學(xué)顯微鏡、納米諧振器等。

由于具有較大的比表面積和豐富的邊基，氮化硼納米片BNNS在聚合物基質(zhì)中的分散性和相容性方面往往比未剝離的hBN具有前所未有的優(yōu)勢。然而，剝離后的BNNS橫向尺寸僅為100 nm，厚度達(dá)到10 nm。因此，制備厚度均勻、產(chǎn)率高的高質(zhì)量BNNS對(duì)于制備具有高導(dǎo)熱性能的柔性復(fù)合膜具有重要意義。近年來，高性能PI納米纖維薄膜在導(dǎo)熱領(lǐng)域得到了廣泛的研究。

CINNO research產(chǎn)業(yè)資訊，2023年12月14日-全球領(lǐng)先的納米電子、數(shù)字技術(shù)研究和創(chuàng)新中心Imec與日本領(lǐng)先的化學(xué)公司和EUV薄膜供應(yīng)商三井化學(xué)宣布，開始就極紫外光刻用碳納米管（CNT）基薄膜（Pellicle）的商業(yè)化建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。根據(jù)這一合作伙伴關(guān)系，三井化學(xué)將把imec的碳納米管基薄膜創(chuàng)新地整合到其現(xiàn)有碳納米管薄膜技術(shù)中，以建立完整的生產(chǎn)規(guī)格。

03 圖文導(dǎo)讀 圖1.Cu/PLLA的薄膜的制備示意圖。 圖2.納米纖維膜的物理性能和導(dǎo)電性。 圖3.納米纖維膜的熱管理性能。 圖4.納米纖維膜的電磁屏蔽性能及其應(yīng)用。 圖5.

結(jié)語： 納米噴鍍技術(shù)的核心在于利用納米材料的特殊性質(zhì)，通過氧化還原反應(yīng)在物體表面形成納米級(jí)金屬晶體，這些晶體對(duì)光具有強(qiáng)烈的反射作用，從而形成光亮的納米鏡面效果。納米噴鍍技術(shù)無需外接電源，僅通過專用噴槍將反應(yīng)劑均勻噴涂在工件表面，就能形成一層僅0.1-2微米厚的薄膜，實(shí)現(xiàn)鍍金、鍍銀、鍍鉻等多種電鍍效果，光澤度堪比鏡面，反光率最高可達(dá)95%以上。

由G@BNNS填料和纖維素納米纖維(CNF)基質(zhì)經(jīng)過濾制成的可折疊導(dǎo)熱復(fù)合薄膜，其面內(nèi)和面外導(dǎo)熱系數(shù)分別為125.0和2.1 W/(mK)。如此高的導(dǎo)熱系數(shù)是由于G與BNNSs的作用降低了界面熱阻。利用該復(fù)合薄膜作為散熱片，可以在大功率LED器件中有效地進(jìn)行高功率條件下的多次循環(huán)散熱，并且可以在平面方向上均勻散熱。

e.UHMWPE/二氧化硅異相薄膜。插圖顯示了涂覆在UHMWPE纖維上的二氧化硅納米顆粒組裝。f-g.UHMWPE、UHMWPE/氧化鋁和UHMWPE/二氧化硅的傅里葉變換紅外光譜（FTIR）和熱重分析。

石墨烯薄膜、氧化石墨烯溶液、石墨烯粉體設(shè)備、石墨烯薄膜生長CVD設(shè)備等。

該文提出結(jié)合三維多孔石墨烯薄膜和MXene納米片的優(yōu)點(diǎn)，通過真空輔助過濾的方法，將MXene納米片與三維多孔石墨烯薄膜襯底集成，制備出具有獨(dú)特結(jié)構(gòu)特征、優(yōu)異柔韌性和優(yōu)異電磁干擾屏蔽能力的柔性石墨烯/MXene (G/M)復(fù)合薄膜。本研究中提出的石墨烯/石墨烯復(fù)合薄膜直接使用3D互連多孔石墨烯薄膜和MXene水性分散體作為起始材料進(jìn)行組裝，無需進(jìn)一步的熱處理。

芳綸納米纖維(ANFs)、明膠、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)被用作Gr分散體的分散劑，PVP中親水性(-CONH)和疏水性(-CH)基團(tuán)的存在加速了Gr的分散，導(dǎo)致真空過濾后形成致密的高導(dǎo)熱石墨烯薄膜。然而，PVP的導(dǎo)熱系數(shù)低得多，這將略微降低石墨烯薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)。因此如何通過PVP提高Gr的分散性而不惡化導(dǎo)熱性的材料制備技術(shù)是非常重要的。